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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
plz20d-g3/h	0.0415	RFQ	4997	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.5％	150°C	表面マウント	DO-219AC	plz20		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 15 V				20 v	28オーム
BYG21M/54	-	RFQ	3000	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg21	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		1000 V		1.6 V @ 1.5 a	120 ns	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
MMSZ4686-HE3-18	0.0378	RFQ	8200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4686		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 2 V				3.9 v
VS-MURD620CTTRLPBF	-	RFQ	2775	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	Murd620	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3a	1 V @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
VS-HFA60FA120P	-	RFQ	6679	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	トレイ	廃止			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	HFA60	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSHFA60FA120P	ear99	8541.10.0080	180	高速回復= <500ns	2独立	1200 v	30A （DC）	3 V @ 30 a	123 ns	75 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C
SL13HE3/61T	-	RFQ	2299	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	SL13	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		30 V		445 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	1.5a	-
SSC54-M3/9AT	0.5900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SSC54	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		40 v		490 mV @ 5 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	5a	-
STPS20L15G	-	RFQ	8099	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	STPS20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		15 V		410 mv @ 19 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜125°C	20a	-
NSF8GTHE3/45	-	RFQ	3847	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	NSF8	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	8a	-
BYT28-400-E3/45	-	RFQ	3655	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	BYT28	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	5a	1.3 V @ 5 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
CS1K-E3/i	-	RFQ	3946	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CS1	標準		do-214ac	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
VSKJ320-08	-	RFQ	4960	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKJ320	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	800 V	320A			50 mA @ 800 v
s3ghe3_a/h	0.4800	RFQ	765	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3G	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
V2FL45HM3/i	0.0825	RFQ	9171	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	V2FL45	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		45 v		560 mV @ 2 a		570 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	2a	270pf @ 4V、1MHz
VS-MBR2545CTPBF	-	RFQ	1958年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	MBR25	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	820 mV @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
vs-18tq045pbf	-	RFQ	4203	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	18tq045	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		600 mV @ 18 a		2.5 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	18a	-
vs-10ets12pbf	-	RFQ	9845	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	10ets12	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 10 a		50 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	10a	-
VS-6FL60S02	6.0812	RFQ	1717	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	6FL60	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		600 V		1.4 V @ 6 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	6a	-
VS-1N3890R	6.9900	RFQ	60	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3890	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		100 V		1.4 V @ 12 a	300 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	12a	-
MBRB15H45CTHE3/45	-	RFQ	9715	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB15	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	7.5a	630 mv @ 7.5 a		50 µA @ 45 v	-65°C〜175°C
BZG05C62TR3	-	RFQ	7625	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 47 v				62 v	2000年
SL42-E3/57T	0.9100	RFQ	440	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SL42	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		20 v		420 mV @ 4 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	4a	-
VI20150SHM3/4W	-	RFQ	4393	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VI20150	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		150 v		1.43 V @ 20 a		250 µA @ 150 V	-55°C〜150°C	20a	-
BAS40-02V-HG3-08	0.3400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-79、SOD-523	BAS40	標準		SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	8,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	100 Na @ 30 V	125°C	120ma	4PF @ 0V、1MHz
vs-3yh01hm3/i	0.5400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	3YH01	標準		Slimsmaw	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 3 a	30 ns	2 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	3a	-
BZT52C3V3-HE3-18	0.0368	RFQ	2708	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C3V3		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000											3.3 v	80オーム
TLZ33B-GS18	0.0335	RFQ	9756	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ33		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 28.8 v				33 v	65オーム
20ETF10FP	-	RFQ	7551	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック	20ETF10	標準		TO-220ACフルパック	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1000 V		1.31 V @ 20 a	400 ns	100 µA @ 1000 V		20a	-
SS2P2HM3/84A	0.1445	RFQ	9486	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SS2P2	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		20 v		550 mv @ 2 a		150 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	2a	110pf @ 4V、1MHz
GP10-4005E-E3/53	-	RFQ	2276	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		500 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²