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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
gdz9v1b-e3-08	0.0360	RFQ	6817	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ9V1		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							500 NA @ 6 V						9.1 v	30オーム
1N4586GPHE3/54	-	RFQ	9570	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N4586	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	標準回復> 500ns		1000 V		1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
vs-50wq04fnhm3	1.8600	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	to-252-3	50WQ04	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns		40 v		510 mv @ 5 a		3 ma @ 40 v	-40°C〜150°C	5.5a	405pf @ 5V、1MHz
MMSZ5247B-HE3-08	0.0378	RFQ	8683	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5247		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 13 V						17 v	19オーム
VS-85HFR10	8.5510	RFQ	9306	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	85HFR10	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		100 V		1.2 V @ 267 a		9 ma @ 100 v	-65°C〜180°C	85a	-
SSB44HE3/5BT	-	RFQ	9149	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	SSB44	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		40 v		490 mV @ 4 a		400 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	4a	-
G2SB60-M3/51	-	RFQ	3229	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	G2SB60	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	400					1 V @ 750 MA		5 µA @ 200 V		1.5 a		単相	600 V
BZT52B22-E3-08	0.3100	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B22		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 17 V						22 v	55オーム
murb1620ct-1	-	RFQ	7525	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	murb1620	標準		TO-262-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*murb1620ct-1	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	8a	975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
VS-8EWF12STRRPBF	-	RFQ	2877	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	8ewf12	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS8EWF12STRRPBF	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		1200 v		1.3 V @ 8 a	270 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	8a	-
VIT2060G-E3/4W	0.4660	RFQ	3993	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VIT2060	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		60 V		900 mV @ 10 a		700 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	10a	-
BZX84B5V1-G3-08	0.2900	RFQ	5851	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B5V1		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							2 µA @ 2 V						5.1 v	60オーム
VX20202C-M3/p	0.9224	RFQ	9657	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3		ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VX20202C-M3/p	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	840 mV @ 10 a		50 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
ES2GHE3_A/H	0.5300	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ES2G	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		300 V		1.1 V @ 2 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	15pf @ 4V、1MHz
SB2H100HE3/54	-	RFQ	6727	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	SB2H100	ショットキー		DO-204AC （DO-15）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns		100 V		790 mV @ 2 a		10 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	-
BZG05C91-M3-08	0.3900	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.04％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C91		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 68 v						91 v	250オーム
BZX55C2V7-TAP	0.2300	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55C2V7		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						2.7 v	85オーム
TZX4V7D-TAP	0.2300	RFQ	31	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	カットテープ（CT）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX4V7		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						4.7 v	100オーム
fesf8fthe3_a/p	0.9405	RFQ	4707	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	FESF8	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		300 V		1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	8a	-
se20njhm3/i	0.4800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn		標準		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	2a	12pf @ 4V、1MHz
RGP10DEHE3/91	-	RFQ	8469	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BYX83TAP	0.2574	RFQ	6098	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BYX83	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000	標準回復> 500ns		400 V		1 V @ 1 a	4 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	2a	20pf @ 4V、1MHz
1N5402-E3/51	-	RFQ	8495	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	1N5402	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		200 v		1.2 V @ 3 a		5 µA @ 200 V	-50°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
SS26S-M3/61T	0.3800	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS26	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		60 V		700 mV @ 2 a		400 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	2a	-
VS-403CMQ100	-	RFQ	1860年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	403CMQ100	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	200a	830 mv @ 200 a		6 MA @ 100 V
se20pbhm3/85a	0.1048	RFQ	3800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	se20	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	標準回復> 500ns		100 V		1.05 V @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	1.6a	13pf @ 4V、1MHz
plz2v2a-g3/h	0.2800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4.07％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz2v2		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		120 µA @ 700 mV						2.21 v	120オーム
BZD27C4V7P-E3-08	0.4200	RFQ	7643	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C4V7		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 v	7オーム
MBRF1635-E3/45	1.5000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF1635	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		35 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	16a	-
BZX84C56-G3-18	0.0353	RFQ	1033	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C56		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 39.2 v						56 v	200オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²