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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZG05C43-M3-18	0.1089	RFQ	7166	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.98％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C43		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 33 v						43 v	50オーム
GBU6J-M3/51	1.1425	RFQ	2379	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU6	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250					1 V @ 6 a		5 µA @ 600 v		6 a		単相	600 V
S4PGHM3_a/h	0.5400	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S4P	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	4a	30pf @ 4V、1MHz
SE40PDHM3/86A	-	RFQ	1880	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE40	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		200 v		1.05 V @ 2 a	2.2 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2.4a	28pf @ 4V、1MHz
MBR1650-E3/45	-	RFQ	8046	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR16	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		50 v		750 mV @ 16 a		1 MA @ 50 V	-65°C〜150°C	16a	-
VLZ3V0A-GS18	-	RFQ	9435	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	vlz3v0		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V						2.96 v	70オーム
VS-1N3209R	-	RFQ	5696	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N3209	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		100 V		1.5 V @ 15 a		10 ma @ 100 v	-65°C〜175°C	15a	-
MBRB760HE3/81	-	RFQ	5344	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB7	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 7.5 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
GP10DE-M3/73	-	RFQ	1149	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
SMZJ3796bhm3_b/h	0.1508	RFQ	9853	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3796		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3796BHM3_B/H。	ear99	8541.10.0050	750							5 µA @ 15.2 v						20 v	14オーム
MMBZ5247B-G3-08	-	RFQ	9296	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5247		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 13 V						17 v	19オーム
BZG05C33-M3-18	0.1089	RFQ	3975	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.06％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C33		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 24 V						33 v	35オーム
MBRF1045HE3_A/P	0.7095	RFQ	6513	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF104	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-MBRF1045HE3_A/P	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
BZX84C9V1-HE3_A-08	0.0498	RFQ	3091	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84C9V1-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000							500 NA @ 6 V						9.1 v	15オーム
MMSZ5253C-E3-08	0.3200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5253		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 19 v						25 v	35オーム
BZG05C12-HM3-18	0.1172	RFQ	3184	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg05c-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.42％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C12		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 9.1 v						12 v	9オーム
BZX84B30-G3-18	0.0389	RFQ	5175	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B30		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 21 V						30 V	80オーム
BZX84B4V3-G3-08	0.0389	RFQ	4478	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B4V3		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
S1BA-E3/5AT	-	RFQ	6180	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1B	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	1 µs	3 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
SE70PGHM3/87A	-	RFQ	7023	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE70	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	標準回復> 500ns		400 V		1.05 V @ 7 a	2.6 µs	20 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2.9a	76pf @ 4V、1MHz
SB560-E3/73	0.7700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SB560	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		60 V		650 mv @ 5 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	5a	-
BZX84B3V3-HE3_A-08	0.0498	RFQ	4493	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84B3V3-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000							5 µA @ 1 V						3.3 v	95オーム
VS-SD1553C25S30K	344.0800	RFQ	3769	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			クランプオン	DO-200AC 、K-PUK	SD1553	標準		DO-200AC 、K-PUK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns		2500 V		2.6 V @ 4000 a	3 µs	75 mA @ 2500 v		1650a	-
plz6v2b-hg3_a/h	0.3600	RFQ	23	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.53％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz6v2		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 3 V						6.12 v	10オーム
IRKD236/16	-	RFQ	5895	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	int-a-pak	IRKD236	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	1600 v	230A			20 mA @ 1600 v
BZX384C10-HE3-08	0.2600	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C10		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							200 Na @ 7 V						10 v	20オーム
VS-12TQ045SPBF	-	RFQ	2095	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	12TQ045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 45 v	-55°C〜150°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
VS-MBRB4045CTRHM3	1.4447	RFQ	3658	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB4045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	20a	600 mV @ 20 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜150°C
SD101C-TAP	0.0437	RFQ	9187	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	SD101	ショットキー		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	50,000	高速回復= <500ns		40 v		900 mV @ 15 Ma		200 Na @ 30 V	125°C （最大）	30ma	2.2pf @ 0V、1MHz
VS-SD303C20S20C	92.9458	RFQ	9641	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			クランプオン	do-200aa、a-puk	SD303	標準		do-200aa、a-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		2000 v		2.26 V @ 1100 a	2 µs	35 MA @ 2000 v		350A	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²