画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BA779-2-HG3-08 | - | ![]() | 8074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | TO-236-3 | BA779 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 50 Ma | 0.5pf @ 0V 、100MHz | ピン-1ペアシリーズ接続 | 30V | 50OHM @ 1.5MA 、100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | VS-20TQ035SPBF | - | ![]() | 9630 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 20TQ035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS20TQ035SPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 570 mV @ 20 a | 2.7 MA @ 35 v | -55°C〜150°C | 20a | 1400pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-S1629 | - | ![]() | 3563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | チューブ | 廃止 | S1629 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5818-E3/73 | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5818 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mV @ 1 a | 1 mA @ 30 v | -65°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | BAT42W-G3-08 | 0.4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | BAT42 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 650 mv @ 50 ma | 5 ns | 500 NA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 7PF @ 1V、1MHz | |||||||||||||
vs-8eth06pbf | - | ![]() | 2117 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | 8eth06 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.4 V @ 8 a | 25 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | SS14HE3_B/H。 | 0.4400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS14 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | vs-8etx06-1pbf | - | ![]() | 8572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 8etx06 | 標準 | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 8 a | 24 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | W01G-E4/51 | 0.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 円、 wog | W01 | 標準 | wog | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5242C-HE3-18 | 0.0454 | ![]() | 5022 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5242 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZD27C36P-HE3-08 | 0.4200 | ![]() | 751 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27c | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C36 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | BZG03B200TR | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 v | 500オーム | ||||||||||||||||
![]() | vs-e5th1506-m3 | 1.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | E5th1506 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-E5TH1506-M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 15 a | 38 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||
![]() | vs-8etx06fppbf | - | ![]() | 9509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 8etx06 | 標準 | TO-220-2フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 8 a | 24 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | VS-ETU3006-1HM3 | 2.5823 | ![]() | 6605 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | ETU3006 | 標準 | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSETU30061HM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.65 V @ 30 a | 26 ns | 30 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||
![]() | LL4154-M-18 | 0.0305 | ![]() | 8106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | LL4154 | 標準 | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 1 V @ 30 mA | 4 ns | 100 Na @ 25 V | 175°C (最大) | 300mA | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||||||
![]() | AR4PDHM3/86A | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AR4 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.6 V @ 4 a | 140 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 2a | 77pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-1N2138ra | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N2138 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.3 V @ 188 a | 10 mA @ 600 v | -65°C〜200°C | 60a | - | ||||||||||||||
![]() | VS-95PFR120W | 5.8661 | ![]() | 3809 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 95pfr120 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS95PFR120W | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.4 V @ 267 a | -55°C〜180°C | 95a | - | ||||||||||||||
![]() | RGP10JEHE3/53 | - | ![]() | 6624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | FEP6DT-E3/45 | - | ![]() | 3285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | FEP6 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | VSKDL240-14S20 | - | ![]() | 8912 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKDL240 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1400 v | 250a | 1.57 V @ 800 a | 2 µs | 50 mA @ 1400 v | ||||||||||||||
![]() | BZX384B36-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 6548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B36 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5264C-HE3-08 | 0.0454 | ![]() | 4587 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5264 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 46 v | 60 V | 170オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N5395-E3/54 | 0.3700 | ![]() | 207 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N5395 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.4 V @ 1.5 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 1.5a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX384B8V2-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B8V2 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | ||||||||||||||||
![]() | 30CTQ035S | - | ![]() | 4668 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 30ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *30CTQ035S | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 2 MA @ 35 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||
SB540-E3/51 | - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | SB540 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 480 mV @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||||
![]() | uge18act-e3/45 | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | uge18 | 標準 | TO-220-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 18a | 1.2 V @ 20 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | BZX55F30-TR | - | ![]() | 3207 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム |
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