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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMSZ5264C-HE3-08	0.0454	RFQ	4587	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5264		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 46 v				60 V	170オーム
1N5395-E3/54	0.3700	RFQ	207	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5395	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		400 V		1.4 V @ 1.5 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-50°C〜150°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
BZX384B8V2-HE3-08	0.2800	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B8V2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								700 na @ 5 v				8.2 v	15オーム
30CTQ035S	-	RFQ	4668	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	30ctq	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*30CTQ035S	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	15a	620 mv @ 15 a		2 MA @ 35 v	-55°C〜175°C
VS-12CTQ040-M3	0.5554	RFQ	5787	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	12CTQ040	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	6a	730 mV @ 12 a		800 µA @ 40 V	-55°C〜175°C
SB540-E3/51	-	RFQ	5108	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	SB540	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		40 v		480 mV @ 5 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	5a	-
uge18act-e3/45	-	RFQ	5521	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	uge18	標準		TO-220-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	18a	1.2 V @ 20 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C
MMBZ5263B-HE3-08	-	RFQ	4136	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5263		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 43 v				56 v	150オーム
BZX55F30-TR	-	RFQ	3207	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 22 v				30 V	80オーム
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BZG04-56-M3-08	0.1980	RFQ	2200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-56		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 56 v				68 v
HFA25PB60	-	RFQ	5080	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-2	HFA25	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 25 a	75 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	25a	-
80EPS12	-	RFQ	6221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	80EPS12	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		標準回復> 500ns		1200 v		1.17 V @ 80 a		100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	80a	-
zpy5v6-tr	0.0545	RFQ	9379	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	zpy5v6		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	zpy5v6tr	ear99	8541.10.0050	25,000								500 NA @ 1.5 V				5.6 v	1オーム
bym12-200he3_a/h	-	RFQ	8288	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym12	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	bym12-200he3_b/h	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 4V、1MHz
GP10-4002-E3/54	0.1780	RFQ	5297	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		100 V					-	1a	-
IRKD91/04A	-	RFQ	2473	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	add-a-pak	IRKD91	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	400 V	100a			10 mA @ 400 v
VS-6CSH01-M3/87A	0.2701	RFQ	1812年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	6CSH01	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	3a	940 mV @ 3 a	25 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
SD253N04S15PV	-	RFQ	5042	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	SD253	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*SD253N04S15PV	ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		400 V		1.38 V @ 785 a	1.5 µs	35 mA @ 400 v	-40°C〜125°C	250a	-
1N4003GPHE3/54	-	RFQ	4069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4003	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-45LR20	35.6840	RFQ	8026	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			スタッドマウント	DO-205AC 、DO-30 、スタッド	45LR20	標準、逆極性		DO-205AC （DO-30）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS45LR20	ear99	8541.10.0080	25		標準回復> 500ns		200 v		1.33 V @ 471 a			-40°C〜200°C	150a	-
DZ23C33-HE3_A-18	-	RFQ	7154	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C33-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード							100 Na @ 25 V				33 v	40オーム
GLL4745A-E3/97	0.3168	RFQ	1007	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4745		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								5 µA @ 12.2 v				16 v	16オーム
ES07D-GS08	0.4200	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	ES07	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns		200 v		980 mV @ 1 a	25 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	500mA	4PF @ 4V 、50MHz
Ar4pdhm3_a/h	0.6699	RFQ	8201	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR4	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		200 v		1.6 V @ 4 a	140 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	77pf @ 4V、1MHz
VS-8EWF02STR-M3	2.0160	RFQ	8051	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8ewf02	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS8EWF02STRM3	ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		200 v		1.2 V @ 8 a	55 ns	100 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	8a	-
BYV29B-400-E3/81	-	RFQ	4830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	byv29	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	8a	-
BZX55B16-TAP	0.2200	RFQ	45	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B16		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 12 v				16 v	40オーム
plz3v0b-g3/h	0.2800	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3.37％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz3v0		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V				3.12 v	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²