画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGL34JHE3/98 | - | ![]() | 2942 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | RGL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | rgl34jhe3_a/h | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 500 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||
GI910-E3/54 | - | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GI910 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.25 V @ 3 a | 750 ns | 10 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | VS-86HF60 | 10.6655 | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 86HF60 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 267 a | 9 mA @ 600 v | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||
![]() | VS-2EGH02HM3/5BT | - | ![]() | 5829 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 2egh02 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS2EGH02HM35BT | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 2 a | 21 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 2a | - | ||||||||
![]() | V30150CHM3/4W | - | ![]() | 4499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | V30150 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 15a | 1.36 V @ 15 a | 200 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | MBR40H45CT-E3/45 | - | ![]() | 2473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR40 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 640 mV @ 20 a | 100 µA @ 40 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | RGP20BHE3/54 | - | ![]() | 9662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | RGP20 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 2a | - | |||||||||
![]() | S1PB-E3/85A | - | ![]() | 9513 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-220AA | S1P | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 6PF @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | CS2J-E3/i | 0.4100 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | CS2 | 標準 | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 2 a | 2.1 µs | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1.6a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-16CTQ080PBF | - | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | 16CTQ080 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 8a | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 80 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | byw85tr | 0.5445 | ![]() | 3251 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | byw85 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1 V @ 3 a | 7.5 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BYT56K-TAP | 0.5346 | ![]() | 8086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BYT56 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.4 V @ 3 a | 100 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||
![]() | VS-VSUD405CW60 | 41.6000 | ![]() | 6694 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | TO-244AB | VSUD405 | 標準 | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 480a | 1.72 V @ 400 a | 124 ns | 3 MA @ 600 v | -40°C〜175°C | |||||||||
![]() | ZM4754A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZM4754 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | ||||||||||||
![]() | VS-6CWQ03FN-M3 | 0.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 6CWQ03 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 3.5a | 450 mV @ 3 a | 2 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SML4752AHE3/5A | - | ![]() | 1189 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4752 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | ||||||||||||
![]() | V15PM45HM3/h | 0.9500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V15pm45 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 600 mV @ 15 a | 700 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | 15a | 3000pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-30WQ04FNTRHM3 | 0.8379 | ![]() | 9986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 30WQ04 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS30WQ04FNTRHM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 530 mv @ 3 a | 2 MA @ 40 V | -40°C〜150°C | 3.5a | 189pf @ 5V、1MHz | |||||||||
![]() | FESF8DT-E3/45 | 0.6320 | ![]() | 4505 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | FESF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
![]() | vs-6esh01-m3/87a | 0.2609 | ![]() | 2368 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 6esh01 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 940 mV @ 6 a | 22 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 6a | - | |||||||||
![]() | BZX384B8V2-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 2072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B8V2 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | VF40100G-M3/4W | 0.8997 | ![]() | 3560 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | VF40100 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 810 mv @ 20 a | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-85HF80M | 19.7286 | ![]() | 5971 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 85HF80 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS85HF80M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 267 a | -65°C〜180°C | 85a | - | ||||||||||
![]() | HFA12PA120C | - | ![]() | 7193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | HFA12 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *HFA12PA120C | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 6a (DC) | 3 V @ 6 a | 80 ns | 5 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | 1N4384GP-E3/54 | 0.2318 | ![]() | 4188 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 1N4384 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SS8P2CLHM3/87A | - | ![]() | 8198 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS8P2 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 4a | 540 mV @ 4 a | 300 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
VS-12TQ045PBF | - | ![]() | 5753 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | 12TQ045 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 560 mV @ 15 a | 1.75 mA @ 45 v | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||
![]() | BZG05B36-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 5737 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B36 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 27 V | 36 v | 40オーム | |||||||||||
![]() | VS-SD2500C24K | 232.6950 | ![]() | 8486 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | クランプオン | DO-200AC 、K-PUK | SD2500 | 標準 | DO-200AC 、K-PUK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSSD2500C24K | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 2400 v | 1.14 V @ 4000 a | -40°C〜180°C | 3000A | - | ||||||||||
![]() | 1N4006/54 | - | ![]() | 5008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4006 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫