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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
P300J-E3/54	0.4700	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	P300	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	標準回復> 500ns		600 V		1.2 V @ 3 a	2 µs	5 µA @ 600 v	-50°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
20ets12fp	-	RFQ	5289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック	20ets12	標準		TO-220ACフルパック	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 20 a		100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	20a	-
BYT53B-TAP	0.2772	RFQ	7016	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BYT53	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000	高速回復= <500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	1.9a	-
MBR7H60HE3/45	-	RFQ	3526	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR7	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		60 V		730 mv @ 7.5 a		50 µA @ 60 V	-65°C〜175°C	7.5a	-
MBRF15H45CT-E3/45	-	RFQ	5477	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF15	ショットキー		ITO-220AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	7.5a	630 mv @ 7.5 a		50 µA @ 45 v	-65°C〜175°C
S2M-M3/52T	0.0888	RFQ	8661	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S2M	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	標準回復> 500ns		1000 V		1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V、1MHz
MBRB20100CT	-	RFQ	4464	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	800 mV @ 10 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
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ugb18bcthe3_a/p	-	RFQ	2900	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB18	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	18a	1.1 V @ 9 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
VSD3913	-	RFQ	8197	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	VSD3913	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		400 V						30a	-
GSIB6A60N-M3/45	-	RFQ	9036	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB6	標準		GSIB-5S	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200					1 V @ 3 a		10 µA @ 600 V		15 a		単相	600 V
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vs-murb820-1pbf	-	RFQ	3538	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	murb820	標準		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmurb8201pbf	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 8 a	20 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
V3F6HM3/h	0.4400	RFQ	141	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V3F6	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		60 V		620 mv @ 3 a		600 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	3a	310pf @ 4V、1MHz
ugb18ccthe3_a/p	-	RFQ	6859	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB18	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	18a	1.1 V @ 9 a	30 ns	10 µA @ 150 v	-65°C〜150°C
VS-MBR2045CT-N3	-	RFQ	5879	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR20	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-MBR2045CT-N3GI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	10a	840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
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HFA320NJ40D	-	RFQ	4134	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB分離タブ	HFA320	標準		to-244ab （分離）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*HFA320NJ40D	ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns	1ペアシリーズ接続	400 V	321a dc）	1.55 V @ 320 a	140 ns	12 µA @ 400 v
BZX55B51-TAP	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B51		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v						51 v	125オーム
BZT55B13-GS18	0.0433	RFQ	3265	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55B13		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 10 V						13 v	26オーム
VS-SD600R04PC	131.1883	RFQ	8706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	B-8	SD600	標準		B-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6	標準回復> 500ns		400 V		1.31 V @ 1500 a		35 mA @ 400 v	-40°C〜180°C	600a	-
BZT52C16-E3-08	0.2700	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C16		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 12 v						16 v	13オーム
1N5627-TAP	1.0900	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	1N5627	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	標準回復> 500ns		800 V		1 V @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
VS-MBRS130LTRPBF	-	RFQ	5140	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	MBRS1	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		30 V		420 mv @ 1 a		1 mA @ 30 v	-55°C〜125°C	1a	-
MMSZ5262C-E3-08	0.0433	RFQ	3744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5262		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 39 v						51 v	125オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²