画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZX84C51-G3-08 | 0.0353 | ![]() | 4396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C51 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | |||||||||||||
![]() | 12CWQ06FNTR | - | ![]() | 2078 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 12cwq | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 6a | 610 mv @ 6 a | 3 ma @ 60 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-150KSR20 | 37.3628 | ![]() | 7144 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | シャーシ、スタッドマウント | B-42 | 150KSR20 | 標準、逆極性 | B-42 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.33 V @ 471 a | 35 mA @ 200 v | -40°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||
![]() | se70pghm3_a/h | 0.8500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SE70 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.05 V @ 7 a | 2.6 µs | 20 µA @ 400 v | -55°C〜175°C | 2.9a | 76pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-88HF40 | 9.0122 | ![]() | 1034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 88HF40 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS88HF40 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 267 a | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||
![]() | plz2v7a-hg3_a/h | 0.3600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3.97% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-219AC | plz2v7 | 960 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.65 v | 100オーム | |||||||||||
MMBZ5252B-E3-18 | - | ![]() | 5001 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5252 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | zpy5v6-tr | 0.0545 | ![]() | 9379 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | zpy5v6 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | zpy5v6tr | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 NA @ 1.5 V | 5.6 v | 1オーム | |||||||||||
![]() | 20CJQ045 | - | ![]() | 9897 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 20CJQ | ショットキー | SOT-223 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 1a | 540 mV @ 1 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | ES07D-GS08 | 0.4200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES07 | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 980 mV @ 1 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V 、50MHz | |||||||||
![]() | VS-85HFLR40S05 | 14.2353 | ![]() | 6278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 85HFLR40 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.75 V @ 266.9 a | 500 ns | 100 µA @ 400 V | -40°C〜125°C | 85a | - | |||||||||
BZX84B2V4-HE3-18 | 0.0341 | ![]() | 3741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B2V4 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | BZX384B51-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B51 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | ||||||||||||
![]() | AS3PJ-M3/87A | 0.2871 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AS3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 920 mv @ 1.5 a | 1.2 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 2.1a | 37pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZM55B5V6-TR | 0.3200 | ![]() | 6601 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B5V6 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 450オーム | |||||||||||
VS-1N1200A | 4.8800 | ![]() | 8220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N1200 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.35 V @ 12 a | 2.5 mA @ 100 V | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||||||
SB540-E3/51 | - | ![]() | 5108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | SB540 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 480 mV @ 5 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||
![]() | BZD27C36P-HE3-08 | 0.4200 | ![]() | 751 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27c | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C36 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 27 V | 36 v | 40オーム | |||||||||||
![]() | BZD27B160P-M3-18 | 0.1155 | ![]() | 9382 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B160 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 130 v | 160 v | 350オーム | |||||||||||
![]() | BZD17C27P-E3-08 | 0.1356 | ![]() | 4750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17C27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 v | ||||||||||||
![]() | TZX30A-TR | 0.2300 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX30 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 23 V | 30 V | 100オーム | |||||||||||
![]() | vs-e5th1506-m3 | 1.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | E5th1506 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-E5TH1506-M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 15 a | 38 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
MMBZ4620-HE3-08 | - | ![]() | 1805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4620 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650オーム | |||||||||||||
![]() | TZMB22-GS08 | 0.3100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB22 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | |||||||||||
![]() | VS-MURD620CTTRL-M3 | 0.8400 | ![]() | 3233 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | Murd620 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 3a | 1 V @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | VSKE320-16 | - | ![]() | 2330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | vske320 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 50 mA @ 1600 v | 320A | - | ||||||||||||
![]() | VS-16CTQ100PBF | - | ![]() | 3431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 16CTQ100 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 8a | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | CSA2M-E3/i | 0.3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | CSA2 | 標準 | do-214ac | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 2 a | 2.1 µs | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1.6a | 11pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-45LR20 | 35.6840 | ![]() | 8026 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | スタッドマウント | DO-205AC 、DO-30 、スタッド | 45LR20 | 標準、逆極性 | DO-205AC (DO-30) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS45LR20 | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.33 V @ 471 a | -40°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||
![]() | VS-2EJH01-M3/6A | 0.1549 | ![]() | 9083 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 2EJH01 | 標準 | DO-221AC(スリムスマ) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 930 mv @ 2 a | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 2a | - |
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