RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZD27B12P-HE3-08	0.1238	RFQ	8691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.2 V @ 200 mA		3 µA @ 9.1 v				12 v	7オーム
SS33HE3/57T	-	RFQ	4185	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	SS33	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 3 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	3a	-
byq28eb-200he3_a/i	-	RFQ	9501	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	byq28	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	5a	1.1 V @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 v	-40°C〜150°C
GLL4762-E3/96	0.3053	RFQ	8429	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4762		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500							5 µA @ 62.2 v				82 v	200オーム
MMSZ5234B-G3-08	0.3100	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5234		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							5 µA @ 4 V				6.2 v	7オーム
FGP10D-E3/73	-	RFQ	2374	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	FGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 1 a	35 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 4V、1MHz
BZT03C110-TAP	0.6400	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	カットテープ（CT）	アクティブ	±5.45％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C110		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 82 v				110 v	250オーム
BZD27C15P-M3-08	0.4500	RFQ	8769	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 11 v				15 V	10オーム
HFA320NJ40C	-	RFQ	1709	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	HFA320	標準		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	321a dc）	1.55 V @ 320 a	140 ns	12 µA @ 400 v
BYG22A-M3/TR3	0.1898	RFQ	2042	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg22	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		50 v		1.1 V @ 2 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	-
VLZ10C-GS18	-	RFQ	1121	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ10		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 9.22 v				9.95 v	8オーム
U10BCT-E3/4W	-	RFQ	6434	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	U10	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	5a	1.1 V @ 5 a	25 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
SB040-E3/53	-	RFQ	2050	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	SB040	ショットキー		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		40 v		550 mV @ 600 Ma		500 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	600MA	-
VS-31DQ06	-	RFQ	5012	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	31DQ06	ショットキー		C-16	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns		60 V		620 mv @ 3 a		2 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	3.3a	-
BZT52B33-E3-08	0.0415	RFQ	3286	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B33		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 25 V				33 v	80オーム
BZX84B3V0-HE3_A-08	-	RFQ	1997年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84B3V0-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 1 V				3 v	95オーム
BZG05B5V6-E3-TR	-	RFQ	1457	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1.96％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 2 V				5.6 v	7オーム
byg20ghm3_a/h	0.1568	RFQ	2595	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg20	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		400 V		1.4 V @ 1.5 a	75 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
GLL4745A-E3/97	0.3168	RFQ	1007	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4745		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 12.2 v				16 v	16オーム
SD103CW-HE3-18	0.0570	RFQ	2936	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	SD103	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		20 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	350ma	50pf @ 0V、1MHz
S1PJ-M3/84A	0.3900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
VS-40EPF06-M3	6.8100	RFQ	500	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	40EPF06	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns		600 V		1.25 V @ 40 a	180 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	40a	-
VS-VSKE270-20	-	RFQ	2497	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKE270	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns		2000 v						270a	-
EGP30GHE3/73	-	RFQ	6453	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-201AA	EGP30	標準		GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 3 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	-
VS-16F120	7.4400	RFQ	3601	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	16F120	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1200 v		1.23 V @ 50 a		12 mA @ 1200 v	-65°C〜175°C	16a	-
GP10QE-M3/54	-	RFQ	8851	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		1200 v		1.2 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1200 v	-65°C〜150°C	1a	7pf @ 4V、1MHz
SE15PB-M3/84A	0.3600	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SE15	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		100 V		1.05 V @ 1.5 a	900 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	1.5a	9.5pf @ 4V、1MHz
1N4756A-TR	0.3600	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4756		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 35.8 v				47 v	80オーム
VS-80-7844	-	RFQ	1741	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7844				-				112-VS-80-7844			1
P600G-E3/73	0.9000	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	P600 、軸	P600	標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	300	標準回復> 500ns		400 V		900 mV @ 6 a	2.5 µs	5 µA @ 400 V	-50°C〜150°C	6a	150pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²