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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SBL2040CT-E3/45	-	RFQ	6240	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	SBL2040	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	10a	600 mV @ 10 a		1 MA @ 40 V	-55°C〜150°C
SMZJ3791BHM3/i	-	RFQ	5984	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ37		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 9.1 v				12 v	7オーム
VS-T70HFL40S05	29.6810	RFQ	1776	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T70	標準		D-55	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns		400 V			500 ns	100 µA @ 400 V		70a	-
MURS140HE3/5BT	-	RFQ	5137	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS140	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	2a	-
VS-SD203N25S20PC	119.8250	RFQ	2557	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	SD203	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		2500 V		1.65 V @ 628 a	2 µs	35 MA @ 2500 v	-40°C〜125°C	200a	-
BZM55C13-TR	0.2800	RFQ	7727	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55C13		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 10 V				13 v	110オーム
BZG03B13-HM3-08	0.2310	RFQ	2184	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B13		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		2 µA @ 10 V				13 v	10オーム
MMSZ5242B-G3-18	0.0409	RFQ	6404	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5242		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 9.1 v				12 v	30オーム
BZG03B180-M3-18	0.2228	RFQ	7357	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B180		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 130 v				180 v	400オーム
VLZ15A-GS18	-	RFQ	1940年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ15		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 12.8 v				13.79 v	16オーム
v8p6hm3_a/h	0.6800	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v8p6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		60 V		610 mv @ 8 a		600 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	8a	-
ZPY100-TR	-	RFQ	1056	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	ZPY100		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 75 V				100 V	130オーム
VS-1N1187A	-	RFQ	6495	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N1187	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		300 V		1.3 V @ 126 a		2.5 mA @ 300 v	-65°C〜200°C	40a	-
BZX85C15-TAP	0.3800	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	カットテープ（CT）	アクティブ	±6％	-	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C15		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 11 V				15 V	15オーム
PTV5.1B-E3/85A	-	RFQ	8610	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV5.1		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		20 µA @ 1 V				5.4 v	8オーム
20ets08strr	-	RFQ	5022	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	20ets08	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 20 a		100 µA @ 800 V	-40°C〜150°C	20a	-
VS-15ETX06PBF	-	RFQ	1551	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	15ETX06	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		3.2 V @ 15 a	32 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
AZ23C3V6-HE3_A-18	-	RFQ	6682	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C3V6-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							5 µA @ 1 V				3.6 v	90オーム
GL34AHE3/98	-	RFQ	5891	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	GL34	標準		do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	gl34ahe3_a/h。	ear99	8541.10.0070	2,500		標準回復> 500ns		50 v		1.2 V @ 500 Ma	1.5 µs	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
VS-SD1100C04C	68.6800	RFQ	7178	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-200aa、a-puk	SD1100	標準		b-43 、ホッケー puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		400 V		1.31 V @ 1500 a		35 mA @ 400 v		1400a	-
HFA16TA60CS	-	RFQ	4512	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	HFA16	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	8a（dc）	1.7 V @ 8 a	55 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C
MBR745HE3/45	-	RFQ	9772	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR7	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 15 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜175°C	7.5a	-
byv26d-tr	0.6900	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	byv26	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		800 V		2.5 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1a	-
VS-SD2500C24K	232.6950	RFQ	8486	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			クランプオン	DO-200AC 、K-PUK	SD2500	標準		DO-200AC 、K-PUK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSSD2500C24K	ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns		2400 v		1.14 V @ 4000 a			-40°C〜180°C	3000A	-
MUR120/54	-	RFQ	9937	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	MUR120	標準		DO-204AC （DO-15）	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		200 v		875 mV @ 1 a	35 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	-
SD103AW-E3-08	0.3500	RFQ	91	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	SD103	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		40 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 30 V	125°C （最大）	-	50pf @ 0V、1MHz
MMBZ5261C-G3-08	-	RFQ	5521	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5261		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 36 V				47 v	105オーム
SS32-M3/57T	0.2929	RFQ	8635	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SS32	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		20 v		500 mV @ 3 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	3a	-
BYVB32-100-E3/81	1.6500	RFQ	800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	byvb32	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	18a	1.15 V @ 20 a	25 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
12CTQ035	-	RFQ	5307	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	12ctq	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	6a	600 mV @ 6 a		800 µA @ 35 V	-55°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²