SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
VS-8EWF02STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF02STR-M3 2.0160
RFQ
ECAD 8051 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 8ewf02 標準 d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS8EWF02STRM3 ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 200 v 1.2 V @ 8 a 55 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 8a -
BYV29B-400-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV29B-400-E3/81 -
RFQ
ECAD 4830 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 byv29 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 400 V 1.25 V @ 8 a 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 8a -
BZX55B16-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B16-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、 aec-q101、bzx55 カットテープ(CT) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX55B16 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 100 na @ 12 v 16 v 40オーム
PLZ3V0B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz3v0b-g3/h 0.2800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 plz テープ&リール( tr) アクティブ ±3.37% 150°C (TJ) 表面マウント DO-219AC plz3v0 960 MW do-219ac(microsmf) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 3.12 v 80オーム
AR3PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ar3pdhm3_a/i 0.4950
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN AR3 雪崩 TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 200 v 1.6 V @ 3 a 140 ns 10 µA @ 200 v -55°C〜175°C 1.8a 44pf @ 4V、1MHz
MMSZ5225C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5225C-E3-18 0.0433
RFQ
ECAD 1287 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5225 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 50 µA @ 1 V 3 v 30オーム
VS-SD553C30S50L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD553C30S50L 162.0800
RFQ
ECAD 1641 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 前回購入します クランプオン do-200ab、b-puk SD553 標準 do-200ab、b-puk ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3 標準回復> 500ns 3000 V 3.24 V @ 1500 a 5 µs 75 mA @ 3000 v 560a -
MMBZ5252B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5252B-E3-18 -
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ5252 225 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
VB40120C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40120C-E3/8W 2.7000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 VB40120 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 120 v 20a 880 mV @ 20 a 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C
TLZ6V8B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ6V8B-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 572 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TLZ テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 TLZ6V8 500 MW SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 mA 2 µA @ 4 V 6.8 v 8オーム
MMBZ4620-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4620-HE3-08 -
RFQ
ECAD 1805 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ4620 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 7.5 µA @ 1.5 V 3.3 v 1650オーム
S4PMHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PMHM3/86A -
RFQ
ECAD 5364 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-277、3-POWERDFN S4P 標準 TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 標準回復> 500ns 1000 V 1.1 V @ 4 a 2.5 µs 10 µA @ 1000 v -55°C〜150°C 4a 30pf @ 4V、1MHz
MMSZ5257C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5257C-E3-08 0.3200
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5257 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 100 Na @ 25 V 33 v 58オーム
VSKE320-16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKE320-16 -
RFQ
ECAD 2330 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 シャーシマウント 3-MAGN-A-PAK™ vske320 標準 Magn-A-Pak® ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2 標準回復> 500ns 1600 v 50 mA @ 1600 v 320A -
NSF8JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSF8JTHE3/45 -
RFQ
ECAD 6750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ NSF8 標準 ITO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 8 a 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
SS5P6-E3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P6-E3/86A -
RFQ
ECAD 2819 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SS5P6 ショットキー TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 高速回復= <500ns 60 V 690 mV @ 5 a 150 µA @ 60 V -55°C〜150°C 5a -
CSA2M-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division CSA2M-E3/i 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-214AC、SMA CSA2 標準 do-214ac - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 標準回復> 500ns 1000 V 1.15 V @ 2 a 2.1 µs 5 µA @ 1000 v -55°C〜150°C 1.6a 11pf @ 4V、1MHz
VS-401CNQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-401CNQ045PBF 45.9600
RFQ
ECAD 535 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-244AB 401CNQ045 ショットキー TO-244AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 400a 780 mV @ 400 a 20 mA @ 45 v
BZD27B11P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B11P-M3-18 0.1050
RFQ
ECAD 1304 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27B-M テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 mA 4 µA @ 8.2 v 11 v 7オーム
MMBZ4706-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4706-E3-18 -
RFQ
ECAD 5040 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ4706 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 50 Na @ 14.4 v 19 v
MMSZ5252B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5252B-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 2134 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5252 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
SS26-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26-E3/52T 0.4300
RFQ
ECAD 239 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB SS26 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 750 高速回復= <500ns 60 V 700 mV @ 2 a 400 µA @ 60 V -65°C〜125°C 2a -
SMZJ3803BHE3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3803BHE3/52 -
RFQ
ECAD 7169 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) sicで中止されました ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ38 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 750 5 µA @ 29.7 v 39 v 45オーム
VS-VSKC91/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC91/04 40.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシマウント add-a-pak VSKC91 標準 Add-A-Pak® ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSVSKC9104 ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1ペアシリーズ接続 400 V 50a 10 mA @ 400 v -40°C〜150°C
19TQ015STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19TQ015STRR -
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 19tq015 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 15 V 360 mV @ 19 a 1.5 mA @ 15 v -55°C〜125°C 19a -
BZX84B24-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B24-E3-08 0.2400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX84 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84B24 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 50 Na @ 16.8 v 23.5 v 70オーム
VS-10ETF06SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF06SLHM3 2.0700
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 10etf06 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 600 V 1.2 V @ 10 a 200 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜150°C 10a -
S1G-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1G-M3/61T 0.0522
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA S1G 標準 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,800 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 1.8 µs 1 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 12pf @ 4V、1MHz
MMSZ4716-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4716-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ4716 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 10 Na @ 29.6 v 39 v
TZX30A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX30A-TR 0.2300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、TZX テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 TZX30 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 1 µA @ 23 V 30 V 100オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫