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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
AZ23B7V5-G3-08	0.0594	RFQ	7102	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B7V5		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード								100 Na @ 5 V						7.5 v	7.5オーム
LL103A-13	-	RFQ	3697	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	LL103	ショットキー		SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度			40 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 30 V	125°C （最大）	200mA	50pf @ 0V、1MHz
v8pm153hm3/h	0.2637	RFQ	6288	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-V8PM153HM3/HTR	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns			150 v		870 mV @ 8 a		100 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	8a	470pf @ 4V、1MHz
byv26e-tap	0.7200	RFQ	85	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	byv26	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns			1000 V		2.5 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	1a	-
VS-16F100	6.0868	RFQ	4375	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	16F100	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns			1000 V		1.23 V @ 50 a		12 mA @ 1000 v	-65°C〜175°C	16a	-
VS-20ETF12FPPBF	-	RFQ	6018	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック	20ETF12	標準		TO-220ACフルパック	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns			1200 v		1.31 V @ 20 a	400 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	20a	-
FGP50B-E3/54	-	RFQ	6857	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-201AA	FGP50	標準		GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns			100 V		950 mv @ 5 a	35 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	5a	100pf @ 4V、1MHz
1N4749A-TR	0.3700	RFQ	54	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4749		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 18.2 v						24 v	25オーム
ES1C-E3/61T	0.4000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	ES1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns			150 v		920 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
MMBZ4702-E3-08	-	RFQ	9640	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4702		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000									50 Na @ 11.4 v						15 V
V35pw45hm3/i	1.3600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	V35pw45	ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns			45 v		620 mV @ 35 a		2.5 MA @ 45 v	-40°C〜150°C	35a	4230pf @ 4V、1MHz
V8P15HM3/h	0.7100	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V8P15	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns			150 v		1.08 V @ 8 a		150 µA @ 150 V	-40°C〜150°C	8a	-
BZX85C3V9-TR	0.3800	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C3V9		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000									10 µA @ 1 V						3.9 v	15オーム
1N4934GP-E3/54	0.5000	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4934	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns			100 V		1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
VS-U5FH150FA60	24.4400	RFQ	158	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	vs-u5fh	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-U5FH150FA60	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns		2独立	600 V	75a	1.7 V @ 75 a	70 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C
BZG03B18TR3	-	RFQ	4417	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000							1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 13 V						18 v	15オーム
GBU8DL-6088E3/51	-	RFQ	2923	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1							1 V @ 8 a		5 µA @ 200 V		3.9 a		単相	200 v
GL41A-E3/96	0.4500	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	GL41	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns			50 v		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
TZMC3V3-M-08	0.0324	RFQ	8385	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC3V3		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500							1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V						3.3 v	90オーム
SS1P6LHM3/85A	0.0990	RFQ	4937	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SS1P6	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns			60 V		590 mV @ 1 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	80pf @ 4V、1MHz
V30DM150C-M3/i	1.5400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V30DM150	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	150 v	15a	1.3 V @ 15 a		200 µA @ 150 V	-40°C〜175°C
VS-16CTQ060-M3	0.8123	RFQ	5412	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	16CTQ060	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	8a	880 mV @ 16 a		550 µA @ 60 V	-55°C〜175°C
TZMC5V1-M-18	0.0324	RFQ	3285	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC5V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						5.1 v	60オーム
TZX6V2E-TR	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX6V2		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 3 V						6.2 v	15オーム
BZX384C16-HG3-08	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384		200 MW	SOD-323	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000									50 NA @ 700 mV						16 v	10オーム
VS-1ENH02HM3/84A	0.4800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	1ENH02	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns			200 v		920 mv @ 1 a	28 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1a	-
BA783-HE3-08	-	RFQ	3819	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		SOD-123	BA783			SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000			100 Ma									1.2pf @ 3V、1MHz	ピン -シングル	35V			1.2OHM @ 3MA、1GHz
AR3PMHM3_A/i	0.4950	RFQ	8359	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns			1000 V		1.9 V @ 3 a	120 ns	10 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1.6a	34pf @ 4V、1MHz
BZD27B33P-M3-18	0.1155	RFQ	5439	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B33		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 24 V						33 v	15オーム
ug8gthe3/45	-	RFQ	3997	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	UG8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns			400 V		1.25 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	8a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²