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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
egp31d-e3/c	0.8118	RFQ	3037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	egp31	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 3 a	50 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	3a	117pf @ 4V、1MHz
VS-150SQ040TR	-	RFQ	8868	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-204ar、軸	150SQ040	ショットキー		do-204ar	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS150SQ040TR	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		40 v		540 mV @ 15 a		1.75 MA @ 40 V	-55°C〜150°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
BZG05C3V9TR	-	RFQ	9541	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V				3.9 v	15オーム
1N4001/54	-	RFQ	7818	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4001	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
IRKC236/12	-	RFQ	6747	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	int-a-pak	IRKC236	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	1200 v	230A			20 mA @ 1200 v
VS-A5PX6006LHN3	2.3623	RFQ	6748	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		標準		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-A5PX6006LHN3	ear99	8541.10.0080	25	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		600 V		2.2 V @ 60 a	46 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	60a	-
MCL101B-TR3	0.0692	RFQ	1227	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	MCL101	ショットキー		マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 15 ma		200 Na @ 40 V	-65°C〜150°C	30ma	-
vs-25ets10strrpbf	-	RFQ	2202	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	25ets10	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs25ets10strrpbf	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		1000 V		1.14 V @ 25 a		100 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	25a	-
VS-50SQ100TR	-	RFQ	7740	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-204ar、軸	50SQ100	ショットキー		do-204ar	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		100 V		660 mV @ 5 a		550 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	5a	-
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43CTQ100-1	-	RFQ	4610	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	43ctq	ショットキー		TO-262-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	20a	810 mv @ 20 a		1 MA @ 100 V	-55°C〜175°C
B240A-E3/61T	0.4100	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	B240	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		40 v		550 mv @ 2 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	2a	-
VSKE250-12	-	RFQ	7055	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	vske250	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns		1200 v				50 mA @ 1200 v		250a	-
MBR735	-	RFQ	8542	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR7	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		35 v		840 mV @ 15 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
VS-MBRD650CTTRL-M3	0.3353	RFQ	7063	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD650	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD650CTTRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	3a	700 mV @ 3 a		100 µA @ 50 V	-40°C〜150°C
BZT52C43-HE3_A-18	0.0533	RFQ	8531	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C43-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 32 v				43 v	97オーム
S1PJ-M3/84A	0.3900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
1N4934-E3/54	0.3400	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4934	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		100 V		1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 100 V	-50°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
VS-SD1053C25S20L	153.8400	RFQ	5143	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			クランプオン	do-200ab、b-puk	SD1053	標準		do-200ab、b-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns		2500 V		1.9 V @ 1500 a	2 µs	50 mA @ 2500 v		1050A	-
vs-20ets12fp-m3	2.9200	RFQ	518	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	20ets12	標準		TO-220-2フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1200 v		1.3 V @ 20 a	95 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	20a	-
BZX55B16-TAP	0.2200	RFQ	45	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B16		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 na @ 12 v				16 v	40オーム
BZG04-56-M3-08	0.1980	RFQ	2200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-56		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 56 v				68 v
BZX85C10-TR	0.3800	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C10		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							500 na @ 7.5 v				10 v	7オーム
VB40120C-E3/8W	2.7000	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB40120	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	20a	880 mV @ 20 a		500 µA @ 120 V	-40°C〜150°C
80EPS12	-	RFQ	6221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	80EPS12	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	標準回復> 500ns		1200 v		1.17 V @ 80 a		100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	80a	-
VB20100SG-E3/8W	0.4950	RFQ	3797	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB20100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		100 V		1.07 V @ 20 a		350 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	20a	-
S4PMHM3/86A	-	RFQ	5364	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S4P	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	4a	30pf @ 4V、1MHz
GP15MHE3/54	-	RFQ	8851	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	GP15	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1.5 a	3.5 µs	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1.5a	-
FEP6DT-E3/45	-	RFQ	3285	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	FEP6	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	6a	975 mV @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C
30BQ060	-	RFQ	9676	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	30BQ060	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		60 V		580 mV @ 3 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²