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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
440CMQ030	-	RFQ	8473	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB	440cmq	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*440CMQ030	ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	220A	500 mV @ 220 a		20 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
VS-8EWS16STRL-M3	1.6338	RFQ	3529	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8ews16	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS8EWS16STRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		1600 v		1.1 V @ 8 a		50 µA @ 1600 v	-55°C〜150°C	8a	-
plz27a-hg3_a/h	0.3600	RFQ	50	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ27		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 21 v				27 v	45オーム
BZG05B9V1-HE3-TR	-	RFQ	2313	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1.98％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 6.8 v				9.1 v	5オーム
BZG05C56-HE3-TR	-	RFQ	2180	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 43 v				56 v	120オーム
VS-SD400R16PC	106.5767	RFQ	6275	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	SD400	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSSD400R16PC	ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		1600 v		1.62 V @ 1500 a			-40°C〜190°C	400a	-
VS-30CPF04PBF	-	RFQ	2340	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30CPF04	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		400 V		1.41 V @ 30 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	30a	-
VSSC8L45-M3/9AT	0.5800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SC8L45	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		45 v		420 mV @ 4 a		1.85 mA @ 45 v	-40°C〜150°C	4.9a	1216pf @ 4V、1MHz
MBRB25H35CTHE3_B/P	1.0230	RFQ	8891	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB25	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	15a	640 mV @ 15 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜175°C
BAS16D-G3-18	0.0396	RFQ	2414	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	BAS16	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		高速回復= <500ns		75 v		1.25 V @ 150 MA	6 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	250ma	2PF @ 0V、1MHz
243NQ100R	-	RFQ	8459	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-67ハーフパック	243NQ100	ショットキー		D-67ハーフパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		100 V		860 mV @ 240 a		6 MA @ 100 V		240a	5500PF @ 5V、1MHz
TZS4698-GS08	0.0411	RFQ	7146	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZS4698		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 100 MA		50 Na @ 8.4 v				11 v
BY255GP-E3/54	-	RFQ	3711	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	by255	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns		1300 v		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 1300 v	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
SS8P4C-M3/87A	0.6700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	4a	580 mV @ 4 a		300 µA @ 40 V	-55°C〜150°C
bym12-300he3_a/h	-	RFQ	3638	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym12	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	bym12-300he3_b/h	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	1a	14PF @ 4V、1MHz
GP10GE-124E3/91	-	RFQ	3635	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	バルク	廃止			-	-	GP10			-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	1		-							-	-	-
MBRB735HE3/45	-	RFQ	8303	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB7	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		35 v		840 mV @ 15 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
P300K-E3/73	-	RFQ	8093	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	P300	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns		800 V		1.2 V @ 3 a	2 µs	5 µA @ 800 V	-50°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
SL04-M3-08	0.1238	RFQ	4815	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SL04	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30,000		高速回復= <500ns		40 v		540 mV @ 1.1 a	10 ns	20 µA @ 40 V	175°C （最大）	1.1a	65pf @ 4V、1MHz
BZT55A15-GS08	-	RFQ	7611	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55		500 MW	SOD-80 Quadromelf	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 11 v				15 V	30オーム
SBLB1030CTHE3/81	-	RFQ	7261	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB1030	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	5a	550 mv @ 5 a		500 µA @ 30 V	-40°C〜125°C
RGP25KHE3/54	-	RFQ	8784	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	RGP25	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 2.5 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	2.5a	60pf @ 4V、1MHz
VS-80PF140W	5.8585	RFQ	1809	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	80pf140	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS80PF140W	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1400 v		1.46 V @ 220 a			-55°C〜150°C	80a	-
EGP51F-E3/c	0.8126	RFQ	8650	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	EGP51	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 5 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	5a	48pf @ 4V、1MHz
AZ23B30-G3-18	0.0594	RFQ	3691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B30		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 22.5 v				30 V	80オーム
vs-stps1l30upbf	-	RFQ	5302	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	STPS1L30	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		30 V		420 mv @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	200pf @ 5V、1MHz
BZG03B27-M3-08	0.2228	RFQ	3867	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03B27		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 20 V				27 v	15オーム
SMZJ3808bhm3_a/i	-	RFQ	5322	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3808		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 47.1 v				62 v	100オーム
V8p15-m3/i	0.2475	RFQ	2358	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V8P15	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		150 v		1.08 V @ 8 a		150 µA @ 150 V	-40°C〜150°C	8a	-
BZX85B24-TR	0.3800	RFQ	23	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B24		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 18 V				24 v	25オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²