SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BZT52C33-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C33-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 2291 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZT52-G テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 BZT52C33 410 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 100 Na @ 25 V 33 v 40オーム
GP15JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15JHE3/73 -
RFQ
ECAD 6472 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 GP15 標準 DO-204AC (DO-15) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1.5 a 3.5 µs 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 1.5a -
VS-6CWQ03FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq03fnpbf -
RFQ
ECAD 7734 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント to-252-3 6CWQ03 ショットキー d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 75 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 3.5a 350 mV @ 3 a 2 mA @ 30 v -40°C〜150°C
BZD27C39P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C39P-M3-08 0.4600
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27-M テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C39 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 30 V 39 v 40オーム
US1AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division us1ahe3_a/i 0.1195
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA US1a 標準 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
VS-EPU3006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EPU3006LHN3 1.6695
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 EPU3006 標準 TO-247AD ダウンロード 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 30 a 45 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜175°C 30a -
V15KM45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15KM45C-M3/i 0.4283
RFQ
ECAD 9749 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 8-powertdfn ショットキー フラットパック(5x6) ダウンロード 影響を受けていない 112-V15KM45C-M3/ITR ear99 8541.10.0080 6,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 5.4a 600 mV @ 7.5 a 350 µA @ 45 V -40°C〜175°C
SMZJ3795BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3795BHE3/5B -
RFQ
ECAD 4617 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) sicで中止されました ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ37 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 13.7 v 18 v 12オーム
SE70PBHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE70pbhm3_a/h 0.4125
RFQ
ECAD 9592 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SE70 標準 TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 標準回復> 500ns 100 V 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µA @ 100 V -55°C〜175°C 2.9a 76pf @ 4V、1MHz
MMBZ5236B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5236B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ5236 225 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 6 V 7.5 v 6オーム
SE70PDHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE70PDHM3_A/H 0.4125
RFQ
ECAD 8702 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SE70 標準 TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 標準回復> 500ns 200 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µA @ 200 v -55°C〜175°C 2.9a 76pf @ 4V、1MHz
VS-60CTQ150HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-60ctq150hn3 2.1488
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 60CTQ150 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 30a 880 mV @ 30 a 75 µA @ 150 v -55°C〜175°C
GDZ9V1B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gdz9v1b-e3-08 0.0360
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 GDZ テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 GDZ9V1 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 500 NA @ 6 V 9.1 v 30オーム
1N4586GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4586GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 9570 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 1N4586 標準 DO-204AC (DO-15) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,000 標準回復> 500ns 1000 V 1 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
VS-50WQ04FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq04fnhm3 1.8600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 表面マウント to-252-3 50WQ04 ショットキー d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 75 高速回復= <500ns 40 v 510 mv @ 5 a 3 ma @ 40 v -40°C〜150°C 5.5a 405pf @ 5V、1MHz
MMSZ5247B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5247B-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 前回購入します ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5247 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 100 Na @ 13 V 17 v 19オーム
VS-85HFR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFR10 8.5510
RFQ
ECAD 9306 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 85HFR10 標準、逆極性 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 100 V 1.2 V @ 267 a 9 ma @ 100 v -65°C〜180°C 85a -
SSB44HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSB44HE3/5BT -
RFQ
ECAD 9149 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント DO-214AA、SMB SSB44 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,200 高速回復= <500ns 40 v 490 mV @ 4 a 400 µA @ 40 V -65°C〜150°C 4a -
G2SB60-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SB60-M3/51 -
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、GBL G2SB60 標準 GBL ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 750 MA 5 µA @ 200 V 1.5 a 単相 600 V
BZT52B22-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B22-E3-08 0.3100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZT52 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 BZT52B22 410 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 100 Na @ 17 V 22 v 55オーム
MURB1620CT-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division murb1620ct-1 -
RFQ
ECAD 7525 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® チューブ 廃止 穴を通して To-262-3 Long Leads murb1620 標準 TO-262-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない *murb1620ct-1 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 8a 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C
VS-8EWF12STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12STRRPBF -
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント to-252-3 8ewf12 標準 d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS8EWF12STRRPBF ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 1200 v 1.3 V @ 8 a 270 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 8a -
VIT2060G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2060G-E3/4W 0.4660
RFQ
ECAD 3993 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads VIT2060 ショットキー TO-262AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 60 V 900 mV @ 10 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C 10a -
BZX84B5V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B5V1-G3-08 0.2900
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX84-G テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84B5V1 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 2 µA @ 2 V 5.1 v 60オーム
VX20202C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX20202C-M3/p 0.9224
RFQ
ECAD 9657 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 ショットキー TO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 112-VX20202C-M3/p ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 10a 840 mV @ 10 a 50 µA @ 200 V -40°C〜175°C
ES2GHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2GHE3_A/H 0.5300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB ES2G 標準 do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 750 高速回復= <500ns 300 V 1.1 V @ 2 a 35 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 2a 15pf @ 4V、1MHz
SB2H100HE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2H100HE3/54 -
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 SB2H100 ショットキー DO-204AC (DO-15) - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 100 V 790 mV @ 2 a 10 µA @ 100 V -55°C〜175°C 2a -
BZG05C91-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C91-M3-08 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZG05C-M テープ&リール( tr) アクティブ ±6.04% 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05C91 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 68 v 91 v 250オーム
BZX55C2V7-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C2V7-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、 aec-q101、bzx55 カットテープ(CT) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX55C2V7 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 2.7 v 85オーム
TZX4V7D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX4V7D-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、TZX カットテープ(CT) アクティブ - -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 TZX4V7 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 5 µA @ 2 V 4.7 v 100オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫