画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LL4154-GS18 | 0.0254 | ![]() | 2769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | LL4154 | 標準 | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 35 v | 1 V @ 30 mA | 4 ns | 100 Na @ 25 V | 175°C (最大) | 300mA | 4PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-16CTQ060GSTRLP | - | ![]() | 7781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 16CTQ060 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | VS16CTQ060GSTRLP | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 8a | 880 mV @ 16 a | 280 µA @ 60 V | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | RGP02-17E-E3/53 | - | ![]() | 5252 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1700 v | 1.8 V @ 100 MA | 300 ns | 5 µA @ 1700 v | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||||||||
![]() | SS1H9HE3/5AT | - | ![]() | 9297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS1H9 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 770 mV @ 1 a | 1 µA @ 90 V | 175°C (最大) | 1a | - | |||||||||||
![]() | BZT03D36-TR | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5.56% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | RGL41AHE3/97 | - | ![]() | 3348 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | RGL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | rgl41ahe3_a/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | UH2D-M3/5BT | - | ![]() | 6182 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | uh2 | 標準 | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 2 a | 40 ns | 2 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 2a | 42pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | byg10m-m3/tr3 | 0.1568 | ![]() | 3404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg10 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | VS-12CWQ10FNTRRPBF | - | ![]() | 8805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 12CWQ10 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 6a | 800 mV @ 6 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-65APS16LHM3 | 5.6200 | ![]() | 8070 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 65APS16 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.17 V @ 65 a | 100 µA @ 1600 V | -40°C〜150°C | 65a | - | |||||||||||
![]() | gdz5v6b-he3-08 | 0.2800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、gdz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | gdz5v6 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | GP10DE-E3/54 | 0.1840 | ![]() | 4526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | bav100-gs08 | 0.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | bav100 | 標準 | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 100 MA | 50 ns | 100 Na @ 50 V | 175°C (最大) | 250ma | 1.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX884B15L-HG3-08 | 0.3600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | 300 MW | DFN1006-2A | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | rs2dhe3_a/i | 0.1650 | ![]() | 1964年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | RS2D | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZG03C82-HM3-08 | 0.5200 | ![]() | 5968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.1% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C82 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 62 v | 82 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | ESH3C-M3/57T | 0.2454 | ![]() | 9820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ESH3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 150 v | 900 mV @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 3a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | byt51j-tr | 0.2772 | ![]() | 7075 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BYT51 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 4 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 1.5a | - | ||||||||||
BZT52B20-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 300 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-BZT52B20-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 15 V | 20 v | 50オーム | |||||||||||||||||
![]() | SS2PH10-E3/85A | - | ![]() | 9046 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-220AA | SS2PH10 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 800 mV @ 2 a | 1 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 2a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZW03C120-TAP | - | ![]() | 2072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 91 v | 120 v | 170オーム | ||||||||||||
![]() | VS-10MQ040HM3/5AT | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 10MQ040 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 540 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 38pf @ 10V、1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5222C-TAP | 0.0373 | ![]() | 3018 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5222 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.5 v | 30オーム | ||||||||||||
![]() | SML4740A-E3/61 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4740 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | |||||||||||||
VS-SD200N20PC | 69.1300 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | DO-205AC 、DO-30 、スタッド | SD200 | 標準 | DO-205AC (DO-30) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 1.4 V @ 630 a | 15 MA @ 2000 v | -40°C〜180°C | 200a | - | ||||||||||||
![]() | VS-70HFR140 | 13.7400 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 70HFR140 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.46 V @ 220 a | 4.5 mA @ 1400 v | -65°C〜150°C | 70a | - | |||||||||||
AZ23B36-HE3_A-18 | - | ![]() | 4347 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-AZ23B36-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | 25CTQ035STRR | - | ![]() | 9512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 25ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 560 mV @ 15 a | 1.75 mA @ 35 v | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | PTV3.9B-M3/84A | 0.4200 | ![]() | 3964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C | 表面マウント | DO-220AA | PTV3.9 | 600 MW | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 20 µA @ 1 V | 4.2 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | BZD27C3V6P-HE3-18 | 0.1561 | ![]() | 8720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27c | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C3V6 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 8オーム |
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