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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX55A20-TAP	-	RFQ	9304	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V				20 v	55オーム
MMBZ4703-G3-18	-	RFQ	9445	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4703		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 12.1 v				16 v
SML4762A-E3/5A	0.1815	RFQ	9955	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4762		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500							5 µA @ 62.2 v				82 v	200オーム
BZG05C20-HE3-TR	-	RFQ	7433	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 15 V				20 v	24オーム
BZM55B36-TR3	0.0433	RFQ	4814	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55B36		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 27 V				36 v	220オーム
BAS282-GS18	0.0570	RFQ	7464	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-80バリアント	BAS282	ショットキー		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		50 v		1 V @ 15 mA		200 Na @ 200 V	125°C （最大）	30ma	1.6pf @ 1V、1MHz
VSKC250-16	-	RFQ	3068	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKC250	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	1600 v	250a			50 mA @ 1600 v
MMBZ5250B-HE3-18	-	RFQ	9762	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5250		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 15 V				20 v	25オーム
VS-10BQ030HM3/5BT	0.5200	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	バルク	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	10BQ030	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		30 V		420 mv @ 1 a		500 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	200pf @ 5V、1MHz
MBRB20H100CT/45	-	RFQ	4464	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB20	ショットキー		TO-263AB	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	770 mV @ 10 a		4.5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
byg10yhe3_a/h	0.4200	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		1600 v		1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 1600 v	-55°C〜150°C	1.5a	-
V15K60C-M3/i	0.4519	RFQ	2031	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード			影響を受けていない	112-V15K60C-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	5a	590 mV @ 7.5 a		1.1 mA @ 60 v	-40°C〜150°C
BZG05B15-E3-TR3	-	RFQ	7986	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 11 V				15 V	15オーム
byw53-tap	0.2475	RFQ	8764	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	byw53	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000	標準回復> 500ns		400 V		1 V @ 1 a	4 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	2a	-
RGP30GHE3/73	-	RFQ	7633	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	RGP30	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 3 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
BAS40-00-HE3-08	0.3500	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS40	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	100 Na @ 30 V	125°C （最大）	200mA	5PF @ 0V、1MHz
VS-32CTQ030-1HM3	1.2553	RFQ	7545	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	32CTQ030	ショットキー		TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	490 mV @ 15 a		1.75 mA @ 30 V	-55°C〜150°C
vs-83cnq100asmpbf	-	RFQ	7720	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	D-61-8-SM	83CNQ100	ショットキー		D-61-8-SM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs83cnq100asmpbf	ear99	8541.10.0080	400	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	40a	810 mv @ 40 a		1.5 mA @ 80 v	-55°C〜175°C
VS-32CTQ030PBF	-	RFQ	7159	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	32CTQ030	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	490 mV @ 15 a		1.75 mA @ 30 V	-55°C〜150°C
VS-MBR2535CTPBF	-	RFQ	6491	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	MBR25	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	15a	820 mV @ 30 a		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C
BZT55C16-GS18	0.0283	RFQ	1022	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C16		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 na @ 12 v				16 v	40オーム
VS-30CPQ100-N3	3.0600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	30CPQ100	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-30CPQ100-N3GI	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	30a	1.05 V @ 30 a		550 µA @ 100 V
301CNQ040	-	RFQ	4769	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	301cnq	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*301CNQ040	ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	300a	900 mV @ 300 a		10 ma @ 40 v	-55°C〜175°C
fepe16ht-e3/45	-	RFQ	5820	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	TO-220-3	Fepe16	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	500 V	8a	1.5 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 500 V	-55°C〜150°C
IRD3909	-	RFQ	4291	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	IRD3909	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*IRD3909	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		50 v		1.8 V @ 62.8 a	350 ns	80 µA @ 50 V	-40°C〜125°C	30a	-
BYW29-50HE3/45	-	RFQ	5008	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	byw29	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 20 a	25 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	8a	45pf @ 4V、1MHz
VS-12F10	4.8300	RFQ	4073	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	12F10	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		100 V		1.26 V @ 38 a		12 ma @ 100 v	-65°C〜175°C	12a	-
BZT03C16-TAP	0.2970	RFQ	9332	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±5.63％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C16		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 12 V				16 v	15オーム
1N4586GP-E3/73	-	RFQ	2918	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N4586	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	標準回復> 500ns		1000 V		1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TLZ4V7-GS18	0.0335	RFQ	2432	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ4v7		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA						4.7 v	25オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²