画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX55A20-TAP | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 55オーム | |||||||||||||||
![]() | BA782-G3-08 | - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | SOD-123 | BA782 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 Ma | 1.25pf @ 3V、1MHz | ピン -シングル | 35V | 700mohm @ 3ma、1GHz | |||||||||||||||||
MMBZ4703-G3-18 | - | ![]() | 9445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4703 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 12.1 v | 16 v | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4586GP-E3/73 | - | ![]() | 2918 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N4586 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VX6060CHM3/p | 1.2606 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-VX6060CHM3/p | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 30a | 620 mv @ 30 a | 3.5 mA @ 60 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||
![]() | TLZ4V7-GS18 | 0.0335 | ![]() | 2432 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ4v7 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 4.7 v | 25オーム | ||||||||||||||||
![]() | SML4762A-E3/5A | 0.1815 | ![]() | 9955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4762 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZG05B15-E3-TR3 | - | ![]() | 7986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 11 V | 15 V | 15オーム | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5226B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 2323 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5226 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-16EDU06-M3/i | 1.3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 16EDU06 | 標準 | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 16 a | 25 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 16a | 16pf @ 600V | |||||||||||||
![]() | MBRB20H100CTHE3/45 | - | ![]() | 5166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 770 mV @ 10 a | 4.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | 19TQ015STRR | - | ![]() | 3841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 19tq015 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 15 V | 360 mV @ 19 a | 1.5 mA @ 15 v | -55°C〜125°C | 19a | - | ||||||||||||||
BZX84B24-E3-08 | 0.2400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B24 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 16.8 v | 23.5 v | 70オーム | |||||||||||||||||
![]() | ES2A-E3/52T | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES2A | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 50 v | 900 mV @ 2 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 18pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MMSZ5247B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 5423 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5247 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 13 V | 17 v | 19オーム | ||||||||||||||||
![]() | GI250-2-M3/54 | - | ![]() | 6194 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GI250 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 11,000 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 3.5 V @ 250 Ma | 2 µs | 5 µA @ 2000 v | -65°C〜175°C | 250ma | - | |||||||||||||
![]() | rgf1khe3_a/h | - | ![]() | 5338 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214BA | RGF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 8.5pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | VS-HFA08TB60SR-M3 | 0.4519 | ![]() | 6393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | HFA08 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.1 V @ 16 a | 55 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | VS-SD1500C30L | 145.4900 | ![]() | 3806 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | クランプオン | do-200ab、b-puk | SD1500 | 標準 | do-200ab、b-puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 3000 V | 1.64 V @ 3000 a | 50 mA @ 3000 v | 1600a | - | |||||||||||||||
![]() | TLZ3V9A-GS18 | 0.0335 | ![]() | 8615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ3V9 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 50オーム | |||||||||||||||
![]() | ESH1PDHM3/84A | 0.1681 | ![]() | 5733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | ESH1 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1a | 25pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | GLL4736A-E3/96 | 0.3256 | ![]() | 5275 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | GLL4736 | 1 W | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 10 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZD17C30P-E3-08 | 0.1492 | ![]() | 6445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17C30 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 22 v | 30 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-T85HFL60S05 | 42.3110 | ![]() | 7944 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-55 Tモジュール | T85 | 標準 | D-55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 600 V | 500 ns | 20 mA @ 600 v | 85a | - | |||||||||||||||
![]() | VS-10ETF04S-M3 | 0.9923 | ![]() | 1835 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 10etf04 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 10 a | 200 ns | 100 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||
![]() | AS4PDHM3/86A | - | ![]() | 3005 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AS4 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 962 mV @ 2 a | 1.8 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 2.4a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
ZM4751A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZM4751 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µA @ 22.8 v | 30 V | 40オーム | |||||||||||||||||
![]() | ugb18dcthe3_a/p | - | ![]() | 8168 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UGB18 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 18a | 1.1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | VS-10CTQ150S-M3 | 1.4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 10CTQ150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 930 mv @ 5 a | 50 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | byv26egphe3/73 | - | ![]() | 7788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | byv26 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 2.5 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz |
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