画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | V10KM100C-M3/h | 0.3231 | ![]() | 3975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-V10KM100C-M3/HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 4.2a | 740 mV @ 5 a | 200 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | vss8d3m10-m3/i | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | S8D3 | ショットキー | Slimsmaw | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 550 mV @ 1.5 a | 200 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | 2.1a | 340pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBRB30H90CTHE3/45 | - | ![]() | 7069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB30 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 90 v | 15a | 820 mv @ 15 a | 5 µA @ 90 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | MMSZ5239C-E3-08 | 0.3200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5239 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | BZG03C11-HM3-18 | 0.1898 | ![]() | 7653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.45% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C11 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5260B-T | - | ![]() | 9116 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5260 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 900オーム | |||||||||||||
![]() | MBRB16H50HE3/81 | - | ![]() | 3835 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB16 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 730 mv @ 16 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 16a | - | |||||||||||
![]() | MBRB1645HE3/81 | - | ![]() | 3005 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB16 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 630 mv @ 16 a | 200 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||||||||
![]() | FGP50B-E3/73 | - | ![]() | 8113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | FGP50 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 5a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | TZMB3V3-GS18 | 0.3100 | ![]() | 3341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB3V3 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.3 v | 90オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4007E-E3/53 | 0.4000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4007 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 v | -50°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX384B3V3-HE3-18 | 0.2800 | ![]() | 8702 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B3V3 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||
SD200N12PV | - | ![]() | 3815 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | DO-205AC 、DO-30 、スタッド | SD200 | 標準 | DO-205AC (DO-30) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *SD200N12PV | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.4 V @ 630 a | 15 mA @ 1200 v | -40°C〜180°C | 200a | - | |||||||||||
NS8KT-7000HE3/45 | - | ![]() | 7798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | NS8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VIT760HM3/4W | - | ![]() | 2505 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VIT760 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 800 mV @ 7.5 a | 700 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 7.5a | - | |||||||||||
![]() | 1N5227B-TAP | 0.2300 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5227 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | ||||||||||||
![]() | GDZ2V0B-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、gdz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ2V0 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 120 µA @ 500 mV | 2 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | byd13kgphe3/54 | - | ![]() | 8080 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | byd13 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBR20H100CTHE3/45 | - | ![]() | 3652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 770 mV @ 10 a | 4.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | VSSA36S-M3/61T | 0.1061 | ![]() | 9270 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SA36 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSSA36SM361T | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 630 mV @ 3 a | 900 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2.4a | 245pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SMBZ5929B-E3/52 | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5929 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 11.4 v | 15 V | 9オーム | ||||||||||||
![]() | MBRF1045HE3/45 | - | ![]() | 7337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | MBRF104 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | MBRF1045HE3_A/P | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 840 mV @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
AZ23C18-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C18 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 14 V | 18 v | 50オーム | |||||||||||||
![]() | VS-HFA16TA60CSR-M3 | 0.6417 | ![]() | 2258 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | HFA16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 8a(dc) | 2.1 V @ 16 a | 55 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-8ETU04STRRHM3 | 0.9655 | ![]() | 2220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 8etu04 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 43 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | plz22c-g3/h | 0.0415 | ![]() | 6284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ22 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 17 V | 22 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | VS-88-7311 | - | ![]() | 9974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 88-7311 | - | 112-VS-88-7311 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5248C-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 5284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | |||||||||||||
![]() | VS-60CPQ150-N3 | 6.6900 | ![]() | 817 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 60CPQ150 | ショットキー | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-60CPQ150-N3GI | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 30a | 830 mV @ 30 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | BZX384B7V5-G3-08 | 0.0445 | ![]() | 5322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B7V5 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 µA @ 1 V | 7.5 v | 15オーム |
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