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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMBZ5238C-HE3-08	-	RFQ	5657	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5238		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								3 µA @ 6.5 v				8.7 v	8オーム
BZG05B11-E3-TR	-	RFQ	5703	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 8.2 v				11 v	8オーム
RGP25KHE3/54	-	RFQ	8784	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	RGP25	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 2.5 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	2.5a	60pf @ 4V、1MHz
vs-50wq10fntrpbf	-	RFQ	5263	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	50wq10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs50wq10fntrpbf	ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		100 V		770 mV @ 5 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C	5.5a	183pf @ 5v、1MHz
egf1b-1he3_b/i	-	RFQ	4853	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214BA	egf1b	標準		do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-EGF1B-1HE3_B/ITR	ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		100 V		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TZM5254C-GS18	-	RFQ	7971	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5254		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 21 V				27 v	41オーム
VS-30EPF04PBF	-	RFQ	1211	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-2	30EPF04	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		400 V		1.41 V @ 30 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	30a	-
VS-150U120DL	34.3676	RFQ	8946	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	150U120	標準		do-205aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS150U120DL	ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns		1200 v		1.47 V @ 600 a			-40°C〜180°C	150a	-
BAS16D-G3-18	0.0396	RFQ	2414	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	BAS16	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		高速回復= <500ns		75 v		1.25 V @ 150 MA	6 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	250ma	2PF @ 0V、1MHz
SL04-M3-08	0.1238	RFQ	4815	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SL04	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30,000		高速回復= <500ns		40 v		540 mV @ 1.1 a	10 ns	20 µA @ 40 V	175°C （最大）	1.1a	65pf @ 4V、1MHz
TZS4698-GS08	0.0411	RFQ	7146	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZS4698		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 100 MA		50 Na @ 8.4 v				11 v
60HQ100	-	RFQ	2522	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	60HQ100	ショットキー		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		100 V		890 mV @ 60 a		1.5 mA @ 100 V	-65°C〜175°C	60a	1400pf @ 5V、1MHz
BZT55A15-GS08	-	RFQ	7611	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55		500 MW	SOD-80 Quadromelf	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 11 v				15 V	30オーム
440CMQ030	-	RFQ	8473	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	440cmq	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*440CMQ030	ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	220A	500 mV @ 220 a		20 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
VS-80PF140W	5.8585	RFQ	1809	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	80pf140	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS80PF140W	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1400 v		1.46 V @ 220 a			-55°C〜150°C	80a	-
bym12-300he3_a/h	-	RFQ	3638	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym12	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	bym12-300he3_b/h	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	1a	14PF @ 4V、1MHz
TZM5245C-GS08	-	RFQ	1317	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5245		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.1 V @ 200 mA		100 na @ 11 v				15 V	16オーム
AZ23C39-E3-08	0.0415	RFQ	8101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C39		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 29 v				39 v	90オーム
DZ23C47-E3-18	0.0415	RFQ	9933	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通カソード							100 Na @ 35 V				47 v	100オーム
SML4731AHE3/5A	-	RFQ	5360	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4731		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500								10 µA @ 1 V				4.3 v	9オーム
GDZ20B-E3-08	0.0360	RFQ	5440	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ20		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 15 V				20 v	85オーム
1N5407-E3/54	0.4700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	1N5407	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns		800 V		1.2 V @ 3 a		5 µA @ 800 V	-50°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
RGP10GHE3/54	-	RFQ	8418	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
EGP51F-E3/c	0.8126	RFQ	8650	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	EGP51	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 5 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	5a	48pf @ 4V、1MHz
BZG05C6V8-HE3-TR3	-	RFQ	2201	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 4 V				6.8 v	3.5オーム
GLL4742A-E3/97	0.3168	RFQ	9699	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4742		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								5 µA @ 9.1 v				12 v	9オーム
T40HFL10S02	-	RFQ	2822	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T40	標準		D-55	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*T40HFL10S02	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns		100 V			200 ns	100 µA @ 100 V		40a	-
GP15D-E3/73	-	RFQ	8528	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	GP15	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1.5 a	3.5 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1.5a	-
plz27a-hg3_a/h	0.3600	RFQ	50	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ27		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 21 v				27 v	45オーム
BZG05B9V1-HE3-TR	-	RFQ	2313	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1.98％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 6.8 v				9.1 v	5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²