画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZG03C33-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.06% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C33 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 24 V | 33 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | ss10ph45hm3_a/h。 | 0.6100 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10PH45 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 720 mv @ 10 a | 80 µA @ 45 V | -55°C〜175°C | 10a | 400pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 151CMQ035 | - | ![]() | 6330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-249AA (修正)、D-60 | 151cmq | ショットキー | D-60 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *151CMQ035 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 150a | 920 mv @ 150 a | 5 ma @ 35 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | 1N4248GPHE3/54 | - | ![]() | 1276 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4248 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 800 V | -65°C〜160°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | 30cth02strl | - | ![]() | 8618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 30cth | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | BZD27B39P-E3-08 | 0.1155 | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B39 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-25F120M | 11.4300 | ![]() | 9974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 25F120 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS25F120M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.3 V @ 78 a | -65°C〜175°C | 25a | - | ||||||||||||||
![]() | SL44HM3_a/i | 0.4300 | ![]() | 5743 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SL44 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-SL44HM3_A/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 8 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 8a | - | |||||||||||||
VS-SD400R16PC | 106.5767 | ![]() | 6275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | SD400 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSSD400R16PC | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.62 V @ 1500 a | -40°C〜190°C | 400a | - | |||||||||||||||
![]() | BAT41-TR | 0.3900 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAT41 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 200 mA | 100 Na @ 100 V | 125°C (最大) | 100mA | 2PF @ 1V 、1MHz | ||||||||||||||
![]() | RGP10DEHE3/53 | - | ![]() | 6821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | GP10-4006E-E3/54 | 0.1840 | ![]() | 6159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | - | 1a | - | ||||||||||||||||
![]() | 181nq045 | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D-67ハーフパック | 181nq045 | ショットキー | D-67ハーフパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *181nq045 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 660 mV @ 180 a | 15 mA @ 45 v | 180a | 7800PF @ 5V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | vssaf56hm3_a/h | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SAF56 | ショットキー | DO-221AC(スリムスマ) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 620 mV @ 5 a | 400 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 5a | 540pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
vs-18tq035pbf | - | ![]() | 3618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | 18tq035 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 600 mV @ 18 a | 2.5 mA @ 35 v | -55°C〜175°C | 18a | - | |||||||||||||||
MMBZ4707-E3-18 | - | ![]() | 8625 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4707 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 Na @ 15.2 v | 20 v | ||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRD650CTTRPBF | - | ![]() | 7706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | MBRD6 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 3a | 650 mv @ 3 a | 100 µA @ 50 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | VS-8TQ100STRLPBF | - | ![]() | 5706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 8tq100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 8a | 500pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | BZG03B27-M3-08 | 0.2228 | ![]() | 3867 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B27 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3808bhm3_a/i | - | ![]() | 5322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3808 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | ||||||||||||||||
![]() | vs-81cnq045asmpbf | - | ![]() | 8656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | D-61-8-SM | 81CNQ045 | ショットキー | D-61-8-SM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs81cnq045asmpbf | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 40a | 600 mV @ 40 a | 5 ma @ 40 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||
FES8AT-E3/45 | 0.5618 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | FES8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | VS-10ETF12S-M3 | 0.9662 | ![]() | 8949 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 10etf12 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.33 V @ 10 a | 310 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||
![]() | 88CNQ060ASL | - | ![]() | 4100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | D-61-8-SL | 88cnq | ショットキー | D-61-8-SL | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *88CNQ060ASL | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 40a | 580 mV @ 40 a | 640 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | BZD27C4V7P-M3-08 | 0.4500 | ![]() | 2202 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C4V7 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 7オーム | |||||||||||||||
BA779-2-HG3-08 | - | ![]() | 8074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | TO-236-3 | BA779 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 50 Ma | 0.5pf @ 0V 、100MHz | ピン-1ペアシリーズ接続 | 30V | 50OHM @ 1.5MA 、100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | VS-20TQ035SPBF | - | ![]() | 9630 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 20TQ035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS20TQ035SPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 570 mV @ 20 a | 2.7 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | 20a | 1400pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-S1629 | - | ![]() | 3563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | チューブ | 廃止 | S1629 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5818-E3/73 | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5818 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 1 mA @ 30 v | -65°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | BAT42W-G3-08 | 0.4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | BAT42 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 650 mv @ 50 ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 7PF @ 1V、1MHz |
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