画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAR64V-05W-E3-08 | - | ![]() | 3796 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | SC-70、SOT-323 | bar64 | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 Ma | 0.35pf @ 20V、1MHz | ピン-1ペア共通カソード | 100V | 1.35OHM @ 100MA 、100MHz | |||||||||||||||||
![]() | V40pw10c-m3/i | 1.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | V40PW10 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 890 mV @ 20 a | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | BZG04-120-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzg04-m | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG04-120 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 120 v | 150 v | ||||||||||||||||
![]() | BZG03B10TR | - | ![]() | 5314 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 10 µA @ 7.5 v | 10 v | 4オーム | ||||||||||||||||
![]() | S2AHE3_A/H | 0.1102 | ![]() | 5320 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | S2A | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 1.5 a | 2 µs | 1 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 16pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VX30202C-M3/p | 1.2920 | ![]() | 6166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VX30202C-M3/p | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | |||||||||||||||
![]() | v6km120duhm3/h | 0.2995 | ![]() | 2689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | V6KM120 | ショットキー | フラットパック5x6(デュアル) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 120 v | 3a | 820 mV @ 3 a | 300 µA @ 120 V | -40°C〜175°C | ||||||||||||||
BZX584C27-HG3-08 | 0.0532 | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX584C | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 25オーム | |||||||||||||||||
![]() | SE40ND-M3/i | 0.5300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-vdfn | 標準 | DFN3820A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 4 a | 1.2 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 4a | 24pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | VS-MBRB3045CTTRLP | - | ![]() | 6662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB30 | ショットキー | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSMBRB3045CTTRLP | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 760 mV @ 30 a | 1 MA @ 45 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | GDZ33B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 3601 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ33 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 250オーム | ||||||||||||||||
![]() | TZX11D-TAP | 0.0287 | ![]() | 4718 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX11 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 8.2 v | 11 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-25CTQ035STRRPBF | - | ![]() | 1291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 25CTQ035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 30a | 710 mv @ 30 a | 1.75 mA @ 35 v | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | W06G-E4/1 | - | ![]() | 1291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 円、 wog | 標準 | wog | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 600 v | 1.5 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | BZG05B22-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 7957 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B22 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 16 V | 22 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | VB20M120C-M3/i | 0.9123 | ![]() | 4023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VB20M120 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VB20M120C-M3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 10a | 910 mv @ 10 a | 700 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | SBYV26C-M3/54 | - | ![]() | 2488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SBYV26 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.5 V @ 1 a | 30 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZX55F6V2-TR | - | ![]() | 2306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||||||
G2SB80-M3/45 | - | ![]() | 9754 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | G2SB80 | 標準 | GBL | ダウンロード | 1 (無制限) | 112-G2SB80-M3/45TR | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 750 MA | 5 µA @ 800 V | 1.5 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||||
VS-100BGQ045 | 4.3500 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | Powertab™、Powirtab™ | 100bgq045 | ショットキー | Powirtab™ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 45 v | 730 mV @ 100 a | 1 MA @ 45 v | -55°C〜150°C | 100a | - | |||||||||||||||
![]() | BZG03B20TR | - | ![]() | 3074 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 15 V | 20 v | 15オーム | ||||||||||||||||
![]() | GL41G-E3/97 | 0.4500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | GL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | EGP10CE-E3/54 | - | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | EGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mv @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 1a | 22PF @ 4V、1MHz | |||||||||||||
MMBD6050-G3-08 | 0.0306 | ![]() | 7578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | MMBD6050 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1.1 V @ 100 MA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | 150°C (最大) | 200mA | - | ||||||||||||||
![]() | 80EPF10 | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | 80EPF10 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.35 V @ 80 a | 480 ns | 100 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 80a | - | |||||||||||||
![]() | 15CTQ045STRL | - | ![]() | 1781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 15ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 7.5a | 550 mV @ 7.5 a | 800 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5238C-E3-18 | 0.0433 | ![]() | 3568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5238 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-6F120 | 8.2100 | ![]() | 2429 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 6F120 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.1 V @ 19 a | 12 mA @ 1200 v | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||||||
![]() | MMSZ4682-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4682 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 1 V | 2.7 v | |||||||||||||||||
![]() | RGP30ML-6888E3/72 | - | ![]() | 8865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | RGP30 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 |
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