画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CS3K-E3/i | 0.3900 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | CS3 | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 3 a | 2.8 µs | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 2a | 26pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 241NQ045R | - | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D-67ハーフパック | 241NQ045 | ショットキー | D-67ハーフパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 690 mV @ 240 a | 20 mA @ 45 v | 240a | 10300pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZG03B16-M3-08 | 0.2228 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B16 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 12 V | 16 v | 15オーム | |||||||||||
![]() | s4pbhm3_a/i | 0.1980 | ![]() | 1946年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | S4P | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-HFA180NH40PBF | 38.3530 | ![]() | 4150 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67ハーフパック | HFA180 | 標準 | D-67ハーフパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.8 V @ 360 a | 140 ns | 4ma @ 400 v | 395a | - | ||||||||||
![]() | TZM5251F-GS08 | - | ![]() | 6781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5251 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 17 V | 22 v | 600オーム | ||||||||||||
MBR10H100-E3/4W | - | ![]() | 3192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | MBR10 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 770 mV @ 10 a | 4.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 10a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52C3V9-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 3696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C3V9 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3.9 v | 95オーム | |||||||||||||
![]() | BZG05B75-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 2539 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B75 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 56 v | 75 v | 135オーム | |||||||||||
![]() | VS-6EWX06FNTRHM3 | 1.0025 | ![]() | 8583 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 6ewx06 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS6EWX06FNTRHM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.1 V @ 6 a | 21 ns | 20 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||
![]() | BZG05B24-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 7034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B24 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 18 V | 24 v | 25オーム | |||||||||||
![]() | AR1PD-M3/84A | 0.4400 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | AR1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 1 a | 140 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | 12.5pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-88HF100 | 9.6567 | ![]() | 7100 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 88HF100 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS88HF100 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.2 V @ 267 a | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||
![]() | VBT5200-E3/4W | 0.3731 | ![]() | 6003 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT5200 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.6 V @ 5 a | 150 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | vs-4ewh02fnhm3 | 0.5930 | ![]() | 7116 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 4ewh02 | 標準 | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs4ewh02fnhm3 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mV @ 4 a | 20 ns | 3 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 4a | - | ||||||||
![]() | TZM5242F-GS18 | - | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5242 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 600オーム | ||||||||||||
![]() | GDZ2V4B-E3-08 | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | gdz2v4 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | BZG03B82-M3-18 | 0.2228 | ![]() | 8533 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B82 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 62 v | 82 v | 100オーム | |||||||||||
![]() | BZD27B6V8P-HM3-08 | 0.4500 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.06% | 175°C (TJ) | 表面マウント | DO-219AB | 800 MW | do-219ab | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 3 V | 6.8 v | 3オーム | |||||||||||||
BZT52C56-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 3195 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-BZT52C56-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 42 v | 56 v | 135オーム | ||||||||||||||||
![]() | SS14HE3/5AT | - | ![]() | 7426 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS14 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | BZT52C68-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 1121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C68 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 68 v | 200オーム | |||||||||||||
![]() | SS26HE3_A/I | 0.5300 | ![]() | 7652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SS26 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 2 a | 400 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | byg20dhe3_a/i | 0.1419 | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg20 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.4 V @ 1.5 a | 75 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | GLL4747A-E3/96 | 0.3256 | ![]() | 4210 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | GLL4747 | 1 W | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 22オーム | ||||||||||||
![]() | SMPZ3934B-M3/84A | 0.1027 | ![]() | 2851 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-220AA | SMPZ3934 | 500 MW | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 500 NA @ 18.2 v | 24 v | 19オーム | |||||||||||
![]() | TZMC8V2-M-18 | 0.0324 | ![]() | 7186 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC8v2 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | VS-MBRB20100CTGPBF | - | ![]() | 6214 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VSMBRB20100CTGPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZX384B7V5-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 7654 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B7V5 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 1 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | BZT03D56-TAP | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±7.14% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 43 v | 56 v | 60オーム |
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