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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-MBRD650CTTRL-M3	0.3353	RFQ	7063	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD650	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD650CTTRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	3a	700 mV @ 3 a		100 µA @ 50 V	-40°C〜150°C
BZT52C43-HE3_A-18	0.0533	RFQ	8531	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C43-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 32 v				43 v	97オーム
S1PJ-M3/84A	0.3900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
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vs-20ets12fp-m3	2.9200	RFQ	518	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	20ets12	標準		TO-220-2フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		1200 v		1.3 V @ 20 a	95 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	20a	-
BZX55B16-TAP	0.2200	RFQ	45	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B16		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 12 v				16 v	40オーム
BZG04-56-M3-08	0.1980	RFQ	2200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-56		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 56 v				68 v
BZX85C10-TR	0.3800	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C10		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 na @ 7.5 v				10 v	7オーム
VB40120C-E3/8W	2.7000	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB40120	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	20a	880 mV @ 20 a		500 µA @ 120 V	-40°C〜150°C
80EPS12	-	RFQ	6221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	80EPS12	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		標準回復> 500ns		1200 v		1.17 V @ 80 a		100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	80a	-
VB20100SG-E3/8W	0.4950	RFQ	3797	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB20100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		100 V		1.07 V @ 20 a		350 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	20a	-
S4PMHM3/86A	-	RFQ	5364	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S4P	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	4a	30pf @ 4V、1MHz
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30BQ060	-	RFQ	9676	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	30BQ060	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		60 V		580 mV @ 3 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	-
RS1PG-M3/85A	0.0795	RFQ	9607	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	rs1p	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
DZ23C33-HE3_A-18	-	RFQ	7154	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C33-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード							100 Na @ 25 V				33 v	40オーム
MCL101C-TR3	0.0672	RFQ	4552	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	MCL101	ショットキー		マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		高速回復= <500ns		40 v		900 mV @ 15 Ma		200 Na @ 30 V	-65°C〜150°C	30ma	-
12CTQ045	-	RFQ	6219	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	12ctq	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	6a	600 mV @ 6 a		800 µA @ 45 V	-55°C〜175°C
SF5402-TAP	0.5544	RFQ	4521	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	SF5402	標準		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,500		高速回復= <500ns		200 v		1.1 V @ 3 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	3a	-
byg23mhe3_a/i	0.1419	RFQ	4472	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg23	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		1000 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1.5a	-
BZX84C51-G3-08	0.0353	RFQ	4396	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C51		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 35.7 v				51 v	180オーム
12CWQ06FNTR	-	RFQ	2078	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	12cwq	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	6a	610 mv @ 6 a		3 ma @ 60 v	-55°C〜150°C
VS-150KSR20	37.3628	RFQ	7144	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			シャーシ、スタッドマウント	B-42	150KSR20	標準、逆極性		B-42	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns		200 v		1.33 V @ 471 a		35 mA @ 200 v	-40°C〜200°C	150a	-
se70pghm3_a/h	0.8500	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE70	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns		400 V		1.05 V @ 7 a	2.6 µs	20 µA @ 400 v	-55°C〜175°C	2.9a	76pf @ 4V、1MHz
VS-88HF40	9.0122	RFQ	1034	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	88HF40	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS88HF40	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		400 V		1.2 V @ 267 a			-65°C〜180°C	85a	-
plz2v7a-hg3_a/h	0.3600	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3.97％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz2v7		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		100 µA @ 1 V				2.65 v	100オーム
MMBZ5252B-E3-18	-	RFQ	5001	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5252		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 18 V				24 v	33オーム
zpy5v6-tr	0.0545	RFQ	9379	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	zpy5v6		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	zpy5v6tr	ear99	8541.10.0050	25,000								500 NA @ 1.5 V				5.6 v	1オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²