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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-301U160	-	RFQ	1743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	301U160	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		1600 v		1.22 V @ 942 a		15 mA @ 1600 v	-40°C〜180°C	330A	-
MBRB4045CTTRL	-	RFQ	4799	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB40	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	20a	600 mV @ 20 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜150°C
GI250-3-M3/54	-	RFQ	6710	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して		GI250				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500
MMSZ5249B-HE3-08	0.0378	RFQ	5242	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5249		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 14 V				19 v	23オーム
AS1PD-M3/85A	0.2393	RFQ	1867年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	AS1	雪崩		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	標準回復> 500ns		200 v		1.15 V @ 1.5 a	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	1.5a	10.4pf @ 4V、1MHz
gp10dehe3/54	-	RFQ	2664	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
MBR1050-E3/45	-	RFQ	9236	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR105	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		50 v		800 mV @ 10 a		100 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	10a	-
vs-6fr100m	8.5474	RFQ	5467	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	6FR100	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs6fr100m	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 19 a			-65°C〜175°C	6a	-
byt56j-tr	0.5247	RFQ	1080	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	BYT56	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,500	高速回復= <500ns		600 V		1.4 V @ 3 a	100 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	3a	-
VS-88HF60	9.1919	RFQ	1037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	88HF60	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS88HF60	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		600 V		1.2 V @ 267 a			-65°C〜180°C	85a	-
RGP10A-M3/73	-	RFQ	3200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BY229X-600-E3/45	-	RFQ	7393	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	BY229	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.85 V @ 20 a	145 ns	10 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	8a	-
MMBZ5226B-HE3-18	-	RFQ	2775	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5226		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							25 µA @ 1 V				3.3 v	28オーム
SL43HE3/57T	-	RFQ	2740	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	SL43	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		30 V		420 mV @ 4 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	4a	-
SBLB1630CT-E3/45	-	RFQ	2653	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB1630	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	8a	550 mv @ 8 a		500 µA @ 30 V	-40°C〜125°C
BAT46W-E3-18	0.3900	RFQ	39	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	BAT46	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		100 V		1 V @ 250 Ma		5 µA @ 75 V	125°C （最大）	150ma	6PF @ 1V 、1MHz
v10pm10hm3/i	0.3795	RFQ	5224	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v10pm10	ショットキー		TO-277A	ダウンロード			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		100 V		750 mv @ 10 a		120 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	10a	-
BZT52B8V2-HE3-18	0.0436	RFQ	3773	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B8V2		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 6 v				8.2 v	4.5オーム
BZX384C3V3-G3-18	0.2900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C3V3		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 1 V				3.3 v	95オーム
MSE1PJHM3J/89A	1.2800	RFQ	26	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	MSE1	標準		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	780 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	1a	5PF @ 4V、1MHz
VS-MURB2020CT-M3	1.0400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	murb2020	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-MURB2020CT-M3GI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	1.15 V @ 16 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C
vs-50wq06fntrrpbf	-	RFQ	3393	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	50WQ06	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		60 V		570 mV @ 5 a		3 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	5.5a	360pf @ 5V、1MHz
FES8GT-E3/45	1.1200	RFQ	387	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	FES8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	8a	-
VS-200CNQ045PBF	50.0010	RFQ	4420	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB	200CNQ045	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	200a	550 mV @ 100 a		10 mA @ 45 v
v1pm15hm3/h	0.3800	RFQ	31	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	V1PM15	ショットキー		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns		150 v		1.21 V @ 1 a		50 µA @ 150 v	-40°C〜175°C	1a	65pf @ 4V、1MHz
VS-MUR1620CT-M3	1.0600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MUR1620	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	8a	975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
30CPQ040	-	RFQ	5843	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30cpq	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	15a	540 mV @ 15 a		1.75 MA @ 40 V	-55°C〜150°C
murd620cttrr	-	RFQ	2514	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	Murd620	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3a	1.2 V @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
ES2A-E3/5BT	0.1574	RFQ	9360	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ES2A	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		50 v		900 mV @ 2 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	2a	18pf @ 4V、1MHz
vs-murb820trlpbf	-	RFQ	9433	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	murb820	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 8 a	20 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²