画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MBR1050-E3/45 | - | ![]() | 9236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | MBR105 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | vs-6fr100m | 8.5474 | ![]() | 5467 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 6FR100 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs6fr100m | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 19 a | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | byt56j-tr | 0.5247 | ![]() | 1080 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BYT56 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 3 a | 100 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||
![]() | VS-88HF60 | 9.1919 | ![]() | 1037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 88HF60 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS88HF60 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 267 a | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||
![]() | RGP10A-M3/73 | - | ![]() | 3200 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BY229X-600-E3/45 | - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BY229 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.85 V @ 20 a | 145 ns | 10 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
MMBZ5226B-HE3-18 | - | ![]() | 2775 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5226 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | |||||||||||||
![]() | SL43HE3/57T | - | ![]() | 2740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | SL43 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 30 V | 420 mV @ 4 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 4a | - | ||||||||||
![]() | SBLB1630CT-E3/45 | - | ![]() | 2653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | SBLB1630 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 8a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 30 V | -40°C〜125°C | ||||||||||
![]() | BAT46W-E3-18 | 0.3900 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | BAT46 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 250 Ma | 5 µA @ 75 V | 125°C (最大) | 150ma | 6PF @ 1V 、1MHz | ||||||||||
![]() | v10pm10hm3/i | 0.3795 | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | v10pm10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 750 mv @ 10 a | 120 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||
![]() | BZT52B8V2-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 3773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B8V2 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 6 v | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||||
![]() | SMZJ3802BHE3/52 | - | ![]() | 4202 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ38 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 27.4 v | 36 v | 38オーム | ||||||||||||
![]() | BZX384C3V3-G3-18 | 0.2900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C3V3 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||
![]() | MSE1PJHM3J/89A | 1.2800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | MicroSMP | MSE1 | 標準 | microSMP (DO-219AD) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 780 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 1a | 5PF @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-MURB2020CT-M3 | 1.0400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | murb2020 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-MURB2020CT-M3GI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.15 V @ 16 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | ||||||||
![]() | vs-50wq06fntrrpbf | - | ![]() | 3393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 50WQ06 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 570 mV @ 5 a | 3 ma @ 60 v | -40°C〜150°C | 5.5a | 360pf @ 5V、1MHz | ||||||||||
FES8GT-E3/45 | 1.1200 | ![]() | 387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | FES8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | VS-200CNQ045PBF | 50.0010 | ![]() | 4420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-244AB | 200CNQ045 | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 200a | 550 mV @ 100 a | 10 mA @ 45 v | |||||||||||
![]() | v1pm15hm3/h | 0.3800 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | MicroSMP | V1PM15 | ショットキー | microSMP (DO-219AD) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.21 V @ 1 a | 50 µA @ 150 v | -40°C〜175°C | 1a | 65pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-MUR1620CT-M3 | 1.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | MUR1620 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 8a | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | 30CPQ040 | - | ![]() | 5843 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | 30cpq | ショットキー | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 15a | 540 mV @ 15 a | 1.75 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | murd620cttrr | - | ![]() | 2514 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | Murd620 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 3a | 1.2 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | ES2A-E3/5BT | 0.1574 | ![]() | 9360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES2A | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 50 v | 900 mV @ 2 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 2a | 18pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | vs-murb820trlpbf | - | ![]() | 9433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | murb820 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 8 a | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||
![]() | IRKD196/04 | - | ![]() | 3615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | int-a-pak | IRKD196 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRKD196/04 | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 400 V | 195a | 20 mA @ 400 v | |||||||||||
![]() | VS-MURB2020CTRHM3 | 1.2182 | ![]() | 3410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | murb2020 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSMURB2020CTRHM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 21 ns | 15 µa @ 200 v | -65°C〜175°C | ||||||||
![]() | se20pghm3/85a | 0.1048 | ![]() | 2831 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | se20 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.05 V @ 2 a | 1.2 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1.6a | 13pf @ 4V、1MHz | |||||||||
BAS40L-G3-08 | 0.3000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | BAS40 | ショットキー | DFN1006-2A | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 1 V @ 40 mA | 10 µA @ 40 V | 150°C | 200mA | 2.9pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZD27C120P-HE3-18 | 0.1660 | ![]() | 4204 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27c | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C120 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120 v | 250オーム |
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