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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SMZJ3801BHM3/h	-	RFQ	6744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ38		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750							5 µA @ 25.1 v				33 v	33オーム
bym12-200he3_a/h	-	RFQ	8288	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym12	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	bym12-200he3_b/h	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
SD253N04S15PV	-	RFQ	5042	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	SD253	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*SD253N04S15PV	ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		400 V		1.38 V @ 785 a	1.5 µs	35 mA @ 400 v	-40°C〜125°C	250a	-
VS-401CNQ045PBF	45.9600	RFQ	535	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB	401CNQ045	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	400a	780 mV @ 400 a		20 mA @ 45 v
MMSZ5252B-G3-08	0.0409	RFQ	2134	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5252		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 18 V				24 v	33オーム
vs-20ets12pbf	-	RFQ	5813	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	20ets12	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 20 a		100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	20a	-
BYV29B-400-E3/81	-	RFQ	4830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	byv29	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	8a	-
BZW03D22-TR	-	RFQ	2790	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.2 V @ 1 a		2 µA @ 15.8 v				22 v	3.5オーム
GDZ20B-G3-08	0.3300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ20		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 15 V				20 v	85オーム
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VS-16FLR40S05	5.2510	RFQ	9709	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	16FLR40	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		400 V		1.4 V @ 16 a	500 ns	50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	16a	-
VS-30CPQ080-N3	1.9171	RFQ	9975	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	30CPQ080	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS30CPQ080N3	ear99	8541.10.0080	500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	30a	1.05 V @ 30 a		550 µA @ 80 V	175°C （最大）
VS-UFL80FA60	22.0000	RFQ	159	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	UFL80	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-UFL80FA60GI	ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns	2独立	600 V	65a	1.49 V @ 60 a	115 ns	50 µA @ 600 V	-55°C〜175°C
VS-EPU3006LHN3	1.6695	RFQ	4143	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	EPU3006	標準		TO-247AD	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns		600 V		2 V @ 30 a	45 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	30a	-
VS-1N1190A	-	RFQ	5171	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	1N1190	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		600 V		1.3 V @ 126 a		2.5 mA @ 600 v	-65°C〜200°C	40a	-
AS4PDHM3_a/i	0.6386	RFQ	5079	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AS4	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		200 v		1.1 V @ 4 a	1.8 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2.4a	60pf @ 4V、1MHz
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SS5P4-E3/86A	-	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		40 v		520 mV @ 5 a		250 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
uge18act-e3/45	-	RFQ	5521	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	uge18	標準		TO-220-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	18a	1.2 V @ 20 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C
SMZJ3788A-E3/5B	-	RFQ	3694	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ37		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200							50 µA @ 7 V				9.1 v	4オーム
BZG03B200TR	-	RFQ	5521	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 150 V				200 v	500オーム
USB260HM3/5BT	0.2495	RFQ	1157	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	USB260	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		600 V		1.6 V @ 2 a	30 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	2a	45pf @ 4V、1MHz
VS-95PFR120W	5.8661	RFQ	3809	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	95pfr120	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS95PFR120W	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1200 v		1.4 V @ 267 a			-55°C〜180°C	95a	-
MMSZ5257C-E3-08	0.3200	RFQ	9424	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5257		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 25 V				33 v	58オーム
MMSZ5265C-HE3-18	0.0454	RFQ	2712	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5265		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 47 v				62 v	185オーム
SS5P6-E3/86A	-	RFQ	2819	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		60 V		690 mV @ 5 a		150 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	5a	-
1N4003GPHE3/54	-	RFQ	4069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4003	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BZD27C27P-M-18	-	RFQ	7067	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 20 V				27 v	15オーム
EGP10FE-M3/54	-	RFQ	7987	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して		EGP10				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500
BYM11-800-E3/97	0.1284	RFQ	7510	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym11	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²