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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
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10ets12	-	RFQ	5932	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	10ets12	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 10 a		50 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	10a	-
VS-2EMH01HM3/5AT	0.4500	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	2EMH01	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	-
8eth03s	-	RFQ	9349	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	8eth03	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 8 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	8a	-
IRD3903	-	RFQ	7532	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	IRD3903	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRD3903	ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		400 V		1.65 V @ 62.8 a	350 ns	50 µA @ 400 V	-40°C〜125°C	20a	-
BZX85B39-TR	0.0561	RFQ	4919	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B39		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	25,000								500 NA @ 30 V				39 v	50オーム
VSKE250-20	-	RFQ	5589	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	vske250	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns		2000 v				50 mA @ 2000 v		250a	-
MMBZ5243C-E3-18	-	RFQ	1838年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5243		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								500 NA @ 9.9 v				13 v	13オーム
UB30BCT-E3/8W	-	RFQ	1481	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	UB30	標準		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	15a	1.05 V @ 15 a	45 ns	20 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
DZ23C3V6-HE3-08	0.0436	RFQ	4978	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通カソード											3.6 v	95オーム
UGE8HT-E3/45	-	RFQ	2189	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	TO-220-2	uge8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		500 V		1.75 V @ 8 a	25 ns	30 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	8a	-
BZX85B10-TAP	0.3800	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B10		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 na @ 7.5 v				10 v	7オーム
plz20d-g3/h	0.0415	RFQ	4997	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.5％	150°C	表面マウント	DO-219AC	plz20		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 15 V				20 v	28オーム
BYG21M/54	-	RFQ	3000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg21	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		1000 V		1.6 V @ 1.5 a	120 ns	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
MMSZ4686-HE3-18	0.0378	RFQ	8200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4686		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 2 V				3.9 v
VS-MURD620CTTRLPBF	-	RFQ	2775	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	Murd620	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3a	1 V @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
VS-HFA60FA120P	-	RFQ	6679	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	トレイ	廃止			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	HFA60	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSHFA60FA120P	ear99	8541.10.0080	180		高速回復= <500ns	2独立	1200 v	30A （DC）	3 V @ 30 a	123 ns	75 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C
SL13HE3/61T	-	RFQ	2299	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	SL13	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		30 V		445 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	1.5a	-
SSC54-M3/9AT	0.5900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SSC54	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		40 v		490 mV @ 5 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	5a	-
STPS20L15G	-	RFQ	8099	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	STPS20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		15 V		410 mv @ 19 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜125°C	20a	-
NSF8GTHE3/45	-	RFQ	3847	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	NSF8	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	8a	-
BYT28-400-E3/45	-	RFQ	3655	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	BYT28	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	5a	1.3 V @ 5 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
CS1K-E3/i	-	RFQ	3946	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CS1	標準		do-214ac	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
VSKJ320-08	-	RFQ	4960	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKJ320	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	800 V	320A			50 mA @ 800 v
s3ghe3_a/h	0.4800	RFQ	765	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3G	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
V2FL45HM3/i	0.0825	RFQ	9171	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V2FL45	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		45 v		560 mV @ 2 a		570 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	2a	270pf @ 4V、1MHz
VS-MBR2545CTPBF	-	RFQ	1958年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	MBR25	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	820 mV @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
vs-18tq045pbf	-	RFQ	4203	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	18tq045	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		45 v		600 mV @ 18 a		2.5 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	18a	-
vs-10ets12pbf	-	RFQ	9845	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	10ets12	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 10 a		50 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	10a	-
VS-6FL60S02	6.0812	RFQ	1717	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	6FL60	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		600 V		1.4 V @ 6 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	6a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²