画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-SD400C12C | 61.7825 | ![]() | 8636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | クランプオン | do-200aa、a-puk | SD400 | 標準 | do-200aa、a-puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.86 V @ 1930 a | 15 mA @ 1200 v | 800a | - | ||||||||||||
![]() | VS-8ETU04STRRPBF | - | ![]() | 6138 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 8etu04 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs8etu04strrpbf | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 43 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||
![]() | MBRB10H100-E3/81 | 1.5900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB10 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 770 mV @ 10 a | 4.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | BZT52B22-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 4226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B22 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 17 V | 22 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | BZX85C22-TAP | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C22 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 16 V | 22 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | BZX384C3V9-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 7973 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C3V9 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | byt56j-tr | 0.5247 | ![]() | 1080 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BYT56 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 3 a | 100 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | ES2A-E3/5BT | 0.1574 | ![]() | 9360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES2A | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 50 v | 900 mV @ 2 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 2a | 18pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N5397GP-E3/54 | 0.6300 | ![]() | 1672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N5397 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.4 V @ 1.5 a | 2 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1.5a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 6CWQ10FN | - | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 6cwq10 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 3.5a | 810 mv @ 3 a | 1 MA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | SS10P2CLHM3/86A | - | ![]() | 4773 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10P2 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 5a | 520 mV @ 5 a | 850 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 30BQ015TR | - | ![]() | 7546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | 30BQ015 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 15 V | 350 mV @ 3 a | 4 ma @ 15 v | -55°C〜125°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | TZM5249B-GS18 | 0.0303 | ![]() | 6908 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5249 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||
![]() | SL04-HM3-08 | 0.4000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SL04 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 540 mV @ 1.1 a | 10 ns | 20 µA @ 40 V | 175°C (最大) | 1.1a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
AZ23C7V5-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 3215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C7V5 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | SML4750-E3/5A | 0.1733 | ![]() | 2838 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4750 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 20.6 v | 27 v | 35オーム | |||||||||||||
![]() | uh4pcchm3_a/h | 0.3923 | ![]() | 6093 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | uh4 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.05 V @ 2 a | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 2a | 21pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
FES8GT-E3/45 | 1.1200 | ![]() | 387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | FES8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | 242nq030 | - | ![]() | 1595 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D-67ハーフパック | 242nq030 | ショットキー | D-67ハーフパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *242nq030 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 30 V | 510 mv @ 240 a | 20 mA @ 30 v | 240a | 14800pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | BY229X-600-E3/45 | - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BY229 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.85 V @ 20 a | 145 ns | 10 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
MMBZ5226B-HE3-18 | - | ![]() | 2775 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5226 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-50WQ03FNTRRPBF | - | ![]() | 7252 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 50WQ03 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 460 mV @ 5 a | 3 ma @ 30 v | -40°C〜150°C | 5.5a | 590pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-VSKE320-16PBF | 149.9550 | ![]() | 6762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | vske320 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsvske32016pbf | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 50 mA @ 1600 v | -40°C〜150°C | 320A | - | |||||||||||
![]() | EGP10GHE3/53 | - | ![]() | 6052 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | EGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | GP10-4007HE3/53 | - | ![]() | 3088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
AZ23C43-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 9361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C43 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 32 v | 43 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | 1N4937-E3/54 | 0.3400 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4937 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | -50°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-MBR4045CT-1PBF | - | ![]() | 3180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | MBR40 | ショットキー | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 600 mV @ 20 a | 1 MA @ 45 v | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | SMAZ5926B-E3/61 | 0.4200 | ![]() | 2319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5926 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム | ||||||||||||
![]() | BZT52B33-HE3-08 | 0.3300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B33 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 80オーム |
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