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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZT52B20-HE3_A-08	0.0533	RFQ	1257	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52B20-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 15 V						20 v	50オーム
SS2PH10-E3/85A	-	RFQ	9046	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SS2PH10	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		100 V		800 mV @ 2 a		1 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	65pf @ 4V、1MHz
BZW03C120-TAP	-	RFQ	2072	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.2 V @ 1 a		2 µA @ 91 v						120 v	170オーム
VS-10MQ040HM3/5AT	0.4300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	10MQ040	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		40 v		540 mV @ 1 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	38pf @ 10V、1MHz
1N5222C-TAP	0.0373	RFQ	3018	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5222		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						2.5 v	30オーム
SML4740A-E3/61	0.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4740		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800								10 µA @ 7.6 v						10 v	7オーム
VS-SD200N20PC	69.1300	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	DO-205AC 、DO-30 、スタッド	SD200	標準		DO-205AC （DO-30）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns		2000 v		1.4 V @ 630 a		15 MA @ 2000 v	-40°C〜180°C	200a	-
VS-70HFR140	13.7400	RFQ	54	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	70HFR140	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1400 v		1.46 V @ 220 a		4.5 mA @ 1400 v	-65°C〜150°C	70a	-
AZ23B36-HE3_A-18	-	RFQ	4347	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B36-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							50 Na @ 25.2 v						36 v	90オーム
25CTQ035STRR	-	RFQ	9512	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	25ctq	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	15a	560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜175°C
PTV3.9B-M3/84A	0.4200	RFQ	3964	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV3.9		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.5 V @ 200 mA		20 µA @ 1 V						4.2 v	15オーム
BZD27C3V6P-HE3-18	0.1561	RFQ	8720	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C3V6		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						3.6 v	8オーム
VS-6EWX06FNTRL-M3	0.3800	RFQ	7455	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6ewx06	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS6EWX06FNTRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		600 V		3.1 V @ 6 a	21 ns	20 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	6a	-
ESH2PCHM3/84A	0.4300	RFQ	769	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	ESH2	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		150 v		980 mV @ 2 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-55°C〜175°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
GBPC108-E4/51	-	RFQ	3450	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4 平方、GBPC-1	GBPC108	標準		GBPC1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100						1 V @ 1.5 a		5 µA @ 800 V		2 a		単相	800 V
GBPC106-E4/51	-	RFQ	9038	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4 平方、GBPC-1	GBPC106	標準		GBPC1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100						1 V @ 1.5 a		5 µA @ 600 v		2 a		単相	600 V
LL41-GS08	0.4700	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	LL41	ショットキー		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		100 V		1 V @ 200 mA		100 Na @ 50 V	125°C （最大）	100mA	2PF @ 1V 、1MHz
GSIB2560N-M3/45	2.2333	RFQ	7721	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB2560	標準		GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200						1 V @ 12.5 a		10 µA @ 600 V		25 a		単相	600 V
TZMB3V3-GS08	0.3100	RFQ	55	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMB3V3		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V						3.3 v	90オーム
VS-95-5381PBF	-	RFQ	4798	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	チューブ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	50
G3SBA80-E3/51	0.6996	RFQ	8318	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA80	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1 V @ 2 a		5 µA @ 800 V		2.3 a		単相	800 V
GBL02-E3/51	1.5800	RFQ	73	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBL02	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	400						1.1 V @ 4 a		5 µA @ 200 V		3 a		単相	200 v
G5SBA80-E3/51	0.9108	RFQ	6342	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G5SBA80	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1.05 V @ 3 a		5 µA @ 800 V		2.8 a		単相	800 V
vs-20cwt10fntrl	-	RFQ	6174	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	20CWT10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs20cwt10fntrl	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	890 mV @ 20 a		50 µA @ 100 V	175°C （最大）
DZ23C13-HE3-08	0.0436	RFQ	6253	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通カソード							100 Na @ 10 V						13 v	25オーム
SBL1040CT-E3/45	1.3000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	SBL1040	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	5a	550 mv @ 5 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜125°C
GBPC1202W-E4/51	5.3000	RFQ	8064	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4平方、GBPC-W	GBPC1202	標準		GBPC-W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100						1.1 V @ 6 a		5 µA @ 200 V		12 a		単相	200 v
GBPC1202-E4/51	5.3000	RFQ	191	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、GBPC	GBPC1202	標準		GBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100						1.1 V @ 6 a		5 µA @ 200 V		12 a		単相	200 v
GBPC1206W-E4/51	5.3000	RFQ	8735	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4平方、GBPC-W	GBPC1206	標準		GBPC-W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100						1.1 V @ 6 a		5 µA @ 600 v		12 a		単相	600 V
GBPC1204W-E4/51	3.9033	RFQ	3584	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4平方、GBPC-W	GBPC1204	標準		GBPC-W	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100						1.1 V @ 6 a		5 µA @ 400 V		12 a		単相	400 V

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²