画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52B9V1-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 2459 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B9V1 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | 40L15cts | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 40L15 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 15 V | 20a | 410 mv @ 19 a | 10 ma @ 15 v | -55°C〜125°C | ||||||||||||||
![]() | smzj3803bhm3_a/h。 | 0.5000 | ![]() | 3672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3803 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 45オーム | ||||||||||||||||
UG06C-E3/54 | - | ![]() | 7987 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | mpg06 、軸 | UG06 | 標準 | MPG06 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mV @ 600 Ma | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 600MA | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | se20pajhm3/i | 0.4100 | ![]() | 6745 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | se20 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.05 V @ 2 a | 1.2 µs | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 1.6a | 13pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-60EPU06L-N3 | 3.0600 | ![]() | 462 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 60EPU06 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-60EPU06L-N3 | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.68 V @ 60 a | 81 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||||
![]() | BZD27B47P-HE3-18 | 0.1238 | ![]() | 5587 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27b | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B47 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 36 V | 47 v | 45オーム | |||||||||||||||
![]() | GF1B-E3/5CA | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214BA | GF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | BZG03C240TR3 | - | ![]() | 9940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03C | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 180 v | 240 v | 850オーム | |||||||||||||||
![]() | VLZ3V0B-GS08 | - | ![]() | 9962 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | vlz3v0 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.12 v | 70オーム | |||||||||||||||
![]() | 20ETF08STRR | - | ![]() | 2038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 20ETF08 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.31 V @ 20 a | 400 ns | 100 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||||
![]() | VSB3200S-M3/54 | - | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | B3200 | ショットキー | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSB3200SM354 | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.4 V @ 3 a | 50 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 3a | 170pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | SF5402-TR | 0.5544 | ![]() | 6305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | SF5402 | 標準 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.1 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||
GP30JHE3/73 | - | ![]() | 5522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GP30 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 3 a | 5 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | UGF12HT-E3/45 | - | ![]() | 9750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | UGF12 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.75 V @ 12 a | 50 ns | 30 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||||
![]() | VS-25ets12S2LHM3 | 1.8458 | ![]() | 2443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VS-25ETS12S2LHM3TR | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.14 V @ 25 a | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜175°C | 25a | - | ||||||||||||||||
![]() | BZD27C51P-M-08 | - | ![]() | 4692 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C51 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | se10dljhm3/i | 1.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1 V @ 10 a | 280 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 3.6a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5266B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 7242 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5266 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 52 v | 68 v | 230オーム | ||||||||||||||||
![]() | VT2080C-E3/4W | 0.6691 | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | VT2080 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VT2080CE34W | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 10a | 810 mv @ 10 a | 600 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | vssaf522-m3/i | 0.2470 | ![]() | 1911年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | ショットキー | DO-221AC(スリムスマ) | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VSSAF522-M3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 5 a | 50 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | 2a | 240pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | VS-HFA08TB120STRLP | - | ![]() | 1547 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | HFA08 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 8a(dc) | 3.3 V @ 8 a | 95 ns | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | BZG05C75-E3-TR | - | ![]() | 7344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 56 v | 75 v | 135オーム | |||||||||||||||
![]() | BZD27B39P-M3-18 | 0.1155 | ![]() | 3610 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B39 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | BA479S-TAP | 0.1568 | ![]() | 9514 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 125°C (TJ) | do-204ah do-35 、軸 | BA479 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 50 Ma | 0.5pf @ 0V 、100MHz | ピン -シングル | 30V | 50OHM @ 1.5MA 、100MHz | |||||||||||||||||
![]() | GP10T-M3/73 | - | ![]() | 2208 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1300 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1300 v | -65°C〜150°C | 1a | 5PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VLZ22-GS18 | - | ![]() | 9657 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ22 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 22 v | 30オーム | ||||||||||||||||
![]() | GSIB6A60L-803E3/45 | - | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB6 | 標準 | GSIB-5S | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 2.8 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | FGP10CHE3/54 | - | ![]() | 9128 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | FGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
BAL99-HE3-08 | 0.0312 | ![]() | 1665 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAL99 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 高速回復= <500ns | 70 v | 1.25 V @ 150 MA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | 250ma | 1.5pf @ 0V、1MHz |
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