画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT52C33-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 2291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C33 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | GP15JHE3/73 | - | ![]() | 6472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GP15 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1.5 a | 3.5 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1.5a | - | |||||||||||
![]() | vs-6cwq03fnpbf | - | ![]() | 7734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 6CWQ03 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 3.5a | 350 mV @ 3 a | 2 mA @ 30 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | BZD27C39P-M3-08 | 0.4600 | ![]() | 7756 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C39 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 30 V | 39 v | 40オーム | |||||||||||||
![]() | us1ahe3_a/i | 0.1195 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1a | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-EPU3006LHN3 | 1.6695 | ![]() | 4143 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | EPU3006 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 30 a | 45 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||
![]() | V15KM45C-M3/i | 0.4283 | ![]() | 9749 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-V15KM45C-M3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 5.4a | 600 mV @ 7.5 a | 350 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | SMZJ3795BHE3/5B | - | ![]() | 4617 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ37 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 12オーム | ||||||||||||||
![]() | SE70pbhm3_a/h | 0.4125 | ![]() | 9592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SE70 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.05 V @ 7 a | 2.6 µs | 20 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 2.9a | 76pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
MMBZ5236B-HE3-08 | - | ![]() | 7222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5236 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | |||||||||||||||
![]() | SE70PDHM3_A/H | 0.4125 | ![]() | 8702 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SE70 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.05 V @ 7 a | 2.6 µs | 20 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 2.9a | 76pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | vs-60ctq150hn3 | 2.1488 | ![]() | 3459 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 60CTQ150 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 30a | 880 mV @ 30 a | 75 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | gdz9v1b-e3-08 | 0.0360 | ![]() | 6817 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ9V1 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4586GPHE3/54 | - | ![]() | 9570 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N4586 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | vs-50wq04fnhm3 | 1.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 50WQ04 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 40 v | 510 mv @ 5 a | 3 ma @ 40 v | -40°C〜150°C | 5.5a | 405pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MMSZ5247B-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 8683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5247 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-85HFR10 | 8.5510 | ![]() | 9306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 85HFR10 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.2 V @ 267 a | 9 ma @ 100 v | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||||
![]() | SSB44HE3/5BT | - | ![]() | 9149 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SSB44 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 40 v | 490 mV @ 4 a | 400 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 4a | - | ||||||||||||
![]() | G2SB60-M3/51 | - | ![]() | 3229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | G2SB60 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 MA | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||
![]() | BZT52B22-E3-08 | 0.3100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B22 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 17 V | 22 v | 55オーム | ||||||||||||||
![]() | murb1620ct-1 | - | ![]() | 7525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | murb1620 | 標準 | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *murb1620ct-1 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 8a | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | VS-8EWF12STRRPBF | - | ![]() | 2877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 8ewf12 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS8EWF12STRRPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.3 V @ 8 a | 270 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | VIT2060G-E3/4W | 0.4660 | ![]() | 3993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VIT2060 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 900 mV @ 10 a | 700 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||||
BZX84B5V1-G3-08 | 0.2900 | ![]() | 5851 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B5V1 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | VX20202C-M3/p | 0.9224 | ![]() | 9657 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VX20202C-M3/p | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 840 mV @ 10 a | 50 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | ES2GHE3_A/H | 0.5300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES2G | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.1 V @ 2 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SB2H100HE3/54 | - | ![]() | 6727 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | SB2H100 | ショットキー | DO-204AC (DO-15) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 790 mV @ 2 a | 10 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | BZG05C91-M3-08 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.04% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C91 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 68 v | 91 v | 250オーム | |||||||||||||
![]() | BZX55C2V7-TAP | 0.2300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C2V7 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 2.7 v | 85オーム | |||||||||||||
![]() | TZX4V7D-TAP | 0.2300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | カットテープ(CT) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX4V7 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 100オーム |
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