画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-30CPQ100-N3 | 3.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 30CPQ100 | ショットキー | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-30CPQ100-N3GI | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 30a | 1.05 V @ 30 a | 550 µA @ 100 V | ||||||||||||||
301CNQ040 | - | ![]() | 4769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 301cnq | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *301CNQ040 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 300a | 900 mV @ 300 a | 10 ma @ 40 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | fepe16ht-e3/45 | - | ![]() | 5820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | Fepe16 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 8a | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | IRD3909 | - | ![]() | 4291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | IRD3909 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRD3909 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.8 V @ 62.8 a | 350 ns | 80 µA @ 50 V | -40°C〜125°C | 30a | - | ||||||||||||
BYW29-50HE3/45 | - | ![]() | 5008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | byw29 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 8a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
VS-12F10 | 4.8300 | ![]() | 4073 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 12F10 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.26 V @ 38 a | 12 ma @ 100 v | -65°C〜175°C | 12a | - | |||||||||||||||
![]() | BZT03C16-TAP | 0.2970 | ![]() | 9332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5.63% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03C16 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 12 V | 16 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | 1N4586GP-E3/73 | - | ![]() | 2918 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N4586 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | TLZ4V7-GS18 | 0.0335 | ![]() | 2432 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ4v7 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 4.7 v | 25オーム | ||||||||||||||||
vs-8etl06pbf | - | ![]() | 1929年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | 8etl06 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.05 V @ 8 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | S5MHE3/57T | - | ![]() | 1684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5m | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | mss1p6hm3_a/h。 | 0.3900 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | MicroSMP | MSS1P6 | ショットキー | microSMP (DO-219AD) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 680 mV @ 1 a | 150 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | MBR20H90CTG-E3/45 | - | ![]() | 3969 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 90 v | 10a | 850 mv @ 10 a | 3.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | 16CTQ060 | - | ![]() | 4188 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 16ctq | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 8a | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | V40pw45c-m3/i | 1.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | V40pw45 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 640 mV @ 20 a | 1.2 mA @ 45 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | VT1060C-M3/4W | 0.6331 | ![]() | 8855 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | VT1060 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VT1060CM34W | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 5a | 700 mV @ 5 a | 700 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | AR1PMHM3/85A | 0.2030 | ![]() | 8613 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | AR1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.6 V @ 1 a | 120 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜175°C | 1a | 8.5pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | RS1D-M3/5AT | 0.0682 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RS1D | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZT52B4V3-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 6081 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B4V3 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 4.3 v | 80オーム | |||||||||||||||||
![]() | BA782-G3-08 | - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | SOD-123 | BA782 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100 Ma | 1.25pf @ 3V、1MHz | ピン -シングル | 35V | 700mohm @ 3ma、1GHz | |||||||||||||||||
![]() | vs-4esh01hm3/86a | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 4esh01 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 930 mv @ 4 a | 20 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 4a | - | |||||||||||||
![]() | uh4pcchm3/86a | - | ![]() | 2578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | uh4 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 2a | 1.05 V @ 2 a | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | 1N4006GP-E3/54 | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4006 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
VS-10ETF02PBF | - | ![]() | 8993 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | 10etf02 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS10ETF02PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.2 V @ 10 a | 200 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||
![]() | au2pjhm3_a/i | 0.4950 | ![]() | 1930年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | au2 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 1.6a | 42pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | vs-30ctq080pbf | - | ![]() | 8813 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | 30CTQ080 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 15a | 860 mV @ 15 a | 550 µA @ 80 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
GI852-E3/54 | - | ![]() | 2466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GI852 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 3 a | 200 ns | 10 µA @ 200 v | -50°C〜150°C | 3a | 28pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | SB140A-E3/73 | - | ![]() | 6472 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SB140 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 480 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | 20CTQ035STRR | - | ![]() | 5996 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 20ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 10a | 640 mV @ 10 a | 2 MA @ 35 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | SMBZ5926B-E3/52 | 0.1676 | ![]() | 8644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5926 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 8.4 v | 11 v | 5.5オーム |
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