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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-40CPQ080PBF	-	RFQ	5069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	40CPQ080	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	20a	770 mV @ 20 a		1.25 MA @ 80 V	-55°C〜175°C
VLZ16B-GS08	-	RFQ	7520	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ16		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 14.5 v				15.65 v	18オーム
SS36-001HE3_A/i	-	RFQ	6530	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	SS36	ショットキー		do-214ab	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 3 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	-
TLZ8V2B-GS18	0.0335	RFQ	6037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ8v2		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		7.5 µA @ 7.39 v				8.2 v	8オーム
BZT55A8V2-GS08	-	RFQ	3582	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55		500 MW	SOD-80 Quadromelf	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 6.2 v				8.2 v	7オーム
vs-8etx06spbf	-	RFQ	6583	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	8etx06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		3 V @ 8 a	17 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
S1FLG-GS18	0.0512	RFQ	5730	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	S1F	標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50,000		標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	700MA	4PF @ 4V、1MHz
VS-43CTQ080GSTRRP	-	RFQ	1071	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	43CTQ080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS43CTQ080GSTRRP	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	20a	810 mv @ 20 a		360 µA @ 80 V	175°C （最大）
v6kl45du-m3/i	0.5400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	V6KL45	ショットキー		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,000		高速回復= <500ns	2独立	45 v	6a	540 mV @ 3 a		450 µA @ 45 V	-40°C〜150°C
TZS4716-GS08	0.0411	RFQ	4245	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZS4716		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 100 MA		10 µA @ 29.6 v				39 v
AZ23C39-HE3-18	0.0436	RFQ	5239	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C39		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 29 v				39 v	90オーム
BZD27C68P-E3-18	0.4400	RFQ	6957	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C68		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51 v				68 v	80オーム
MBR750-E3/45	-	RFQ	8591	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR7	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		50 v		750 mV @ 7.5 a		500 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	7.5a	-
TZM5231F-GS18	-	RFQ	9101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5231		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V				5.1 v	1600オーム
VS-60CTQ150PBF	-	RFQ	9132	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	60CTQ150	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	30a	880 mV @ 30 a		75 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
RGP10BE-E3/53	-	RFQ	2426	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
30CPF04	-	RFQ	1753	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30CPF04	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		400 V		1.41 V @ 30 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	30a	-
S5AHE3/57T	-	RFQ	4730	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	S5a	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		標準回復> 500ns		50 v		1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	5a	40pf @ 4V、1MHz
VS-MBRD660CTPBF	-	RFQ	2772	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	MBRD6	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	3a	650 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-40°C〜150°C
BAS170WS-E3-08	0.4000	RFQ	36	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	BAS170	ショットキー		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		70 v		1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	-55°C〜125°C	70ma	2PF @ 0V、1MHz
plz33b-g3/h	0.3200	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ33		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 25 V				33 v	65オーム
BZX384C33-E3-08	0.2400	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C33		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								50 Na @ 23.1 v				33 v	80オーム
fese16bt-e3/45	-	RFQ	4966	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	fese16	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		100 V		975 mV @ 16 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
ESH1D-E3/61T	0.4100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	ESH1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1a	-
LL4148-13	-	RFQ	4613	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	LL4148	標準		SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1 V @ 50 mA	8 ns	5 µA @ 75 V	175°C （最大）	150ma	4PF @ 0V、1MHz
VS-15MQ040NTRPBF	0.8500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	15MQ040	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		40 v		490 mV @ 2 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜150°C	1.5a	134pf @ 10V、1MHz
183nq080	-	RFQ	3365	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-67ハーフパック	183nq080	ショットキー		D-67ハーフパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*183NQ080	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		80 v		950 mV @ 180 a		4.5 mA @ 80 v		180a	4150pf @ 5V、1MHz
V12P10-M3/86A	0.9800	RFQ	41	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V12P10	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		100 V		700 mV @ 12 a		250 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	12a	-
SB140-E3/73	0.4600	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SB140	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		40 v		480 mV @ 1 a		500 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	-
TZM5224C-GS08	-	RFQ	2573	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5224		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.1 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V				2.8 v	30オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²