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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZD17C27P-E3-08	0.1356	RFQ	4750	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17C27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 20 V				27 v
BZD27B160P-M3-18	0.1155	RFQ	9382	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B160		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 130 v				160 v	350オーム
BZX85C10-TR	0.3800	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C10		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							500 na @ 7.5 v				10 v	7オーム
TZMB22-GS08	0.3100	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMB22		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 16 V				22 v	55オーム
vs-11dq10tr	-	RFQ	2762	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	11dq10	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		100 V		850 mv @ 1 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	1.1a	-
BYX83TR	0.2574	RFQ	9910	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BYX83	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000	標準回復> 500ns		400 V		1 V @ 1 a	4 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	2a	20pf @ 4V、1MHz
VS-MURD620CTTRL-M3	0.8400	RFQ	3233	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	Murd620	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3a	1 V @ 3 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
MMSZ5265C-HE3-18	0.0454	RFQ	2712	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5265		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 47 v				62 v	185オーム
VSKC320-12	-	RFQ	9971	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKC320	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	1200 v	320A			50 mA @ 1200 v
MBRF20H150CT-E3/45	-	RFQ	4823	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF20	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	10a	900 mV @ 10 a		5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C
MCL101C-TR3	0.0672	RFQ	4552	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	MCL101	ショットキー		マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		40 v		900 mV @ 15 Ma		200 Na @ 30 V	-65°C〜150°C	30ma	-
VS-30CTQ035-N3	-	RFQ	6101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	30CTQ035	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS30CTQ035N3	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	30a	760 mV @ 30 a		2 MA @ 35 v	175°C （最大）
VS-60CTQ150PBF	-	RFQ	9132	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	60CTQ150	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	30a	880 mV @ 30 a		75 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
fese16bt-e3/45	-	RFQ	4966	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	fese16	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		100 V		975 mV @ 16 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
ESH1D-E3/61T	0.4100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	ESH1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1a	-
LL4148-13	-	RFQ	4613	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	LL4148	標準		SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1 V @ 50 mA	8 ns	5 µA @ 75 V	175°C （最大）	150ma	4PF @ 0V、1MHz
BZD17C15P-E3-18	0.1482	RFQ	5770	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 11 v				15 V
MBR750-E3/45	-	RFQ	8591	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR7	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		50 v		750 mV @ 7.5 a		500 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	7.5a	-
30CPF04	-	RFQ	1753	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30CPF04	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns		400 V		1.41 V @ 30 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	30a	-
VS-E4PU6006LHN3	2.8900	RFQ	7310	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	E4PU6006	標準		TO-247AD	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 60 a	74 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	60a	-
VLZ16B-GS08	-	RFQ	7520	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ16		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 14.5 v				15.65 v	18オーム
SB140-E3/73	0.4600	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SB140	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		40 v		480 mV @ 1 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	-
BZX384C33-E3-08	0.2400	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C33		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							50 Na @ 23.1 v				33 v	80オーム
TZM5231F-GS18	-	RFQ	9101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5231		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V				5.1 v	1600オーム
BZX384B39-G3-08	0.0445	RFQ	9895	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B39		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							50 Na @ 27.3 v				39 v	130オーム
VS-80PF160	7.0519	RFQ	2455	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	80pf160	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS80PF160	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1600 v		1.46 V @ 220 a			-55°C〜150°C	80a	-
183nq080	-	RFQ	3365	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-67ハーフパック	183nq080	ショットキー		D-67ハーフパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*183NQ080	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		80 v		950 mV @ 180 a		4.5 mA @ 80 v		180a	4150pf @ 5V、1MHz
SS5P5-E3/86A	-	RFQ	4721	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P5	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		50 v		690 mV @ 5 a		150 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	5a	-
BZT55A8V2-GS08	-	RFQ	3582	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55		500 MW	SOD-80 Quadromelf	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 6.2 v				8.2 v	7オーム
vs-8etx06spbf	-	RFQ	6583	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	8etx06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		3 V @ 8 a	17 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²