SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BZX55B3V9-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B3V9-TR 0.2200
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、 aec-q101、bzx55 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX55B3V9 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 2 µA @ 1 V 3.9 v 90オーム
MMBZ4619-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4619-E3-18 -
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ4619 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 800 Na @ 1 V 3 v 1600オーム
SSC53L-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSC53L-E3/57T 0.6100
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc SSC53 ショットキー do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 850 高速回復= <500ns 30 V 450 mv @ 5 a 700 µA @ 30 V -65°C〜150°C 5a -
GI754-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI754-E3/73 0.9700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - カットテープ(CT) アクティブ 穴を通して P600 、軸 GI754 標準 P600 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 300 標準回復> 500ns 400 V 900 mV @ 6 a 2.5 µs 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 6a 150pf @ 4V、1MHz
BZD27C120P-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C120P-M-18 -
RFQ
ECAD 7685 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27-M テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C120 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 91 v 120 v 250オーム
VS-T85HFL10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HFL10S02 40.4870
RFQ
ECAD 5694 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシマウント D-55 Tモジュール T85 標準 D-55 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10 高速回復= <500ns 100 V 200 ns 20 mA @ 100 v 85a -
1N5061TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5061TR 0.6500
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して SOD-57 、軸 1N5061 雪崩 SOD-57 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 標準回復> 500ns 600 V 1.15 V @ 2.5 a 4 µs 1 µA @ 600 V -55°C〜175°C 2a 40pf @ 0V、1MHz
BY520-14EHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY520-14EHE3/54 -
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BY520 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 5,500 標準回復> 500ns 1400 v -65°C〜175°C 500mA -
MMSZ4705-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4705-G3-08 0.3100
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ4705 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 50 Na @ 13.6 v 18 v
SBLB1030CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1030CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 9951 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 SBLB1030 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 5a 550 mv @ 5 a 500 µA @ 30 V -40°C〜125°C
VS-3ECH02-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3ECH02-M3/9AT 0.2026
RFQ
ECAD 2656 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc 3ech02 標準 do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,500 標準回復> 500ns 200 v 900 mV @ 3 a 2 µA @ 200 v -55°C〜175°C 3a -
VBT4045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT4045C-M3/4W 1.6536
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 VBT4045 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 20a 580 mV @ 20 a 3 MA @ 45 v -40°C〜150°C
SD101A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101A-TR 0.3700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 SD101 ショットキー do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 60 V 1 V @ 15 mA 200 Na @ 50 V 125°C (最大) 30ma 2PF @ 0V、1MHz
VBT1045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045C-E3/8W 0.6001
RFQ
ECAD 4681 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 VBT1045 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 5a 580 mV @ 5 a 500 µA @ 45 V -40°C〜150°C
HFA320NJ40D Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA320NJ40D -
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfred® バルク 廃止 シャーシマウント TO-244AB分離タブ HFA320 標準 to-244ab (分離) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない *HFA320NJ40D ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 400 V 321a dc) 1.55 V @ 320 a 140 ns 12 µA @ 400 v
VSKE320-20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKE320-20 -
RFQ
ECAD 2310 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 シャーシマウント 3-MAGN-A-PAK™ vske320 標準 Magn-A-Pak® ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2 標準回復> 500ns 2000 v 50 mA @ 2000 v 320A -
BZX55B51-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B51-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、 aec-q101、bzx55 カットテープ(CT) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX55B51 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 39 v 51 v 125オーム
BZT55B13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B13-GS18 0.0433
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzt55 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント BZT55B13 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 10 V 13 v 26オーム
VS-8EWF02STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF02STR-M3 2.0160
RFQ
ECAD 8051 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 8ewf02 標準 d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS8EWF02STRM3 ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 200 v 1.2 V @ 8 a 55 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 8a -
VS-SD1100C20C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1100C20C 74.0342
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ スタッドマウント do-200aa、a-puk SD1100 標準 b-43 、ホッケー puk ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 12 標準回復> 500ns 2000 v 1.31 V @ 1500 a 35 MA @ 2000 v 1400a -
BYW75TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw75tr 0.5445
RFQ
ECAD 6726 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して SOD-64 、軸 byw75 雪崩 SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 12,500 高速回復= <500ns 500 V 1.1 V @ 3 a 200 ns 5 µA @ 500 V -55°C〜175°C 3a -
20ETF02STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF02STRL -
RFQ
ECAD 5201 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 20ETF02 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 200 v 1.3 V @ 20 a 160 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 20a -
GL41G-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41G-E3/97 0.4500
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) GL41 標準 DO-213AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V、1MHz
BZX85B62-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B62-TR 0.3800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZX85 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85B62 1.3 w do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 47 v 62 v 125オーム
UF4006-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4006-E3/73 0.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - カットテープ(CT) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 UF4006 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 800 V 1.7 V @ 1 a 75 ns 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C 1a 17pf @ 4V、1MHz
VS-12TQ040STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040STRLPBF -
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 12TQ040 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS12TQ040STRLPBF ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 40 v 560 mV @ 15 a 1.75 MA @ 40 V -55°C〜150°C 15a 900pf @ 5V、1MHz
PLZ30D-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz30d-g3/h 0.3100
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 plz テープ&リール( tr) アクティブ ±3% 150°C 表面マウント DO-219AC plz30 500 MW do-219ac(microsmf) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 Ma 200 Na @ 23 v 30 V 55オーム
BAT54S-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54S-HE3-18 0.3400
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAT54 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°C (最大)
MMSZ5240C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5240C-HE3-08 0.3400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 前回購入します ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5240 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 3 µA @ 8 V 10 v 17オーム
RGP02-16E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-16E-E3/73 -
RFQ
ECAD 7962 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® カットテープ(CT) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP02 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1600 v 1.8 V @ 100 MA 300 ns 5 µA @ 1600 v -65°C〜175°C 500mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫