画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SRP100D-E3/54 | - | ![]() | 8081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SRP100 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 100 ns | 10 µA @ 200 v | -50°C〜125°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | ES2G/1 | - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES2G | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.1 V @ 2 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SMZJ3793BHE3/5B | - | ![]() | 1586 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ37 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 9オーム | ||||||||||||
![]() | s3khe3_a/h | 0.1910 | ![]() | 8112 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3K | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 2.5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | vs-10ets12strlpbf | - | ![]() | 6789 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 10ets12 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs10ets12strlpbf | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 10 a | 500 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||
![]() | vs-15ctq040pbf | - | ![]() | 9936 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | 15CTQ040 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 7.5a | 550 mV @ 7.5 a | 800 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SML4746-E3/61 | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4746 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 20オーム | ||||||||||||
![]() | CS1M-E3R/i | - | ![]() | 6183 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-CS1M-E3R/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.12 V @ 1 a | 1.5 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 6PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-SD600R12PC | 158.6317 | ![]() | 5362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | B-8 | SD600 | 標準 | B-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.31 V @ 1500 a | 35 mA @ 1200 v | -40°C〜180°C | 600a | - | ||||||||||
![]() | V20150S-M3/4W | 0.7229 | ![]() | 2117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | V20150 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.6 V @ 20 a | 200 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||
![]() | VS-20ETF02S-M3 | 1.5268 | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 20ETF02 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 20 a | 160 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||
![]() | VT60M45C-M3/4W | 1.3200 | ![]() | 3954 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | VT60M45 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VT60M45C-M3/4WGI | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 30a | 680 mV @ 30 a | 450 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | |||||||||
![]() | VLZ39C-GS18 | - | ![]() | 4608 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ39 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 40 µA @ 34.2 v | 36.93 v | 85オーム | |||||||||||
SD150R20PC | - | ![]() | 6165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | DO-205AC 、DO-30 、スタッド | SD150 | 標準 | DO-205AC (DO-30) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 1.5 V @ 470 a | 15 MA @ 2000 v | -40°C〜180°C | 150a | - | |||||||||||
![]() | SL23-7001he3_a/i | - | ![]() | 9088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SL23 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | 1 (無制限) | 112-SL23-7001HE3_A/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 30 V | 440 mV @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | Z4KE150A-E3/54 | 0.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | Z4KE150 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,500 | 1 V @ 500 MA | 500 NA @ 113.6 v | 150 v | 1000オーム | |||||||||||
![]() | murs120he3/5bt | - | ![]() | 3482 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MURS120 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 200 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 2a | - | |||||||||
![]() | VS-40L40CWPBF | - | ![]() | 5925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | 40L40 | ショットキー | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 20a | 530 mv @ 20 a | 1.5 mA @ 40 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | egl34ghe3_a/h。 | - | ![]() | 7692 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | EGL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | 影響を受けていない | egl34ghe3_b/h。 | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.35 V @ 500 MA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-121NQ045PBF | 21.7955 | ![]() | 2332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67ハーフパック | 121NQ045 | ショットキー | D-67ハーフパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 高速回復= <500ns | 45 v | 650 mV @ 120 a | 10 mA @ 45 v | 120a | 5200PF @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-12FLR60S02 | 5.6976 | ![]() | 5780 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 12FLR60 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 12 a | 200 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||||||
![]() | BZT55C68-GS18 | 0.0283 | ![]() | 3168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55C68 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 51 v | 68 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | UGF18CCT-E3/45 | - | ![]() | 8059 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UGF18 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 18a | 1.1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | |||||||||
![]() | BYV29B-300-E3/81 | - | ![]() | 2742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
![]() | SML4734A-E3/61 | - | ![]() | 8299 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4734 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | VLZ5V6A-GS08 | - | ![]() | 7519 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | Vlz5v6 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 5.42 v | 13オーム | |||||||||||
![]() | MMSZ4708-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4708 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 Na @ 16.7 v | 22 v | |||||||||||||
![]() | 30CPQ060 | - | ![]() | 1992年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | 30cpq | ショットキー | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 600 mV @ 15 a | 800 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SMZJ3799B-M3/5B | 0.1304 | ![]() | 9539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3799 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | ||||||||||||
![]() | VS-3C1OETOTT-M3 | - | ![]() | 9961 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 112-VS-3C1OETOTT-M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
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