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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
vs-8etl06pbf	-	RFQ	1929年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	8etl06	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns			600 V		1.05 V @ 8 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	8a	-
S5MHE3/57T	-	RFQ	1684	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	S5m	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	標準回復> 500ns			1000 V		1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	5a	40pf @ 4V、1MHz
mss1p6hm3_a/h。	0.3900	RFQ	26	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	MSS1P6	ショットキー		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns			60 V		680 mV @ 1 a		150 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	40pf @ 4V、1MHz
MBR20H90CTG-E3/45	-	RFQ	3969	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR20	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	90 v	10a	850 mv @ 10 a		3.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
16CTQ060	-	RFQ	4188	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	16ctq	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	8a	720 mV @ 8 a		550 µA @ 60 V	-55°C〜175°C
V40pw45c-m3/i	1.4700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	V40pw45	ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	45 v	20a	640 mV @ 20 a		1.2 mA @ 45 v	-40°C〜150°C
VT1060C-M3/4W	0.6331	RFQ	8855	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	VT1060	ショットキー		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VT1060CM34W	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	5a	700 mV @ 5 a		700 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
AR1PMHM3/85A	0.2030	RFQ	8613	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	AR1	雪崩		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns			1000 V		1.6 V @ 1 a	120 ns	1 µA @ 1000 V	-55°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V、1MHz
RS1D-M3/5AT	0.0682	RFQ	5264	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	RS1D	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns			200 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
BZT52B4V3-E3-18	0.0415	RFQ	6081	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B4V3		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000														4.3 v	80オーム
BA782-G3-08	-	RFQ	9972	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		SOD-123	BA782			SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		100 Ma									1.25pf @ 3V、1MHz	ピン -シングル	35V			700mohm @ 3ma、1GHz
vs-4esh01hm3/86a	0.6600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	4esh01	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns			100 V		930 mv @ 4 a	20 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	4a	-
uh4pcchm3/86a	-	RFQ	2578	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	uh4	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	150 v	2a	1.05 V @ 2 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
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VS-10ETF02PBF	-	RFQ	8993	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	10etf02	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS10ETF02PBF	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns			200 v		1.2 V @ 10 a	200 ns	100 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	10a	-
au2pjhm3_a/i	0.4950	RFQ	1930年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au2	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns			600 V		1.9 V @ 2 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	1.6a	42pf @ 4V、1MHz
GI852-E3/54	-	RFQ	2466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	GI852	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	高速回復= <500ns			200 v		1.25 V @ 3 a	200 ns	10 µA @ 200 v	-50°C〜150°C	3a	28pf @ 4V、1MHz
20CTQ035STRR	-	RFQ	5996	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	20ctq	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	35 v	10a	640 mV @ 10 a		2 MA @ 35 v	-55°C〜175°C
SMBZ5926B-E3/52	0.1676	RFQ	8644	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5926		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 8.4 v						11 v	5.5オーム
VX6060CHM3/p	1.2606	RFQ	1755	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3		ショットキー		TO-220AB	ダウンロード			影響を受けていない	112-VX6060CHM3/p	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	30a	620 mv @ 30 a		3.5 mA @ 60 v	-40°C〜150°C
MBRB735HE3/45	-	RFQ	8303	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB7	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns			35 v		840 mV @ 15 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
bav101-gs08	0.2100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	bav101	標準		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500	高速回復= <500ns			100 V		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 100 V	175°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
SS3P3L-M3/86A	0.2362	RFQ	9597	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS3p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns			30 V		470 mV @ 3 a		250 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	3a	-
VS-40HFLR80S05M	22.8068	RFQ	9241	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	40HFLR80	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS40HFLR80S05M	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns			800 V		1.3 V @ 125 a			-65°C〜190°C	40a	-
SS1H10HE3/5AT	-	RFQ	2713	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS1H10	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns			100 V		770 mV @ 1 a		1 µA @ 100 V	175°C （最大）	1a	-
TLZ9V1-GS18	0.0335	RFQ	1743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ9V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA								9.1 v	8.5オーム
BZX55F27-TAP	-	RFQ	6132	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 20 V						27 v	80オーム
MBR30H35PT-E3/45	1.3321	RFQ	8374	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR30	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	35 v	30a	730 mv @ 30 a		150 µA @ 35 V	-65°C〜175°C
MBRB25H35CTHE3_B/P	1.0230	RFQ	8891	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB25	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	35 v	15a	640 mV @ 15 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜175°C
1N5623GPHE3/54	-	RFQ	2661	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N5623	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns			1000 V		1.2 V @ 1 a	500 ns	500 NA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²