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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
LL4154-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4154-GS18 0.0254
RFQ
ECAD 2769 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 LL4154 標準 SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 35 v 1 V @ 30 mA 4 ns 100 Na @ 25 V 175°C (最大) 300mA 4PF @ 0V、1MHz
VS-16CTQ060GSTRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ060GSTRLP -
RFQ
ECAD 7781 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 16CTQ060 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) VS16CTQ060GSTRLP ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 8a 880 mV @ 16 a 280 µA @ 60 V 150°C (最大)
RGP02-17E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17E-E3/53 -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&ボックス( TB) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP02 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1700 v 1.8 V @ 100 MA 300 ns 5 µA @ 1700 v -65°C〜175°C 500mA -
SS1H9HE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H9HE3/5AT -
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-214AC、SMA SS1H9 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 90 v 770 mV @ 1 a 1 µA @ 90 V 175°C (最大) 1a -
BZT03D36-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D36-TR -
RFQ
ECAD 8244 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZT03 テープ&リール( tr) 廃止 ±5.56% 175°C (TJ) 穴を通して SOD-57 、軸 BZT03 1.3 w SOD-57 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 27 V 36 v 40オーム
RGL41AHE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41AHE3/97 -
RFQ
ECAD 3348 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) RGL41 標準 DO-213AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない rgl41ahe3_a/i ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 50 v 1.3 V @ 1 a 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
UH2D-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2D-M3/5BT -
RFQ
ECAD 6182 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-214AA、SMB uh2 標準 do-214aa - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,200 高速回復= <500ns 200 v 1.05 V @ 2 a 40 ns 2 µA @ 200 v -55°C〜175°C 2a 42pf @ 4V、1MHz
BYG10M-M3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10m-m3/tr3 0.1568
RFQ
ECAD 3404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA byg10 雪崩 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 標準回復> 500ns 1000 V 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1.5a -
VS-12CWQ10FNTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ10FNTRRPBF -
RFQ
ECAD 8805 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント to-252-3 12CWQ10 ショットキー d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 6a 800 mV @ 6 a 1 MA @ 100 V -55°C〜150°C
VS-65APS16LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65APS16LHM3 5.6200
RFQ
ECAD 8070 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 65APS16 標準 to-247ad(to-3p) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 1600 v 1.17 V @ 65 a 100 µA @ 1600 V -40°C〜150°C 65a -
GDZ5V6B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gdz5v6b-he3-08 0.2800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、gdz テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 gdz5v6 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 2.5 v 5.6 v 60オーム
GP10DE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10DE-E3/54 0.1840
RFQ
ECAD 4526 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 GP10 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,500 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 1 a 3 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V、1MHz
BAV100-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bav100-gs08 0.2100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 bav100 標準 SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 2,500 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 100 MA 50 ns 100 Na @ 50 V 175°C (最大) 250ma 1.5pf @ 0V、1MHz
BZX884B15L-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX884B15L-HG3-08 0.3600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント 0402 (1006メトリック) 300 MW DFN1006-2A ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 10.5 v 15 V 30オーム
RS2DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs2dhe3_a/i 0.1650
RFQ
ECAD 1964年年 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB RS2D 標準 do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,200 高速回復= <500ns 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1.5a 20pf @ 4V、1MHz
BZG03C82-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C82-HM3-08 0.5200
RFQ
ECAD 5968 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZG03C-M テープ&リール( tr) アクティブ ±6.1% 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG03C82 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 62 v 82 v 100オーム
ESH3C-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH3C-M3/57T 0.2454
RFQ
ECAD 9820 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc ESH3 標準 do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 850 高速回復= <500ns 150 v 900 mV @ 3 a 40 ns 5 µA @ 150 v -55°C〜175°C 3a 70pf @ 4V、1MHz
BYT51J-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt51j-tr 0.2772
RFQ
ECAD 7075 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して SOD-57 、軸 BYT51 雪崩 SOD-57 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 4 µs 1 µA @ 600 V -55°C〜175°C 1.5a -
BZT52B20-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B20-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 1257 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZT52 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 300 MW SOD-123 ダウンロード 112-BZT52B20-HE3_A-08TR ear99 8541.10.0050 15,000 100 Na @ 15 V 20 v 50オーム
SS2PH10-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH10-E3/85A -
RFQ
ECAD 9046 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-220AA SS2PH10 ショットキー DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 100 V 800 mV @ 2 a 1 µA @ 100 V -55°C〜175°C 2a 65pf @ 4V、1MHz
BZW03C120-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C120-TAP -
RFQ
ECAD 2072 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZW03 テープ&ボックス( TB) 廃止 ±5% -65°C〜175°C 穴を通して SOD-64 、軸 BZW03 1.85 w SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 a 2 µA @ 91 v 120 v 170オーム
VS-10MQ040HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10MQ040HM3/5AT 0.4300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 10MQ040 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 40 v 540 mV @ 1 a 500 µA @ 40 V -55°C〜150°C 1a 38pf @ 10V、1MHz
1N5222C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5222C-TAP 0.0373
RFQ
ECAD 3018 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&ボックス( TB) アクティブ ±2% -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5222 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 mA 100 µA @ 1 V 2.5 v 30オーム
SML4740A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4740A-E3/61 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 150°C 表面マウント DO-214AC、SMA SML4740 1 W do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,800 10 µA @ 7.6 v 10 v 7オーム
VS-SD200N20PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD200N20PC 69.1300
RFQ
ECAD 5221 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ スタッドマウント DO-205AC 、DO-30 、スタッド SD200 標準 DO-205AC (DO-30) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 2000 v 1.4 V @ 630 a 15 MA @ 2000 v -40°C〜180°C 200a -
VS-70HFR140 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR140 13.7400
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 70HFR140 標準、逆極性 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1400 v 1.46 V @ 220 a 4.5 mA @ 1400 v -65°C〜150°C 70a -
AZ23B36-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B36-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 4347 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、AZ23 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 300 MW SOT-23-3 ダウンロード 112-AZ23B36-HE3_A-18TR ear99 8541.10.0050 1 1ペア共通アノード 50 Na @ 25.2 v 36 v 90オーム
25CTQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 25CTQ035STRR -
RFQ
ECAD 9512 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 25ctq ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 15a 560 mV @ 15 a 1.75 mA @ 35 v -55°C〜175°C
PTV3.9B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV3.9B-M3/84A 0.4200
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ ±6% 150°C 表面マウント DO-220AA PTV3.9 600 MW DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 V @ 200 mA 20 µA @ 1 V 4.2 v 15オーム
BZD27C3V6P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C3V6P-HE3-18 0.1561
RFQ
ECAD 8720 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzd27c テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C3V6 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 mA 100 µA @ 1 V 3.6 v 8オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫