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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
NSF8JTHE3/45	-	RFQ	6750	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	NSF8	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	8a	-
VSKDL240-14S20	-	RFQ	8912	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKDL240	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	1400 v	250a	1.57 V @ 800 a	2 µs	50 mA @ 1400 v
BZD27B11P-M3-18	0.1050	RFQ	1304	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		4 µA @ 8.2 v				11 v	7オーム
MMBZ4706-E3-18	-	RFQ	5040	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4706		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								50 Na @ 14.4 v				19 v
VS-VSKC91/04	40.5200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	VSKC91	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKC9104	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	400 V	50a			10 mA @ 400 v	-40°C〜150°C
MMSZ5266C-G3-18	0.0483	RFQ	1330	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5266		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 52 v				68 v	230オーム
BZT52C6V8-G3-18	0.0409	RFQ	1804	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C6V8		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 3 V				6.8 v	4.5オーム
MBRB745HE3/45	-	RFQ	6752	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB7	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 15 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
SE20AFJHM3/6B	0.1163	RFQ	3515	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	se20	標準		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	1.3a	12pf @ 4V、1MHz
1N4933GP-E3/73	-	RFQ	9403	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4933	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		50 v		1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
VS-60CTQ035-M3	1.4522	RFQ	9215	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	60CTQ035	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	30a	720 mv @ 60 a		2 MA @ 35 v	-65°C〜150°C
DZ23C11-HE3_A-08	-	RFQ	3872	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C11-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード							100 Na @ 8.5 v				11 v	6オーム
12CWQ10FN	-	RFQ	5753	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	12cwq	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	6a	800 mV @ 6 a		1 MA @ 100 V	-55°C〜150°C
VS-12TQ035-M3	0.5470	RFQ	7785	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	12TQ035	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		35 v		710 mv @ 30 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜150°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
VS-95PFR140	6.6151	RFQ	9467	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	95PFR140	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS95PFR140	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1400 v		1.4 V @ 267 a			-55°C〜180°C	95a	-
FES16DT-E3/45	1.4000	RFQ	4955	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	FES16	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 16 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C	16a	-
115CNQ015A	-	RFQ	7408	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-61-8	115CNQ015	ショットキー		D-61-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	15 V	55a	370 mV @ 55 a		20 ma @ 15 v	-55°C〜125°C
VS-10ETF06SLHM3	2.0700	RFQ	135	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	10etf06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		600 V		1.2 V @ 10 a	200 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	10a	-
S1G-M3/61T	0.0522	RFQ	5473	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1G	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
MMSZ4716-G3-08	0.0409	RFQ	8832	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4716		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								10 Na @ 29.6 v				39 v
Ar3pdhm3_a/i	0.4950	RFQ	6620	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		200 v		1.6 V @ 3 a	140 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1.8a	44pf @ 4V、1MHz
SMZJ3801BHM3/h	-	RFQ	6744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ38		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750								5 µA @ 25.1 v				33 v	33オーム
bym12-200he3_a/h	-	RFQ	8288	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym12	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	bym12-200he3_b/h	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
SD253N04S15PV	-	RFQ	5042	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	SD253	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*SD253N04S15PV	ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		400 V		1.38 V @ 785 a	1.5 µs	35 mA @ 400 v	-40°C〜125°C	250a	-
VS-401CNQ045PBF	45.9600	RFQ	535	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB	401CNQ045	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	400a	780 mV @ 400 a		20 mA @ 45 v
MMSZ5252B-G3-08	0.0409	RFQ	2134	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5252		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 18 V				24 v	33オーム
BYV29B-400-E3/81	-	RFQ	4830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	byv29	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	8a	-
BZW03D22-TR	-	RFQ	2790	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.2 V @ 1 a		2 µA @ 15.8 v				22 v	3.5オーム
GDZ20B-G3-08	0.3300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ20		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 15 V				20 v	85オーム
VE2045C-E3/45	-	RFQ	7573	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	VE2045	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	10a	700 mV @ 10 a		500 µA @ 45 V	-40°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²