画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZG05C4V3-HE3-TR3 | - | ![]() | 5133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 13オーム | |||||||||||||
![]() | sml4740he3_a/i | 0.1434 | ![]() | 3433 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4740 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | TZM5255F-GS18 | - | ![]() | 9819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5255 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 21 V | 28 v | 600オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-MUR1020CTPBF | - | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | MUR1020 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 5a | 990 mV @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | SD101A-TR | 0.3700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | SD101 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 60 V | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | 125°C (最大) | 30ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRB1660-E3/81 | 1.4600 | ![]() | 377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB1660 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 16 a | 1 MA @ 60 v | -65°C〜150°C | 16a | - | ||||||||||||
![]() | VS-6CWQ10FNTR-M3 | 0.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 6cwq10 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 3.5a | 810 mv @ 3 a | 1 MA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | byw74tr | 0.5346 | ![]() | 5967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | byw74 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.1 V @ 3 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | VS-VSKC250-12PBF | 175.6450 | ![]() | 5456 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | int-a-pak | VSKC250 | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKC25012PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 125a | 50 mA @ 1200 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | VSKE320-20 | - | ![]() | 2310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | vske320 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 50 mA @ 2000 v | 320A | - | ||||||||||||||
![]() | VS-16FR120 | 8.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 16FR120 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.23 V @ 50 a | 12 mA @ 1200 v | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||||||||
P300J-E3/54 | 0.4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | P300 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 3 a | 2 µs | 5 µA @ 600 v | -50°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 20ets12fp | - | ![]() | 5289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 20ets12 | 標準 | TO-220ACフルパック | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 20 a | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||
![]() | BYT53B-TAP | 0.2772 | ![]() | 7016 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BYT53 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1.9a | - | |||||||||||
MBR7H60HE3/45 | - | ![]() | 3526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | MBR7 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 730 mv @ 7.5 a | 50 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | 7.5a | - | |||||||||||||
![]() | MBRF15H45CT-E3/45 | - | ![]() | 5477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF15 | ショットキー | ITO-220AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 7.5a | 630 mv @ 7.5 a | 50 µA @ 45 v | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | S2M-M3/52T | 0.0888 | ![]() | 8661 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S2M | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 a | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 16pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | MBRB20100CT | - | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | RS1J-M3/61T | 0.0577 | ![]() | 7458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RS1J | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | ugb18bcthe3_a/p | - | ![]() | 2900 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UGB18 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 18a | 1.1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VSD3913 | - | ![]() | 8197 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | VSD3913 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 30a | - | |||||||||||||||
GSIB6A60N-M3/45 | - | ![]() | 9036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip gsib-5s | GSIB6 | 標準 | GSIB-5S | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 1 V @ 3 a | 10 µA @ 600 V | 15 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | VS-12CWQ10FNTRL-M3 | 0.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 12CWQ10 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 6a | 950 mv @ 12 a | 1 MA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||||
![]() | VBT4045C-M3/4W | 1.6536 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT4045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 580 mV @ 20 a | 3 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | VBT1045C-E3/8W | 0.6001 | ![]() | 4681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT1045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 5a | 580 mV @ 5 a | 500 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | 1N4005GPEHE3/53 | - | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4005 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | ES1PC-M3/85A | 0.1594 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | ES1 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | vs-murb820-1pbf | - | ![]() | 3538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | murb820 | 標準 | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsmurb8201pbf | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 8 a | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | V3F6HM3/h | 0.4400 | ![]() | 141 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | V3F6 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 620 mv @ 3 a | 600 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 3a | 310pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | ugb18ccthe3_a/p | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UGB18 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 18a | 1.1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C |
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