画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZD27C120P-HE3-18 | 0.1660 | ![]() | 4204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27c | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C120 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120 v | 250オーム | ||||||||||||
![]() | TZM5249B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5249 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||
![]() | VS-60CPU04-N3 | 8.1300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 60CPU04 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 30a | 1.3 V @ 30 a | 65 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
BY251GP-E3/54 | - | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | by251 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 3 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | 10etf04strl | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 10etf04 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 10 a | 145 ns | 100 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | 1N5266B-T | - | ![]() | 7185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5266 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1N5266B-TGI | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 52 v | 68 v | 1600オーム | ||||||||||||
![]() | vss8d3m6hm3/i | 0.4300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | S8D3 | ショットキー | Slimsmaw | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 490 mV @ 1.5 a | 300 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 2.5a | 500pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | uh6pdhm3_a/i | - | ![]() | 5026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | uh6 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 6 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 6a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT52C6V2-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C6V2 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 4.8オーム | |||||||||||||
![]() | VS-80SQ035TR | - | ![]() | 3385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-204ar、軸 | 80SQ035 | ショットキー | do-204ar | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 35 v | 530 mv @ 8 a | 2 MA @ 35 v | -55°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | US1AHE3/61T | - | ![]() | 8159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX55F2V7-TAP | - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 2.7 v | 85オーム | ||||||||||||
![]() | ZMM5221B-7 | - | ![]() | 9890 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | MMSZ5244BB-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 9510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5244 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 10 V | 14 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | SE15FJ-M3/i | 0.0781 | ![]() | 3556 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SE15 | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.05 V @ 1.5 a | 900 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 1.5a | 10.5pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZG05C22-M3-08 | 0.3900 | ![]() | 8140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.68% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C22 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 16 V | 22 v | 25オーム | ||||||||||||
VS-12TQ045PBF | - | ![]() | 5753 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | 12TQ045 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 560 mV @ 15 a | 1.75 mA @ 45 v | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||
GI1403-E3/45 | 0.5298 | ![]() | 1781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | GI1403 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||
uge5jt-e3/45 | - | ![]() | 2654 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | uge5 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.75 V @ 5 a | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||
![]() | SE10DG-M3/i | 0.8900 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SE10 | 標準 | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.15 V @ 10 a | 3 µs | 15 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | 67pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | rgl41khe3_a/i | - | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | RGL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | 影響を受けていない | rgl41khe3_b/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | GDZ2V7B-HG3-08 | 0.0509 | ![]() | 5418 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、GDZ-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ2V7 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 µA @ 1 V | 2.7 v | 110オーム | |||||||||||||
![]() | ES3G-E3/9AT | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3G | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
AZ23C2V7-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C2V7 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 2.7 v | 83オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-ETX1506STRR-M3 | 0.7542 | ![]() | 8574 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | ETX1506 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSETX1506STRRM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.4 V @ 15 a | 20 ns | 36 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
82CNQ030ASM | - | ![]() | 1069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | D-61-8-SM | 82CNQ | ショットキー | D-61-8-SM | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *82CNQ030ASM | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 40a | 550 mv @ 80 a | 5 ma @ 30 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | UB30BCT-E3/8W | - | ![]() | 1481 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UB30 | 標準 | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 1.05 V @ 15 a | 45 ns | 20 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | au1pmhm3/84a | 0.7600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | au1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.85 V @ 1 a | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜175°C | 1a | 7.5pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | GP10-4003HM3/73 | - | ![]() | 7787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | GDZ3V3B-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ3V3 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 3.3 v | 120オーム |
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