SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
TZM5224C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5224C-GS18 -
RFQ
ECAD 6014 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±2% 175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 TZM5224 500 MW SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 mA 75 µA @ 1 V 2.8 v 30オーム
SML4762AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4762ahe3_a/h 0.5600
RFQ
ECAD 5572 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AC、SMA SML4762 1 W do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,800 5 µA @ 62.2 v 82 v 200オーム
VS-MBR4060WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR4060WTPBF -
RFQ
ECAD 2133 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 MBR40 ショットキー TO-247AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 20a 720 mv @ 20 a 1 MA @ 60 v -55°C〜150°C
AU3PMHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au3pmhm3/87a -
RFQ
ECAD 1453 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-277、3-POWERDFN au3 雪崩 TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 1000 V 2.5 V @ 3 a 75 ns 10 µA @ 1000 v -55°C〜175°C 1.4a 42pf @ 4V、1MHz
BZT03C150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C150-TR 0.6000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZT03 テープ&リール( tr) アクティブ ±6% 175°C (TJ) 穴を通して SOD-57 、軸 BZT03C150 1.3 w SOD-57 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 110 v 150 v 300オーム
VS-10TQ035STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ035STRRPBF -
RFQ
ECAD 8641 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 10TQ035 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 35 v 570 mV @ 10 a 2 MA @ 35 v -55°C〜175°C 10a 900pf @ 5V、1MHz
SF5404-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5404-TAP 0.5742
RFQ
ECAD 9774 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&ボックス( TB) アクティブ 穴を通して SOD-64 、軸 SF5404 標準 SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 12,500 高速回復= <500ns 400 V 1.1 V @ 3 a 50 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜175°C 3a -
BZX384C3V0-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C3V0-E3-18 0.0324
RFQ
ECAD 8620 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX384 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384C3V0 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 10 µA @ 1 V 3 v 95オーム
BZG05C43-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C43-HM3-08 0.4200
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzg05c-m テープ&リール( tr) アクティブ ±6.98% 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05C43 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 33 v 43 v 50オーム
MMSZ5238C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5238C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 9844 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5238 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 6.5 v 8.7 v 8オーム
BZG03B56-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B56-M3-08 0.2228
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZG03B-M テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG03B56 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 43 v 56 v 60オーム
FCSP05H40ETR Vishay General Semiconductor - Diodes Division fcsp05h40etr -
RFQ
ECAD 7277 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント Flipky™ FCSP05 ショットキー Flipky™ ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 6,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 500 Ma 10 µA @ 40 V -55°C〜150°C 500mA -
VS-72HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-72HF20 8.4227
RFQ
ECAD 3213 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 72HF20 標準 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS72HF20 ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 200 v 1.35 V @ 220 a -65°C〜150°C 70a -
VS-80EBU02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80EBU02 5.3400
RFQ
ECAD 267 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® バルク アクティブ シャーシマウント Powertab™、Powirtab™ 80EBU02 標準 Powirtab™ ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 200 v 1.13 V @ 80 a 50 µA @ 200 V 80a -
V20M100M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20M100M-E3/4W 0.5145
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 V20M100 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 10a 1.02 V @ 10 a 500 µA @ 100 V -55°C〜175°C
BZW03D22-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D22-TR -
RFQ
ECAD 2790 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZW03 テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -65°C〜175°C 穴を通して SOD-64 、軸 BZW03 1.85 w SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 a 2 µA @ 15.8 v 22 v 3.5オーム
VS-301UA200 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-301UA200 -
RFQ
ECAD 5542 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 スタッドマウント do-205ab、do-9 、スタッド 301UA200 標準 do-205ab(do-9) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS301UA200 ear99 8541.10.0080 12 標準回復> 500ns 2000 v 1.46 V @ 942 a -40°C〜180°C 330A -
P300D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P300D-E3/54 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 P300 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,400 標準回復> 500ns 200 v 1.2 V @ 3 a 2 µs 5 µA @ 200 V -50°C〜150°C 3a -
VS-E5TX0812THN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5TX0812THN3 0.8910
RFQ
ECAD 6880 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 112-VS-E5TX0812THN3 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1200 v 3.4 V @ 8 a 55 ns 50 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 8a -
BZT03C110-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C110-TAP 0.6400
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZT03 カットテープ(CT) アクティブ ±5.45% 175°C (TJ) 穴を通して SOD-57 、軸 BZT03C110 1.3 w SOD-57 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 82 v 110 v 250オーム
TZS4709-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4709-GS08 0.0411
RFQ
ECAD 6843 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント TZS4709 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 100 MA 10 Na @ 18.2 v 24 v
VS-8AF1NPP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8af1npp -
RFQ
ECAD 7319 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 シャーシ、スタッドマウント B-47 8AF1 標準 B-47 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 100 V 7 ma @ 100 v -65°C〜195°C 50a -
VS-20CWT10TR-E3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CWT10TR-E3 -
RFQ
ECAD 9994 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 20CWT10 - ROHS3準拠 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1
VS-10TQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ040PBF -
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-2 10TQ040 ショットキー TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 40 v 760 mV @ 10 a 6 ma @ 40 v -55°C〜175°C 10a -
FGP50C-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50C-E3/54 -
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して DO-201AA FGP50 標準 GP20 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,400 高速回復= <500ns 150 v 950 mv @ 5 a 35 ns 5 µA @ 150 v -65°C〜175°C 5a 100pf @ 4V、1MHz
GI812-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI812-E3/73 -
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 GI812 標準 DO-204AC (DO-15) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 標準回復> 500ns 200 v 1.2 V @ 1 a 750 ns 10 µA @ 200 v -65°C〜175°C 1a 25pf @ 4V、1MHz
MMSZ5254C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5254C-E3-08 0.3200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5254 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 100 Na @ 21 V 27 v 41オーム
VS-20WT04FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20wt04fn -
RFQ
ECAD 2487 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント to-252-3 20WT04 ショットキー TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない vs20wt04fn ear99 8541.10.0080 75 高速回復= <500ns 45 v 610 mv @ 20 a 100 µA @ 45 V -55°C〜175°C 20a 1900pf @ 5V、1MHz
GDZ27B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ27B-HG3-18 0.0523
RFQ
ECAD 8674 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、GDZ-G テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 GDZ27 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 100 Na @ 21 V 27 v 150オーム
MPG06G-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06G-E3/100 0.1487
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&ボックス( TB) アクティブ 穴を通して mpg06 、軸 MPG06 標準 MPG06 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 600 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫