画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GI1-1400GPHE3/54 | - | ![]() | 7925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GI1 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 10 µA @ 1400 v | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | BZD27C11P-M3-08 | 0.4600 | ![]() | 7768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | BZG03B220-HM3-08 | 0.2310 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B220 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 160 v | 220 v | 750オーム | ||||||||||||||
![]() | au1fm-m3/i | 0.0889 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | 雪崩 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-AU1FM-M3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.85 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜175°C | 1a | 8.2pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-40CPQ035-N3 | 4.4700 | ![]() | 4254 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 40CPQ035 | ショットキー | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-40CPQ035-N3GI | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 40a | 590 mV @ 40 a | 4MA @ 35 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BZG03B220TR3 | - | ![]() | 1882年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 160 v | 220 v | 750オーム | |||||||||||||||
![]() | SS10P6-M3/86A | 0.8900 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10P6 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 550 mV @ 7 a | 150 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 7a | - | |||||||||||||
![]() | 70MT160PA | - | ![]() | 3579 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 7-MTPA | 70MT160 | 標準 | 7-MTPA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 70 a | 3フェーズ | 1.6 kV | ||||||||||||||||
![]() | BZT52C27-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C27 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 20 V | 27 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | US1B-E3/5AT | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1b | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZG05C6V2TR | - | ![]() | 6777 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±6% | - | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 3 V | 6.2 v | 4オーム | ||||||||||||||
BYW29-150-E3/45 | 1.1400 | ![]() | 996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byw29 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 8a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | SS14-M3/61T | 0.4500 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS14 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | VS-30BQ040HM3/9AT | 0.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 30BQ040 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 570 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 230pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||
![]() | plz10b-g3/h | 0.3200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | plz10 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 7 V | 10 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-30WQ06FNTRLPBF | - | ![]() | 3131 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 30WQ06 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 610 mv @ 3 a | 2 ma @ 60 v | -40°C〜150°C | 3.5a | 145pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||
![]() | ES1PA-E3/85A | - | ![]() | 8465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-220AA | ES1 | 標準 | DO-220AA | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | TZM5225F-GS08 | - | ![]() | 7714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5225 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3 v | 1600オーム | |||||||||||||||
AZ23C4V3-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 1623 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C4V3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 4.3 v | 95オーム | ||||||||||||||||
VSIB2580-E3/45 | - | ![]() | 4449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | VSIB2580 | 標準 | GSIB-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1 V @ 12.5 a | 10 µA @ 800 V | 3.5 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||
![]() | VS-20ETF02SPBF | - | ![]() | 4355 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 20ETF02 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-20ETF02SPBFGI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.67 V @ 60 a | 160 ns | 100 µA @ 650 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||
![]() | plz27a-g3/h | 0.3200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ27 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 19 v | 27 v | 45オーム | ||||||||||||||
vs-mur1520pbf | - | ![]() | 9754 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | MUR1520 | 標準、逆極性 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||
![]() | GP10GE-M3/73 | - | ![]() | 1816年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 8etx06strl | - | ![]() | 8762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 8etx06 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 8etx06strltr | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 8 a | 24 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | V4Pal45Hm3/i | - | ![]() | 7593 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-221BC | V4Pal45 | ショットキー | DO-221BC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 430 mV @ 2 a | 450 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | 3a | 450pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 8ewf10s | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 8ewf10 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 8 a | 270 ns | 100 µA @ 1000 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | GP10J-M3/54 | - | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | B160-M3/5AT | 0.0668 | ![]() | 3696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | B160 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mv @ 1 a | 200 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | V15P8HM3_A/i | 0.4562 | ![]() | 1410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V15p8 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 80 v | 660 mV @ 15 a | 1.2 mA @ 80 v | -40°C〜150°C | 15a | - |
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