| 画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GI250-4-M3/73 | - | ![]() | 1270 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | GI250 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | VSSAF56-M3/6A | 0.4200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS®、Slimsma™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | SAF56 | ショットキー | DO-221AC(スリムスマ) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 620 mV @ 5 a | 400 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 5a | 540pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SS26S-M3/5AT | 0.0749 | ![]() | 9888 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS26 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 2 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
| 1N5402-E3/51 | - | ![]() | 8495 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | 1N5402 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.2 V @ 3 a | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | P600G-E3/73 | 0.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | P600 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 標準回復> 500ns | 400 V | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | ES3FHE3_A/H | 0.3392 | ![]() | 4319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3F | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZG05B11-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B11 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 8.2 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||
| DZ23C47-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 9933 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通カソード | 100 Na @ 35 V | 47 v | 100オーム | |||||||||||||
| VS-12TQ045-M3 | 1.1600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 12TQ045 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 45 v | 710 mv @ 30 a | 1.75 mA @ 45 v | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-1N3892 | - | ![]() | 5337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3892 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.4 V @ 12 a | 300 ns | 25 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||
![]() | es1che3_a/h | 0.3900 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | EGP30AHE3/54 | - | ![]() | 7060 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | EGP30 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | VS-10BQ060TRPBF | - | ![]() | 2248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 10BQ060 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 600 mV @ 1 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | rs2dhe3_a/h | 0.1650 | ![]() | 7952 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | RS2D | 標準 | do-214aa | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
| VS-150KR10A | 28.5996 | ![]() | 3221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | シャーシ、スタッドマウント | DO-205AA | 150kr10 | 標準、逆極性 | do-205aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.33 V @ 471 a | 35 mA @ 100 V | -40°C〜200°C | 150a | - | ||||||||||||
![]() | S1PD-E3/85A | - | ![]() | 2312 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-220AA | S1P | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 6PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VSKD600-12 | - | ![]() | 7436 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKD600 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 600a | 1.24 V @ 1800 a | 50 mA @ 1200 v | ||||||||||||
| BZX84C6V2-G3-08 | 0.2700 | ![]() | 6666 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C6V2 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-HFA30TA60CSL-M3 | 1.1245 | ![]() | 5459 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | HFA30 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 2 V @ 30 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | GP10QHE3/54 | - | ![]() | 2799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.2 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1200 v | -65°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-HFA08SD60SPBF | - | ![]() | 2095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | HFA08 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 55 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | BZG03B16-M3-08 | 0.2228 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B16 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 12 V | 16 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | SML4731AHE3/5A | - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4731 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | |||||||||||||
| BAT54-02V-G3-08 | 0.3200 | ![]() | 6921 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BAT54 | ショットキー | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-SD300C04C | 48.0967 | ![]() | 1111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | クランプオン | do-200aa、a-puk | SD300 | 標準 | do-200aa、a-puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 400 V | 2.08 V @ 1500 a | 15 mA @ 400 v | 650A | - | ||||||||||||
![]() | VS-113CNQ100ASLPBF | - | ![]() | 2410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | D-61-8-SL | 113CNQ100 | ショットキー | D-61-8-SL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-113CNQ100ASLPBFGI | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 55a | 1 V @ 110 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | v20pw15hm3/i | 0.5029 | ![]() | 2128 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | V20PW15 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.47 V @ 20 a | 250 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | 20a | 950pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-71HF100 | 12.9792 | ![]() | 8909 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 71HF100 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.35 V @ 220 a | 9 mA @ 1000 v | -65°C〜180°C | 70a | - | |||||||||||
![]() | VS-MUR1020CTPBF | - | ![]() | 8271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | MUR1020 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 5a | 990 mV @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | MSQ1PJ-M3/h | 1.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | MicroSMP | MSQ1 | 標準 | microSMP (DO-219AD) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 650 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 1a | 4PF @ 4V、1MHz |

毎日の平均RFQボリューム

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