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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMSZ5262C-E3-08	0.0433	RFQ	3744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5262		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 39 v				51 v	125オーム
SS26she3_a/i	-	RFQ	5943	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS26	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 2 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2a	-
MMBZ5252C-E3-18	-	RFQ	1444	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5252		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 18 V				24 v	33オーム
V25PL60-M3/86A	1.0100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V25PL60	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		60 V		630 mv @ 25 a		4 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	5.5a	-
VS-MBR2545CTPBF	-	RFQ	1958年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	MBR25	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	820 mV @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
MBRB15H45CTHE3/45	-	RFQ	9715	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB15	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	7.5a	630 mv @ 7.5 a		50 µA @ 45 v	-65°C〜175°C
vs-3yh01hm3/i	0.5400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	3YH01	標準		Slimsmaw	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 3 a	30 ns	2 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	3a	-
SL13HE3/5AT	-	RFQ	6424	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	SL13	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		30 V		445 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	1.5a	-
VS-12CWQ10FNTRL-M3	0.9700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	12CWQ10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	6a	950 mv @ 12 a		1 MA @ 100 V	150°C （最大）
BZW03D51-TAP	-	RFQ	4381	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.2 V @ 1 a		2 µA @ 36.5 v				51 v	27オーム
SS5P4-E3/86A	-	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		40 v		520 mV @ 5 a		250 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
vs-18tq045pbf	-	RFQ	4203	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	18tq045	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		600 mV @ 18 a		2.5 MA @ 45 v	-55°C〜175°C	18a	-
VS-6FL60S02	6.0812	RFQ	1717	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	6FL60	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		600 V		1.4 V @ 6 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	6a	-
VS-1N3890R	6.9900	RFQ	60	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3890	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		100 V		1.4 V @ 12 a	300 ns	25 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	12a	-
SL42-E3/57T	0.9100	RFQ	440	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SL42	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		20 v		420 mV @ 4 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	4a	-
BAS40-02V-HG3-08	0.3400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-79、SOD-523	BAS40	標準		SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	8,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		1 V @ 40 mA	5 ns	100 Na @ 30 V	125°C	120ma	4PF @ 0V、1MHz
BZT52C3V3-HE3-18	0.0368	RFQ	2708	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C3V3		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000											3.3 v	80オーム
SS2P2HM3/84A	0.1445	RFQ	9486	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SS2P2	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		20 v		550 mv @ 2 a		150 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	2a	110pf @ 4V、1MHz
GP10-4005E-E3/53	-	RFQ	2276	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		500 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
SBL2040CT-E3/45	-	RFQ	6240	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	SBL2040	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	10a	600 mV @ 10 a		1 MA @ 40 V	-55°C〜150°C
UG06C-E3/54	-	RFQ	7987	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	UG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		150 v		950 mV @ 600 Ma	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	600MA	9pf @ 4V、1MHz
VS-150U120D	31.7100	RFQ	72	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	150U120	標準		do-205aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	標準回復> 500ns		1200 v		1.47 V @ 600 a			-40°C〜180°C	150a	-
BZG03B27-HM3-18	0.2310	RFQ	7926	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B27		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 20 V				27 v	15オーム
VS-40HF140M	15.8598	RFQ	8772	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	40HF140	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS40HF140M	ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1400 v		1.3 V @ 125 a			-65°C〜160°C	40a	-
vs-8tq100gpbf	-	RFQ	6889	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	8tq100	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		vs8tq100gpbf	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		100 V		720 mV @ 8 a		280 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	8a	500pf @ 5V、1MHz
TZMB4V7-GS18	0.0411	RFQ	1939年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMB4V7		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 1 V				4.7 v	80オーム
BZX85C3V3-TAP	0.3800	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C3V3		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							40 µA @ 1 V				3.3 v	20オーム
BZG03C150-M3-18	0.5000	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C150		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 110 v				150 v	300オーム
VS-UFB130FA40	20.5700	RFQ	303	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	UFB130	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns	2独立	400 V	65a	1.37 V @ 60 a	86 ns	50 µA @ 400 V
EGP10CE-E3/54	-	RFQ	8042	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	EGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		150 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜150°C	1a	22PF @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²