画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-8EWF02STR-M3 | 2.0160 | ![]() | 8051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 8ewf02 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS8EWF02STRM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.2 V @ 8 a | 55 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||
![]() | BYV29B-400-E3/81 | - | ![]() | 4830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
![]() | BZX55B16-TAP | 0.2200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B16 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||
![]() | plz3v0b-g3/h | 0.2800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3.37% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-219AC | plz3v0 | 960 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 3.12 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | Ar3pdhm3_a/i | 0.4950 | ![]() | 6620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AR3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.6 V @ 3 a | 140 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1.8a | 44pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MMSZ5225C-E3-18 | 0.0433 | ![]() | 1287 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5225 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µA @ 1 V | 3 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | VS-SD553C30S50L | 162.0800 | ![]() | 1641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | クランプオン | do-200ab、b-puk | SD553 | 標準 | do-200ab、b-puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 3000 V | 3.24 V @ 1500 a | 5 µs | 75 mA @ 3000 v | 560a | - | ||||||||||
MMBZ5252B-E3-18 | - | ![]() | 5001 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5252 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | VB40120C-E3/8W | 2.7000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VB40120 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 20a | 880 mV @ 20 a | 500 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | TLZ6V8B-GS08 | 0.2500 | ![]() | 572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ6V8 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 8オーム | |||||||||||
MMBZ4620-HE3-08 | - | ![]() | 1805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4620 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650オーム | |||||||||||||
![]() | S4PMHM3/86A | - | ![]() | 5364 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | S4P | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 4a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MMSZ5257C-E3-08 | 0.3200 | ![]() | 9424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5257 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | ||||||||||||
![]() | VSKE320-16 | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | vske320 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 50 mA @ 1600 v | 320A | - | ||||||||||||
![]() | NSF8JTHE3/45 | - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | NSF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | SS5P6-E3/86A | - | ![]() | 2819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS5P6 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 690 mV @ 5 a | 150 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | CSA2M-E3/i | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CSA2 | 標準 | do-214ac | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 2 a | 2.1 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1.6a | 11pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-401CNQ045PBF | 45.9600 | ![]() | 535 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-244AB | 401CNQ045 | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 400a | 780 mV @ 400 a | 20 mA @ 45 v | |||||||||||
![]() | BZD27B11P-M3-18 | 0.1050 | ![]() | 1304 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム | |||||||||||
MMBZ4706-E3-18 | - | ![]() | 5040 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4706 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 14.4 v | 19 v | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5252B-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 2134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5252 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | ||||||||||||
![]() | SS26-E3/52T | 0.4300 | ![]() | 239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SS26 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 2 a | 400 µA @ 60 V | -65°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | SMZJ3803BHE3/52 | - | ![]() | 7169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ38 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 45オーム | ||||||||||||
![]() | VS-VSKC91/04 | 40.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | VSKC91 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKC9104 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 400 V | 50a | 10 mA @ 400 v | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | 19TQ015STRR | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 19tq015 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 15 V | 360 mV @ 19 a | 1.5 mA @ 15 v | -55°C〜125°C | 19a | - | ||||||||||
BZX84B24-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B24 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 16.8 v | 23.5 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | VS-10ETF06SLHM3 | 2.0700 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 10etf06 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 10 a | 200 ns | 100 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||
![]() | S1G-M3/61T | 0.0522 | ![]() | 5473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S1G | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MMSZ4716-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4716 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 Na @ 29.6 v | 39 v | |||||||||||||
![]() | TZX30A-TR | 0.2300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX30 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 23 V | 30 V | 100オーム |
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