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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
30cth02strl	-	RFQ	8618	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	30cth	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	200 v	15a	1.05 V @ 15 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C
VS-30WQ04FNTRL-M3	0.6400	RFQ	6076	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	30WQ04	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns			40 v		530 mv @ 3 a		2 MA @ 40 V	-40°C〜150°C	3.5a	189pf @ 5V、1MHz
BZD27B39P-E3-08	0.1155	RFQ	7764	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B39		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 30 V						39 v	40オーム
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VS-SD400R16PC	106.5767	RFQ	6275	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	SD400	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSSD400R16PC	ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns			1600 v		1.62 V @ 1500 a			-40°C〜190°C	400a	-
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GP10-4006E-E3/54	0.1840	RFQ	6159	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns			800 V					-	1a	-
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VS-MBRD650CTTRPBF	-	RFQ	7706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	MBRD6	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	50 v	3a	650 mv @ 3 a		100 µA @ 50 V	-40°C〜150°C
VS-8TQ100STRLPBF	-	RFQ	5706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	8tq100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns			100 V		720 mV @ 8 a		550 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	8a	500pf @ 5V、1MHz
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SMZJ3808bhm3_a/i	-	RFQ	5322	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3808		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 47.1 v						62 v	100オーム
BZG05C56-HE3-TR	-	RFQ	2180	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 43 v						56 v	120オーム
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FES8AT-E3/45	0.5618	RFQ	2527	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	FES8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns			50 v		950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	-
VS-16CTQ100STRR-M3	1.0256	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	16CTQ100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	100 V	8a	720 mV @ 8 a		550 µA @ 100 V	-55°C〜175°C
VS-10ETF12S-M3	0.9662	RFQ	8949	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	10etf12	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns			1200 v		1.33 V @ 10 a	310 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	10a	-
VS-61CTQ045PBF	-	RFQ	7919	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	61CTQ045	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	45 v	30a	610 mv @ 30 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜175°C
88CNQ060ASL	-	RFQ	4100	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			表面マウント	D-61-8-SL	88cnq	ショットキー		D-61-8-SL	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*88CNQ060ASL	ear99	8541.10.0080	400	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	40a	580 mV @ 40 a		640 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
VS-85HFLR20S02	10.2464	RFQ	5045	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	85HFLR20	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns			200 v		1.75 V @ 266.9 a	200 ns	100 µA @ 200 V	-40°C〜125°C	85a	-
BZD27C4V7P-M3-08	0.4500	RFQ	2202	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C4V7		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						4.7 v	7オーム
BA779-2-HG3-08	-	RFQ	8074	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		TO-236-3	BA779			SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000		50 Ma									0.5pf @ 0V 、100MHz	ピン-1ペアシリーズ接続	30V			50OHM @ 1.5MA 、100MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²