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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
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ss24she3j_a/h。	-	RFQ	3631	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS24	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		40 v		550 mv @ 2 a		200 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	2a	130pf @ 4V、1MHz
murb820trl	-	RFQ	2350	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	murb820	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
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BZD17C56P-E3-18	0.1597	RFQ	5830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17C56		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 43 v						56 v
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1N4151WS-HE3-08	0.0341	RFQ	2753	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	1N4151	標準		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		50 v		1 V @ 50 mA	4 ns	50 Na @ 50 V	-55°C〜150°C	150ma	-
v20pw45c-m3/i	1.1000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	V20PW45	ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	10a	600 mV @ 10 a		1 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
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VS-MBRB1635TRRPBF	-	RFQ	4444	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB16	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRB1635TRRPBF	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		35 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 35 V	-55°C〜150°C	16a	1400pf @ 5V、1MHz
ZPY12-TR	0.3700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Zpy12		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							500 NA @ 9 V						12 v	3オーム
BZX84C56-E3-08	0.2300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±7％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C56		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							50 Na @ 39.2 v						56 v	200オーム
GI1-1200GP-E3/54	0.3310	RFQ	2010年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	GI1	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 1 a	1.5 µs	10 µA @ 1200 v	-65°C〜175°C	1a	-
TZMC8V2-GS18	0.2300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC8v2		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 na @ 6.2 v						8.2 v	7オーム
VS-HFA15TB60-N3	-	RFQ	5877	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	HFA15	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-HFA15TB60-N3GI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 15 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
VS-10ETF12STRR-M3	0.9834	RFQ	4457	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	10etf12	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		1200 v		1.33 V @ 10 a	310 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	10a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²