RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX384B7V5-G3-18	0.0445	RFQ	4441	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B7V5		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1 µA @ 1 V						7.5 v	15オーム
VS-87HFL60S02	10.4273	RFQ	8139	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	87HFL60	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS87HFL60S02	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		600 V		1.2 V @ 267 a			-65°C〜180°C	85a	-
byg24j-e3/tr	0.5300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg24	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		600 V		1.25 V @ 1.5 a	140 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
1N4732A-T	-	RFQ	1505	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4732		1.3 w	DO-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 v	500オーム
BZG03B16-M3-18	0.2228	RFQ	4788	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B16		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 12 V						16 v	15オーム
au3pkhm3/86a	-	RFQ	5192	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		800 V		2.5 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1.4a	42pf @ 4V、1MHz
v3fl45hm3/h	0.3900	RFQ	31	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V3FL45	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		45 v		580 mV @ 3 a		750 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	3a	370pf @ 4V、1MHz
1N5393GPHE3/73	-	RFQ	6181	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N5393	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	標準回復> 500ns		200 v		1.4 V @ 1.5 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
V10K60DUHM3/h	0.3350	RFQ	3025	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	V10K60	ショットキー		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	2独立	60 V	5a	620 mV @ 5 a		400 µA @ 60 V	-40°C〜150°C
vssaf5m15hm3/h	0.4800	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF5M15	ショットキー		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		150 v		1.15 V @ 5 a		180 µA @ 150 v	-40°C〜175°C	5a	290pf @ 4V、1MHz
BZX384C8V2-E3-08	0.2400	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C8V2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							700 na @ 5 v						8.2 v	15オーム
VS-1N3213	-	RFQ	9097	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3213	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		500 V		1.5 V @ 15 a		10 mA @ 500 v	-65°C〜175°C	15a	-
MMSZ5244C-HE3-18	0.0454	RFQ	8954	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5244		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 10 V						14 v	15オーム
MBRD330	-	RFQ	3576	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	MBRD3	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns		30 V		600 mV @ 3 a		200 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	3a	-
SMZG3792B-E3/52	0.2407	RFQ	9982	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMZG3792		1.5 w	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750							5 µA @ 9.9 v						13 v	7.5オーム
VS-45APS16LHM3	3.9300	RFQ	158	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	45aps16	標準		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	標準回復> 500ns		1600 v		1.16 V @ 45 a		100 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C	45a	-
UG06B-E3/54	-	RFQ	5270	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	UG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		100 V		950 mV @ 600 Ma	25 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	600MA	9pf @ 4V、1MHz
VS-20ETF06STRRPBF	-	RFQ	7501	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	20ETF06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		600 V		1.05 V @ 15 a	120 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	20a	-
KBU4M-E4/51	3.3700	RFQ	284	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip 、kbu	KBU4	標準		KBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	KBU4ME451	ear99	8541.10.0080	250					1 V @ 4 a		5 µA @ 1000 v		4 a		単相	1 kV
TZM5246C-GS08	-	RFQ	8610	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5246		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.1 V @ 200 mA		100 na @ 12 v						16 v	17オーム
TLZ5V1B-GS18	0.2500	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ5V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						5.1 v	20オーム
VB30100SG-M3/4W	0.7775	RFQ	2830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB30100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		1 V @ 30 a		350 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	30a	-
MMBZ5246C-HE3-18	-	RFQ	3743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5246		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 12 v						16 v	17オーム
MMSZ5240B-E3-08	0.2700	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5240		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							3 µA @ 8 V						10 v	17オーム
BZD27B43P-E3-08	0.1155	RFQ	8319	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B43		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 33 v						43 v	45オーム
VS-MBRD650CTTRR-M3	0.3353	RFQ	4888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD650	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD650CTTRRM3	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	3a	700 mV @ 3 a		100 µA @ 50 V	-40°C〜150°C
bys12-90he3_a/h	0.1359	RFQ	9080	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	bys12	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		90 v		750 mv @ 1 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
GLL4742-E3/96	0.3053	RFQ	1160	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4742		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500							5 µA @ 9.1 v						12 v	9オーム
byg23mhm3_a/i	0.1601	RFQ	2901	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg23	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		1000 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1.5a	-
ss10p5hm3_a/h。	0.9600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10P5	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		50 v		670 mV @ 7 a		150 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	7a	560pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²