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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-43CTQ080GSTRRP	-	RFQ	1071	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	43CTQ080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS43CTQ080GSTRRP	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	20a	810 mv @ 20 a		360 µA @ 80 V	175°C （最大）
RGP10BE-E3/53	-	RFQ	2426	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TLZ8V2B-GS18	0.0335	RFQ	6037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ8v2		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		7.5 µA @ 7.39 v				8.2 v	8オーム
V12P10-M3/86A	0.9800	RFQ	41	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V12P10	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		100 V		700 mV @ 12 a		250 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	12a	-
S5AHE3/57T	-	RFQ	4730	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	S5a	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	標準回復> 500ns		50 v		1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	5a	40pf @ 4V、1MHz
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MMBZ5265C-HE3-18	-	RFQ	2993	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5265		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 47 v				62 v	185オーム
VS-ETL1506FP-M3	1.5200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	ETL1506	標準		TO-220-2フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSETL1506FPM3	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.07 V @ 15 a	210 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
BZD27C6V8P-E3-08	0.5300	RFQ	7332	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C6V8		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V				6.8 v	3オーム
plz27d-hg3_a/h	0.3600	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ27		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 21 v				27 v	45オーム
VS-60EPU04LHN3	-	RFQ	8956	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	VS-60EPU04	標準		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 60 a	85 ns	50 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	60a	-
VS-16CTQ080S-M3	1.7500	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	16CTQ080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	8a	720 mV @ 8 a		550 µA @ 80 V	-55°C〜175°C
BZG05B36-E3-TR	-	RFQ	9948	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 27 V				36 v	40オーム
TZM5233C-GS08	-	RFQ	7218	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5233		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3.5 v				6 v	7オーム
BZX584C4V3-G3-08	0.3000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000							3 µA @ 1 V				4.3 v	80オーム
byt51g-tr	0.6400	RFQ	5942	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BYT51	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1 a	4 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1.5a	-
FES16BT-E3/45	1.4400	RFQ	606	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	FES16	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		100 V		975 mV @ 16 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	16a	-
VS-12F100M	8.5474	RFQ	6131	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	12F100	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS12F100M	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1000 V		1.47 V @ 600 a			-40°C〜180°C	12a	-
vs-80apf12pbf	-	RFQ	9999	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	80APF12	標準		TO-247AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS80APF12PBF	ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns		1200 v		1.35 V @ 80 a	480 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	80a	-
V40pw10c-m3/i	1.3100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	V40PW10	ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	20a	890 mV @ 20 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
BZG04-120-HM3-18	0.2079	RFQ	9559	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-120		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 120 v				150 v
BZG03B10TR	-	RFQ	5314	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		10 µA @ 7.5 v				10 v	4オーム
S2AHE3_A/H	0.1102	RFQ	5320	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S2A	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	標準回復> 500ns		50 v		1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V、1MHz
VX30202C-M3/p	1.2920	RFQ	6166	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3		ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VX30202C-M3/p	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	15a	840 mV @ 15 a		100 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
v6km120duhm3/h	0.2995	RFQ	2689	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	V6KM120	ショットキー		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	2独立	120 v	3a	820 mV @ 3 a		300 µA @ 120 V	-40°C〜175°C
BZX584C27-HG3-08	0.0532	RFQ	3983	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000							50 Na @ 18.9 v				27 v	25オーム
SE40ND-M3/i	0.5300	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn		標準		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 4 a	1.2 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	4a	24pf @ 4V、1MHz
VS-MBRB3045CTTRLP	-	RFQ	6662	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB30	ショットキー		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRB3045CTTRLP	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	760 mV @ 30 a		1 MA @ 45 v	-55°C〜150°C
TZX11D-TAP	0.0287	RFQ	4718	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX11		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 8.2 v				11 v	25オーム
VS-25CTQ035STRRPBF	-	RFQ	1291	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	25CTQ035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	30a	710 mv @ 30 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²