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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
GI856-E3/73	-	RFQ	6016	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	GI856	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns			600 V		1.25 V @ 3 a	200 ns	10 µA @ 600 V	-50°C〜150°C	3a	28pf @ 4V、1MHz
MMSZ4691-HE3-18	0.0378	RFQ	8672	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4691		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									10 µA @ 5 V						6.2 v
GPP60G-E3/54	-	RFQ	2387	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	P600 、軸	gpp60	標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		標準回復> 500ns			400 V		1.1 V @ 6 a	5.5 µs	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	6a	-
BZW03C7V5-TAP	-	RFQ	3729	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500							1.2 V @ 1 a		1.5 mA @ 5.6 v						7.5 v	1.5オーム
MMSZ4704-G3-18	0.0409	RFQ	1210	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4704		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									50 Na @ 12.9 v						17 v
v20pw60c-m3/i	1.0700	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	V20PW60	ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	10a	640 mV @ 10 a		1.5 mA @ 60 v	-40°C〜150°C
VS-30WQ10FNTR-M3	0.6500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	30wq10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns			100 V		810 mv @ 3 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C	3.5a	92pf @ 5V、1MHz
VS-3C16ET07T-M3	7.1100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2		sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-3C16ET07T-M3	ear99	8541.10.0080	50		回復時間なし> 500ma			650 V		1.5 V @ 16 a	0 ns	85 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	16a	700pf @ 1V、1MHz
BZG03B91-M3-08	0.2228	RFQ	6059	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B91		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000							1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 68 v						91 v	200オーム
AZ23B7V5-E3-18	0.0509	RFQ	3060	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B7V5		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード								100 Na @ 5 V						7.5 v	7オーム
S1PAHE3/84A	-	RFQ	7729	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準		DO-220AA	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns			50 v		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	-
VS-63CPQ100GPBF	-	RFQ	9374	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	63CPQ100	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS63CPQ100GPBF	ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	100 V	30a	920 mv @ 60 a		300 µA @ 100 V	175°C （最大）
BZG05C100TR	-	RFQ	5684	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000							1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 75 V						100 V	3000オーム
BAL99-HE3-08	0.0312	RFQ	1665	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAL99	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000		高速回復= <500ns			70 v		1.25 V @ 150 MA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	-55°C〜150°C	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
VLZ22-GS18	-	RFQ	9657	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ22		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 mA								22 v	30オーム
MBRB1035HE3/81	-	RFQ	9577	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB10	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns			35 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	10a	-
GLL4737A-E3/97	0.3168	RFQ	9955	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4737		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000									10 µA @ 5 V						7.5 v	4オーム
BA782S-G3-18	-	RFQ	4043	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		SC-76、SOD-323	BA782			SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000			100 Ma									1.25pf @ 3V、1MHz	標準 -シングル	35V			700mohm @ 3ma、1GHz
BA782-HE3-08	-	RFQ	9323	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		SOD-123	BA782			SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000			100 Ma									1.25pf @ 3V、1MHz	ピン -シングル	35V			700mohm @ 3ma、1GHz
murs120he3_a/h	0.1815	RFQ	4602	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS120	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns			200 v		875 mV @ 1 a	35 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	2a	-
MMBZ5237C-G3-08	-	RFQ	1447	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5237		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000									3 µA @ 6.5 v						8.2 v	8オーム
BZT52C5V1-G3-08	0.3100	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C5V1		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000									100 Na @ 800 mV						5.1 v	30オーム
VS-MURB1520TRR-M3	0.5627	RFQ	6152	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	murb1520	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns			200 v		1.05 V @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	15a	-
TZMC6V8-GS18	0.2300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC6V8		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 3 V						6.8 v	8オーム
VLZ6V2B-GS08	-	RFQ	7774	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz6v2		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500							1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 4 V						6.12 v	10オーム
20ETF04	-	RFQ	4491	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	20ETF04	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns			400 V		1.3 V @ 20 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	20a	-
VFT3080C-M3/4W	0.8250	RFQ	7458	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VFT3080	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	80 v	15a	820 mv @ 15 a		700 µA @ 80 V	-55°C〜150°C
VS-VSHPS1474	-	RFQ	5708	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止									-				112-VS-VSHPS1474	廃止		1
bav19-tap	0.0274	RFQ	4824	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	bav19	標準		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	50,000		高速回復= <500ns			100 V		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 100 V	175°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
GP10T-M3/73	-	RFQ	2208	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns			1300 v		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1300 v	-65°C〜150°C	1a	5PF @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²