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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
HFA240NJ40C	-	RFQ	9279	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	HFA240	標準		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	244a	1.5 V @ 240 a	120 ns	9 µA @ 400 v
HFA12PA120C	-	RFQ	7193	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	HFA12	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*HFA12PA120C	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	1200 v	6a （DC）	3 V @ 6 a	80 ns	5 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C
SMBZ5929B-E3/5B	0.1676	RFQ	9094	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5929		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 11.4 v				15 V	9オーム
MMSZ5252B-G3-18	0.0409	RFQ	6331	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5252		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 18 V				24 v	33オーム
S5B-M3/57T	0.4200	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S5B	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		標準回復> 500ns		100 V		1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	5a	40pf @ 4V、1MHz
v8pal45hm3/i	-	RFQ	6560	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-221BC	V8Pal45	ショットキー		DO-221BC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000		高速回復= <500ns		45 v		430 mV @ 4 a		1.85 mA @ 45 v	-40°C〜150°C	4a	1400pf @ 4V、1MHz
VS-301U160	-	RFQ	1743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	301U160	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		1600 v		1.22 V @ 942 a		15 mA @ 1600 v	-40°C〜180°C	330A	-
S1AFJ-M3/6A	0.0858	RFQ	7658	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	S1A	標準		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	1.47 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	7.9pf @ 4V、1MHz
RGP30ML-6888E3/72	-	RFQ	8865	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆ボックス（ TB）	廃止					RGP30				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
ES1D-M3/5AT	0.1040	RFQ	3982	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	ES1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		200 v		920 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
VT2080CHM3/4W	-	RFQ	7063	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	VT2080	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VT2080CHM34W	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	10a	810 mv @ 10 a		600 µA @ 80 V	-55°C〜150°C
VBT3045CBP-M3/4W	1.2527	RFQ	4338	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT3045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	570 mV @ 15 a		2 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
FESB16DT-E3/81	1.6900	RFQ	3860	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	FESB16	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 16 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C	16a	175pf @ 4V、1MHz
AZ23C51-G3-08	0.0483	RFQ	9397	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C51		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 38 V				51 v	100オーム
MMBZ5261C-HE3-18	-	RFQ	8904	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5261		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 36 V				47 v	105オーム
V10150CHM3/4W	-	RFQ	3297	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	V10150	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	5a	1.41 V @ 5 a		5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
MMSZ5252B-E3-08	0.2700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5252		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 18 V				24 v	33オーム
MCL448-TR3	0.2200	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	MCL4448	標準		マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1 V @ 100 MA	8 ns	5 µA @ 75 V	175°C （最大）	150ma	4PF @ 0V、1MHz
VS-HFA12PA120C-N3	5.0040	RFQ	5264	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	HFA12	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSHFA12PA120CN3	ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	1200 v	6a	3 V @ 6 a	26 ns	5 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C
au3pdhm3_a/i	0.6765	RFQ	4788	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		200 v		1.9 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1.7a	72pf @ 4V、1MHz
MMSZ5248B-HE3-18	0.0378	RFQ	7261	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5248		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 14 V				18 v	21オーム
VS-10TQ045SHM3	0.9662	RFQ	3181	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	10TQ045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		45 v		570 mV @ 10 a		2 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	10a	900pf @ 5V、1MHz
VSKJ320-12	-	RFQ	5049	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKJ320	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	1200 v	320A			50 mA @ 1200 v
BZG05B47-E3-TR3	-	RFQ	3148	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 36 V				47 v	90オーム
VIT6045CHM3/4W	-	RFQ	9610	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VIT6045	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	30a	640 mV @ 30 a		3 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
SBLB25L20CTHE3/81	-	RFQ	1719	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB25L20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	20 v	12.5a	490 mV @ 12.5 a		900 µA @ 20 V	-55°C〜150°C
vs-6f100m	8.5474	RFQ	5628	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	6F100	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs6f100m	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 19 a			-65°C〜175°C	6a	-
VS-96-1203PBF	-	RFQ	2031	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	チューブ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	50
V10D100C-M3/i	0.9900	RFQ	5846	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V10D100	ショットキー		SMPD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	5a	750 mv @ 5 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
VS-ETU1506STRL-M3	0.7542	RFQ	3111	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	ETU1506	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsetu1506strlm3	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		600 V		1.07 V @ 15 a	210 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²