画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX55B3V9-TR | 0.2200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B3V9 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||
MMBZ4619-E3-18 | - | ![]() | 4992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4619 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 800 Na @ 1 V | 3 v | 1600オーム | |||||||||||||
![]() | SSC53L-E3/57T | 0.6100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SSC53 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 30 V | 450 mv @ 5 a | 700 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | GI754-E3/73 | 0.9700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | GI754 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 標準回復> 500ns | 400 V | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZD27C120P-M-18 | - | ![]() | 7685 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C120 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 91 v | 120 v | 250オーム | |||||||||||
![]() | VS-T85HFL10S02 | 40.4870 | ![]() | 5694 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-55 Tモジュール | T85 | 標準 | D-55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 100 V | 200 ns | 20 mA @ 100 v | 85a | - | |||||||||||
![]() | 1N5061TR | 0.6500 | ![]() | 9545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | 1N5061 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 2.5 a | 4 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 2a | 40pf @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | BY520-14EHE3/54 | - | ![]() | 1724 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BY520 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 1400 v | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||||||||||
![]() | MMSZ4705-G3-08 | 0.3100 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4705 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 13.6 v | 18 v | |||||||||||||
![]() | SBLB1030CTHE3/45 | - | ![]() | 9951 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | SBLB1030 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 5a | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 30 V | -40°C〜125°C | ||||||||||
![]() | VS-3ECH02-M3/9AT | 0.2026 | ![]() | 2656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 3ech02 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 900 mV @ 3 a | 2 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | VBT4045C-M3/4W | 1.6536 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT4045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 580 mV @ 20 a | 3 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SD101A-TR | 0.3700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | SD101 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 60 V | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | 125°C (最大) | 30ma | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | VBT1045C-E3/8W | 0.6001 | ![]() | 4681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT1045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 5a | 580 mV @ 5 a | 500 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | HFA320NJ40D | - | ![]() | 4134 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB分離タブ | HFA320 | 標準 | to-244ab (分離) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *HFA320NJ40D | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 400 V | 321a dc) | 1.55 V @ 320 a | 140 ns | 12 µA @ 400 v | |||||||||
![]() | VSKE320-20 | - | ![]() | 2310 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | vske320 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 50 mA @ 2000 v | 320A | - | ||||||||||||
![]() | BZX55B51-TAP | 0.2200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B51 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 39 v | 51 v | 125オーム | |||||||||||
![]() | BZT55B13-GS18 | 0.0433 | ![]() | 3265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55B13 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 10 V | 13 v | 26オーム | |||||||||||
![]() | VS-8EWF02STR-M3 | 2.0160 | ![]() | 8051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 8ewf02 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS8EWF02STRM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.2 V @ 8 a | 55 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||
![]() | VS-SD1100C20C | 74.0342 | ![]() | 4932 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-200aa、a-puk | SD1100 | 標準 | b-43 、ホッケー puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 1.31 V @ 1500 a | 35 MA @ 2000 v | 1400a | - | |||||||||||
![]() | byw75tr | 0.5445 | ![]() | 6726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | byw75 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.1 V @ 3 a | 200 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||
![]() | 20ETF02STRL | - | ![]() | 5201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 20ETF02 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 20 a | 160 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||
![]() | GL41G-E3/97 | 0.4500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | GL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZX85B62-TR | 0.3800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85B62 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 47 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||
![]() | UF4006-E3/73 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UF4006 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-12TQ040STRLPBF | - | ![]() | 9066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 12TQ040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS12TQ040STRLPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 560 mV @ 15 a | 1.75 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | |||||||||
![]() | plz30d-g3/h | 0.3100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | plz30 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 23 v | 30 V | 55オーム | |||||||||||
BAT54S-HE3-18 | 0.3400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C (最大) | |||||||||||
![]() | MMSZ5240C-HE3-08 | 0.3400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5240 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | RGP02-16E-E3/73 | - | ![]() | 7962 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1600 v | 1.8 V @ 100 MA | 300 ns | 5 µA @ 1600 v | -65°C〜175°C | 500mA | - |
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